
- •Исследование статических характеристик и параметров маломощных биполярных транзисторов
- •Введение
- •2. Теоретическая часть
- •Структура транзистора
- •2.2. Принцип действия и схемы включения транзистора
- •2.3. Статические характеристики
- •2.4. Малосигнальные параметры
- •2.5. Эквивалентные схемы и модели транзистора
- •3. Описание лабораторного стенда
- •5. Экспериментальная часть
- •6. Методика измерений и обработка результатов
- •7. Содержание отчета
- •8. Контрольные вопросы
- •9. Литература
3. Описание лабораторного стенда
Работа выполняется на лабораторном стенде, описание и технические характеристики которого приведены в указаниях к лабораторной работе №1.
РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Рассчитать значения температурного потенциала
, гдеq – элементарный заряд, для пяти точек с равномерным шагом в интервале 15…30
. Построить график зависимости
.
5. Экспериментальная часть
Измерить тепловой ток эмиттерного перехода транзистора
, для чего собрать схему рис.7.
Изменяя
в пределах 0…10 В измерить 8…10 значений
и
.
Данные занести в Табл.1.
Таблица 1:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение теплового тока коллекторного перехода
. Повторить измерения п. 5.1, поменяв местами эмиттер и коллектор транзистора измеренные значения
и
занести в таблицу 1.
И
змерение прямых коэффициентов передачи тока
и
. Собрать схему рис.7а. Изменяя
установить последовательно значения
от 1 до 9mA с шагом в 1 mA и измерить соответствующие значения тока базы
. Данные измерений внести в таблицу 2.
Измерение |
Расчет | |||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение |
Расчет | |||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение инверсных коэффициентов передачи тока
и
. Повторить измерения п.5.3, поменяв местами эмиттер и коллектор в схеме рис.7. Данные измерений
и
занести в таблицу3.
У
становить с помощью внешнего вольтметра напряжения источников Е2 =8В и Е1=5В и измерить токи эмиттера
и коллектора
, используя для этого схемы рис.8 (для
,Uкб <0) и рис.9 (для
,
).Данные занести в таблицу 4.
Таблица4
|
E1,B |
E2,B |
IЭ,mA |
IK,mA |
UЭБ = , В UКБ= , В (UKБ<0) |
|
|
|
|
UЭБ= ,В UКБ= ,В (UКБ> 0) |
|
|
|
|
Для
схемы рис.8: ,
- измеряются внешним вольтметром, токиIэ
и Iк
вычисляются
Для
схемы рис.9:
,
- измеряются,
Выписать из справочника структуру, эксплуатационные и предельно допустимые параметры исследуемого транзистора.
Собрать схему рис.10 для измерений семейств характеристик транзистора. Цоколевка транзистора указана на рис.11.
Снять семейство входных характеристик транзистора при
(зажимы 2 – 2' замкнуты накоротко
отключен),
В и
В. Данные для каждой характеристики внести в таблицу 5. Значения тока базы вычисляются по формуле
.
, В
Таблица 5
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Снять семейство выходных характеристик при трех значениях тока базы IБ = 50, 100, 150 мкA (рис.12). При измерениях следить, чтобы измеряемые величины не превышали предельно допустимых. Данные измерений занести в таблицу 6.
Таблица 6:
|
| |||||||
50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
150 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|