- •Исследование тиристора.
- •Диодные тиристоры. Структура и принцип действия.
- •Триодные тиристоры.
- •Уравнение вах тиристора.
- •Классификация, условные обозначения и применение
- •3.Описание лабораторного стенда.
- •4. Расчетная часть.
- •5. Экспериментальная часть
- •6. Методика эксперимента и обработка результатов
- •7. Содержание отчета
- •8. Контрольные вопросы
- •9. Литература
Лабораторная работа № 6
Исследование тиристора.
Цель работы: |
Исследование принципа работы, вольт – амперной характеристики и параметров тиристора |
ВВЕДЕНИЕ
При решении многих задач автоматизации и управления технологическимипроцессами, телемеханики и связи возникает необходимость коммутации (отключения, подключения и переключения) электрических цепей. Широко распространенные в недавнем прошлом механические и электромеханические переключатели (реле) не обеспечивают необходимой надежности и быстродействия, поэтому разрабатывались электронные переключатели, к числу которых можно отнести электронные ключи и триггеры, выполненные на транзисторах.
Электронный ключ - это устройство, имеющее два устойчивых состояния: с низкой и высокой проводимостью причем переход из одного состояния в другое может осуществляться с помощью управляющих электрических сигналов. Этим требованиям удовлетворяет полупроводниковый прибор, называемый тиристором. Его основное назначение состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки при воздействии внешнего управляющего сигнала. Как и транзисторный ключ тиристор имеет два статических состояния: закрытое (с низкой проводимостью) и открытое (с высокой проводимостью). В каждом из них тиристор может находиться сколь угодно долго, а переход из одного состояния в другое происходит относительно быстро под воздействием кратковременного управляющего сигнала.
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (и более) p-n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
Диодные тиристоры. Структура и принцип действия.
Диодный тиристор (динистор)– это тиристор, имеющий два вывода, через которые проходит как основной ток, так и ток управления.
В основе структуры динистора лежит четырехслойная p-n-p-n структура, показанная на рис. 1.
Четыре слоя полупроводника образуют три p-nперехода П1, П2, и П3. Кроме них есть еще два омических перехода, один из которых между слоемp1 иметаллическим электродом, называемыманодом, а второй – между слоемn2 и металлическим электродом, называемымкатодом.
Рассмотрим процессы в динисторе при подаче на него прямого напряжения, то есть положительный потенциал на аноде, а отрицательный – на катоде (рис.1). В этом случае переходы П1 и П3 смещены в прямом направлении, поэтому их называют эмиттерными, а переход П2 смещен в обратном направлении и называется коллекторным. Таким образом, у динистора две эмиттерные области (p1- и n2-эмиттеры) и две базовые области (n1- и p2-базы). Эмиттеррные области значительно сильнее легированы примесями, чем базовые. Большая часть внешнего напряжения падает на закрытом коллекторном переходе П2.
При малых значениях напряжения на входе через закрытый переход П2 и через динистор может протекать лишь малый обратный ток. При повышении анодного напряжения начинают действовать два взаимно противоположных процесса. С одной стороны, увеличивается обратное напряжение на переходе П2, и за счет этого расширяется область пространственного заряда (ОПЗ), образованная положительными ионами примеси вn1-базе и отрицательными – вp2-базе. Электроны вn1-базе стягиваются к переходу П1, а дырки в p2-базе – к переходу П3. Это приводит к увеличению поля переходаЕпери сопротивления коллекторного перехода П2. С другой стороны, увеличение внешнего напряжения приводит к усилению инжекции дырок изp1-эмиттера вn1-базу, где они втягиваются полемЕпер в ОПЗ, проходят переход П2 и попадают вp2-базу, частично рекомбинируя вn1 - базе (рис.2). В слоеp2дырки удерживаются полем потенциального барьера, созданного отрицательными ионами ОПЗ и основными носителями этой области – дырками. Поэтому они накапливаются в этой области, создавая избыточную концентрацию основных носителей вp2-базе. Аналогичный процесс происходит и с электронами, которые инжектируютсяn2-эмиттером вp2-базу и затем накапливаются вn1-базе .
Избыточные заряды в базовых областях частично компенсируют пространственные заряды ионов, ослабляя тем самым поле Епер. На рис.2 это отмечено наличием поля избыточных зарядовЕизб. За счет этого потенциальный барьер перехода П2 понижается и уменьшается его сопротивление. Кроме того, накопление избыточных зарядов в базовых областях стимулирует усиление инжекции носителей из эмиттеровp1и n2. Таким образом, в тиристоре существуетположительная обратная связь(ПОС), благодаря которой усиление тока через переход П1, например, вызывает усиление тока через переход П3, и наоборот.
На вольт – амперной характеристике (ВАХ) динистора этим процессам соответствует участок ОА. Точка А соответствует некоторому напряжению включения Uвкл, при котором два рассмотренных процесса уравновешивают друг
друга, величина потенциального барьера и сопротивление перехода П2 практически становятся равными нулю. Любое, сколь угодно малое увеличение напряжения выше Uвкл приведет к заметному росту тока одного из эмиттерных переходов, за счет ПОС возрастет ток второго перехода. Процесс развивается лавинообразно и динистор практически мгновенно входит в режим насыщения, когда ток через него ограничивается лишь сопротивлением нагрузки.
Сопротивление самого тиристора при этом складывается из сопротивления трех открытых p-n переходов и четырех объемных сопротивлений полупроводника. Каждое из этих сопротивлений мало, поэтому падение напряжения на них не превышает долей вольта, а полное падение напряжения на открытом тиристоре не более нескольких вольт.
Переходу из закрытого в открытое состояние тиристора соответствует участок АВ ВАХ, участок ВС соответствует работе тиристора в открытом состоянии.
На участке ОА преобладает первый из рассмотренных выше процессов, и сопротивление тиристора растет, но рост этот замедляется по мере приближения к точке А. После точки А второй механизм создает поле Еизб Епер, и переход П2 становится открытым, его сопротивление резко уменьшается.
В открытом состоянии (участок ВС) прямое смещение перехода П2 поддерживается избыточным зарядом в базах за счет проходящего тока. Если ток постепенно уменьшать, то при достижении некоторого значения, меньшего удерживающего тока Iуд, в результате рекомбинации количество избыточных зарядов станет недостаточным для компенсации поля ионов в ОПЗ, коллекторный переход смещается в обратном направлении и ток резко уменьшается до значения, соответствующего точкеD, тиристор перейдет в закрытое состояние. Удерживающий токIуд– это минимальный ток, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии.