Формирование компьютерной модели транзистора.

При проектировании усилителя в курсовом проекте предлагается использовать транзисторы фирмы Excelics(www.excelics.com).

После выбора типа транзистора, необходимо создать его компьютерную модель. Модель включает себя нелинейную модель бескорпусного транзистора (кристалла) и эквивалентную схему, отражающую паразитные параметры корпуса. Схема модели изображена на рисунке Х, а номиналы элементов эквивалентной схемы для различных типов корпусов сведены в таблицу .

Рис. Х Схема электрической модели транзистора.

Таблица . Параметры эквивалентной схемы для различных корпусов.

Параметр	Тип корпуса
	70	100P	180F	CP083
CP1, пФ	0,038	0,05	0,78	0,52
CP2, пФ	0,13	0,2	0,57	0
LP1, нГн	0,25	0,5	0,61	0,56
RP, Ом	0,7	0,8	0	0
CP3, пФ	0,006	0	0	0
CP4, пФ	0	0	0	0
LPG, нГн	0,3	0,14	0,34	0,06
LPD, нГн	0,2	0,1	0,2	0,2
LPS, нГн	0,028	0	0,017	0,018
LP2, нГн	0,065	0,03	0	0

Пример:Рассмотрим пример создания модели транзистораEPA160A-100Pв программеAWRMicroWaveOffice(MWO). С основами работы в данной программе можно ознакомится в [].

Откроем проект в программе MWO.

Создадим новую схему, которую назовем EPA160A100P.

Нарисуем схему модели транзистора с учетом паразитных параметров корпуса (рис.). Для этого перетащим из закладки библиотек Elementsна схему элементы и соединим их, как это показано на рисунке.

Рис. Схема электрической модели транзистора EPA160-100P.

Пути к моделям элементов следующие:

Резистор: Elements → Lumped Element → Resistor → RES;

Конденсатор: Elements → Lumped Element → Capacitor → CAP;

Индуктивность: Elements → Lumped Element → Inductor → IND;

Транзистор: Elements → Nonlinear → FET → CURTICE3;

Порт: Elements → Ports → PORT.

Номиналы сосредоточенных элементов берутся из таблицы для корпуса типа 100P. Для удобства представления номиналы были заданы через переменные (смотри рис.), которые можно сформировать на схеме с помощью командыDraw→Add Equation(либо с помощью соответствующей кнопки на панели инструментов). Номиналы емкостейCP3=CP4=0 , поэтому они были исключены из схемы (рис.). ИндуктивностьLPS=0, поэтому этот элемент был исключен из схемы и заменен коротким замыканием (рис.).

Параметры модели кристалла транзистора CURTICE3берутся из таблицы, приведенной в Приложении . Чтобы задать параметры нелинейной модели транзистора, необходимо дважды щелкнуть левой кнопкой мыши (ЛКМ2) по символу элементаCURTICE3. В открывшемся окне (рис. ) необходимо перейти к закладкеParametersи нажать кнопкуShow Secondary. После чего ввести параметры из Таблицы Приложения .

Рис.  Окно редактирования параметров элемента CURTICE3.

Особое внимание следует обратить на различие размерностей некоторых параметров модели транзистора, используемых в программе и указанных в таблице.

Нумерация портов должна строго соответствовать указанной на рисунке. Это необходимо для того, чтобы не возникало путаницы при рассмотрении последующих примеров моделирования.

Для того, чтобы использовать созданную модель транзистора в дальнейших проектах, рекомендуется выполнить экспортирование его схемы (рис.) на жесткий диск. Для этого в папке Circuit Schematics отыщите схему с моделью транзистора, нажмите на ней правой кнопкой мыши (ПКМ) и в контекстном меню выберите команду Export Schematic. Сохраните схему с моделью транзистора на жесткий диск. Экспортированному файлу будет присвоено расширение .sch.