Архив3 / kursach_OTTs(1) / курсач ОТЦ / Курсовой проект ТГТУ.210303.161 ДЭ / Текстовые документы к курсовому проекту ТГТУ.210303.161 ДЭ / Аннотация ТГТУ.210303.161 ТЭ-АЛ
.docxАННОТАЦИЯ
Курсовая работа на тему «Расчет основных параметров структуры метал-диэлектрик-полупроводник» выполнена студентом группы СРБ-21 Шаминым О.Т.
Руководитель курсового проекта – Макарчук М.В.
Год защиты – 2012.
В курсовой работе производится:
- описание физических процессов в заданной полупроводниковой структуре;
- расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры;
- краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов её формирования.
В курсовой работе выполнен расчет электрофизических характеристик полупроводниковых структур.
Для р-n-перехода рассчитаны:
- величина контактной разности потенциалов φ0 = 0,035 В;
- теоретическая вольт-амперная характеристика;
- величина дифференциального сопротивления r = 6,24∙1023 Ом;
- барьерная емкость Сб =пФ;
- толщина обедненного слоя W = 3,2 нм;
- концентрации основных и неосновных носителей зарядов.
Для структуры металл-полупроводник рассчитаны:
- величина контактной разности потенциалов φ0 = 0,176 В;
- высота барьера Шоттки φб = 0,635;
- диффузионные и дрейфовые составляющие скорости электронов;
- толщина обедненного слоя и барьерная емкость.
Курсовая работа выполнена в соответствии с ЕСКД с применением текстового пакета Microsoft Word.
Объем ПЗ курсового проекта – 40 с.