Скачиваний:
4
Добавлен:
07.08.2013
Размер:
13.87 Кб
Скачать

АННОТАЦИЯ

Курсовая работа на тему «Расчет основных параметров структуры метал-диэлектрик-полупроводник» выполнена студентом группы СРБ-21 Шаминым О.Т.

Руководитель курсового проекта – Макарчук М.В.

Год защиты – 2012.

В курсовой работе производится:

- описание физических процессов в заданной полупроводниковой структуре;

- расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры;

- краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов её формирования.

В курсовой работе выполнен расчет электрофизических характеристик полупроводниковых структур.

Для р-n-перехода рассчитаны:

- величина контактной разности потенциалов φ0 = 0,035 В;

- теоретическая вольт-амперная характеристика;

- величина дифференциального сопротивления r = 6,24∙1023 Ом;

- барьерная емкость Сб =пФ;

- толщина обедненного слоя W = 3,2 нм;

- концентрации основных и неосновных носителей зарядов.

Для структуры металл-полупроводник рассчитаны:

- величина контактной разности потенциалов φ0 = 0,176 В;

- высота барьера Шоттки φб = 0,635;

- диффузионные и дрейфовые составляющие скорости электронов;

- толщина обедненного слоя и барьерная емкость.

Курсовая работа выполнена в соответствии с ЕСКД с применением текстового пакета Microsoft Word.

Объем ПЗ курсового проекта – 40 с.