
- •Лабораторная работа №2
- •2.2 Вольт – амперные характеристики p – n перехода
- •2.3 Пробой p – n перехода
- •2.4 Типы полупроводниковых диодов и их характеристики.
- •2.4.1 Выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды.
- •2.4.2 Импульсные диоды
- •2.4.3. Диоды Шотки
- •3.Лабораторная установка и методика эксперимента.
- •4.Лабораторное задание
- •Расчетная часть
- •Экспериментальная часть
- •5.Обработка результатов измерений
- •6.Содержание отчета
- •7.Контрольные вопросы
- •8.Литература
5.Обработка результатов измерений
5.1 По данным таблиц 1 и 2 построить ВАХ кремниевого и германиевого диодов на одном графике.
5.2 Оценить значение контактной разности потенциалов UKпо построенным ВАХ, сравнить полученные значения.
Объяснить различия в прямых и обратных ветвях ВАХ германиевого и кремниевого диодов.
Определить по экспериментальным ВАХ при Iпр=15 мА значения дифференциального сопротивления
и сопротивления постоянному току
для германиевого и кремниевого диодов.
По экспериментальной ВАХ германиевого ПД определить при Uобр=8 В дифференциальное
и сопротивление постоянному току
.
Проанализировать характер изменений в осциллограммах тока выпрямительного диода в зависимости от частоты. Объяснить эти изменения.
Сравнить зависимости частотных свойств выпрямительного и импульсного диодов. Сделать выводы.
6.Содержание отчета
Отчет должен содержать:
Формулировку цели исследования.
Паспортные данные исследуемых диодов.
Схемы для выполнения измерений.
Таблицы экспериментальных данных.
Графики вольт - амперных характеристик.
Осциллограммы напряжений и токов на диодах при различных частотах.
Анализ полученных результатов и выводы по работе.
7.Контрольные вопросы
Механизм проводимости в полупроводниках. Объяснение на основе зонной модели.
Формирование p-nперехода, его основные характеристики.
Что такое уровень Ферми? Как изменяется его положение при введении донорной или акцепторной примеси в полупроводник?
Как влияет внешнее электрическое поле на энергетическую диаграмму p-nперехода ?
Дайте качественное объяснение вида вольт - амперной характеристики p-nперехода.
Что такое ток насыщения IS ? Почему он имеет различные значения для диодов, изготовленных из различных полупроводников?
Перечислите виды пробоя p-nперехода и объясните механизм каждого из них.
Как влияет температура на величину пробивного напряжения Uпробпри различных видах пробоя?
Перечислите основные параметры выпрямительных диодов.
Какие факторы влияют на частотные свойства полупроводниковых диодов?
Чем отличаются импульсные диоды от выпрямительных?
Что такое переход Шотки?
При каких условиях диод Шотки обладает наилучшими частотными свойствами?
Почему выпрямительные диоды преимущественно кремниевые?
8.Литература
Бонч – Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1990. – 688 с.
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Из – во “Лань”, 2001. – 480 с.
Жеребцов И.П. Основы электроники. – М.: Радио и связь, 1985.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомсудост, 1990 – 576 с.
Крулев А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник. В 3 томах. – М.: ИП РадиоСофт, 1999. Т.1. – 640 с.; Т.2. – 640 с., Т.3. – 704 с.