- •Фгбоу впо «вятский государственный университет»
- •Текст задания
- •2. Исследование динамического режима работы выпрямительного диода.
- •2.1. Построение схемы. Схема изображена на рисунке 2.1.
- •2.2. Изменение параметров модели диода.
- •3. Построение вах стабилитрона.
- •3.1. Построение схемы стабилитрона. Схема представлена на рисунке 3.1.
- •4. Исследование простейшего однополупериодного выпрямителя.
- •5. Исследование параметрического стабилизатора напряжения.
- •Вариант №16.
- •6.1 Заполнение таблицы значений прямой ветви вах по известной справочной характеристике согласно заданному варианту.
- •6.3. Получение значений некоторых других параметров модели диода по его вфх.
- •6.4. Ручной расчет динамических параметров диода по вах
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Фгбоу впо «вятский государственный университет»
Факультет прикладной математики и телекоммуникаций
Кафедра радиоэлектронных средств
Лабораторная работа №2.
Принцип действия и параметры выпрямительных диодов.
Стабилитроны. Простейшие диодные схемы.
Отчет по лабораторной работе
«Электроника»
Разработал: студент гр. ИКТ – 21 /Ф.Н.Поздеев /
Проверил: доцент кафедры РЭС ___________________________/Д.А.Репкин /
Киров 2012
Текст задания
Цель работы:
-
изучить принцип действия выпрямительного диода и стабилитрона, построить его статические характеристики (ВАХ), исследовать динамический режим работы диодов.
Используемые технические и программные средства: персональный компьютер (процессор Pentium и выше, ОЗУ 16 МВ или выше, HDD не менее 1 GB) с операционной системой Windows 95 или выше. Прикладная программа (пакет) MicroCAP v. 7.0.
Ход работы
1. Исследование параметров выпрямительного диода.
-
Требовалось построить схему в макете microcap.
Схема изображена на рисунке 1.1.
Построение ВАХ полупроводниковых выпрямительных диодов (D1,D2).
ВАХ изображена на рисунке 1.2.
Исследование влияния параметров модели на ВАХ диода.
Рисунок 1.1 – Схема.
Рисунок 1.2 – ВАХ.
1.2. Расчет по ВАХ коэффициента выпрямления диода, прямого и обратного дифференциального сопротивления диода.
Далее нужно было найти коэффициент выпрямления этих диодов (k) и дифференциальные прямое и обратное сопротивление (rпр, rобр).
k~16m/5n=3200
Зададимся приращением =25мА для тока при прямом включении I=50мА =>~420мВ
Зададимся приращением =10нА для тока при обратном включении I=15нА =>~50В
.
1.3 Выполнение пошагового изменения параметров диодов :
-
параметра RS (линейное, от 1 до 5 с шагом 0.5 Ом, для диода D1);
Результат построения показан на рисунке 1.3.
Рисунок 1.3 – Пошаговое изменение параметра RS.
- параметра IS (логарифмическое, от 10 нА до 100 нА с шагом 2, для диодов D1 и D2);
Результат построения показан на рисунке 1.4.
Рисунок 1.4 – Пошаговое изменение параметра IS.
-
параметра RL; Результат построения показан на рисунке 1.5.
Рисунок 1.5 – Пошаговое изменение параметра RL.
-
параметра BV (линейное, с 3 В до 10 В с шагом 2 В, для диода D2).
Результат построения показан на рисунке 1.6
Рисунок 1.6 – Пошаговое изменение параметра BV.
Вывод: из полученных ВАХ следует, что:
-
увеличивая параметр RS мы увеличиваем прямое дифференциальное сопротивление диода;
-
увеличивая параметр IS – увеличиваем и прямое дифференциальное сопротивление и обратное дифференциальное сопротивление диода;
-
увеличивая RL и BV- уменьшаем обратное дифференциальное сопротивление диода.
Ток насыщения - это участок на графике ВАХ, на котором при увеличении напряжения, ток не изменяется, т.е. ток максимален. Следующим состоянием прибора (если продолжать увеличение тока) будет электрический пробой.