Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Архив1 / docx55 / Курсач(4)

.docx
Скачиваний:
44
Добавлен:
01.08.2013
Размер:
124.38 Кб
Скачать

Министерство образования и наука Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

Поволжский Государственный Технологический Университет

Кафедра ИВС

Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе по дисциплине

«Электроника и Электротехника»

Выполнил: студент гр. ПС-31

Ильин А.М. ___________ _______

(подпись) (дата)

Проверил: Моисеев Н.Г. ___________ _______

(подпись) (дата)

Оценка: ______________

Йошкар-Ола

2012

Аннотация

В данной пояснительной записке представлены схемы, расчетные формулы блокинг-генератора, работающем в автоколебательном режиме. В соответствии с заданием рассчитаны необходимые параметры схемы.

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Рассчитать схему блокинг-генератора, работающего в автоколебательном

режиме, со следующими параметрами:

  • сопротивление нагрузки RН = 5 кОм;

  • амплитуда выходных импульсов Uвых = +20 В;

  • длительность импульсов u = 1 мкс;

  • скважность  = 10;

Содержание

Титульный лист……………………………………………..….………………...1

Аннотация……………………………………………… ..…….………………...2

Техническое задание…………………………………………….…….................3

Содержание……………………………………………………….……………....4

Введение……………………………………………………………....………..…5

1. Описание схемы блокинг-генератора………………………..……..…….......6

2. Расчет схемы блокинг-генератора…………....…………………………...….7

2.1.Электрические расчеты…………….………………..….…….……...…........7

2.2.Выбор и обоснование элементной базы…...…..…….………..……………11

Заключение…………………………………….……………………….………...12

Список литературы………………….....…………………………….………..…13

Приложение …………………………….……………………………………......14

ВВЕДЕНИЕ

Электронная вычислительная техника – сравнительно молодое научно-техническое направление, но она оказывает самое революционизирующее воздействие на все области науки и техники, на все стороны жизни общества. Характерно постоянное развитие элементной базы ЭВМ, которая в настоящее время получила название схемотехники ЭВМ. Элементная база развивается очень быстро; появляются новые типы логических схем, модифицируются существующие. Существует множество различных логических ИС: логические элементы, регистры, сумматоры, АЛУ, дешифраторы, мультиплексоры, счетчики, делители частоты, триггеры, генераторы и усилители постоянного тока. Именно о них пойдет речь в данной работе.

1.ОПИСАНИЕ СХЕМЫ УСТРОЙСТВА БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА

Блокинг-генератор - это автоколебательная система, генерирующая кратковременные импульсы большой скважности. Схема блокинг-генератора представляет собой однокаскадный усилитель с глубокой обратной связью. Для обеспечения обратной связи используются импульсные трансформаторы.

Благодаря такой связи и высоким ключевым качествам транзистора блокинг-генератор, построенный даже на маломощном транзисторе, может генерировать мощные импульсы.

Импульсы блокинг-генератора обладают весьма короткими фронтами и могут иметь длительность от долей микросекунды до долей миллисекунды. Блокинг-генератор позволяет осуществлять трансформаторную связь с нагрузкой, что во многих случаях очень важно.

ОПИСАНИЕ СХЕМЫ

Рис.1. Принципиальная схема блокинг-генератора.

В цепь коллектора включена обмотка трансформатора, осуществляющая обратную связь с цепью базы транзистора путем включения в эту цепь обмотки.

Кроме того в цепь базы включены конденсатор С и резистор смещения R1, величины которых определяют длительность рабочего импульса tu и период автоколебаний Т.

Нагрузка Rн включена с помощью специальной обмотки трансформатора. На базу транзистора подано отпирающее напряжение.

2. РАСЧЕТ СХЕМЫ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА

2.1. Электрический расчет

Выбираем тип транзистора, исходя из условий быстродействия и надежности.

а) Для обеспечения малых длительностей фронта и спада выходного импульса необходимо, чтобы:

= 10 МГц

При выполнении этого условия величины получаются порядка нескольких .

б) Допустимое напряжение на коллекторе транзистора Uкб.доп должно удовлетворять соотношению Uкб.доп ≥ ( Eк + ∆ Uкm )( 1 + nб ). Обычно значение nб лежит в пределах 0,1 – 0,7.

Так как выброс сильно искажает форму выходного сигнала блокинг-генератора, то амплитуда выброса, как правило, не должна превышать 10-30% от амплитуды коллекторного напряжения:

Uк = U'вых = Uвых / nu , т.е. ∆ Uкm = (0,1 0,3) Uк

Напряжение питания выбираем, исходя из равенства Eк = (1,1 1,2) Uк = (1,1 1,2) Uвых / nи = 25 В. Положим nн = 1. Тогда Uкб.доп = ( 1,2 Uвых + 0,3 Uвых) 1,7 = 51 В. Исходя из полученных значений fα и Uкб.доп , выбираем транзистор типа КТ803А, для которого Iкбо <= 50 мА, fα = 10 МГц, Uкб.доп <= 60 В, Iк.доп = 5 А, Cк <= 250 пФ. Определим оптимальное значение коэффициента трансформации nб = 0,4 из формулы:

Длительность фронтов найдем по формуле:

Определяем сопротивление резистора R, приняв по внимание следующее:

а) Во время формирования импульса цепь резистора R должна мало влиять на ток в базовой цепи транзистора. Для этого необходимо, чтобы R >> r'б.

б) Протекание обратного тока закрытого транзистора через резистор R не должно создавать заметного падения напряжения, т.е. R << Eб ­ / (10 IКБO max).

Положив Eб = 1 В, найдем, что величина R = 3 кОм удовлетворяет обоим условиям. При заданной скважности находим требуемую длительность паузы:

Проверим условие Eб >> IКБ0max­R­ и положив ∆Uкт << Eб, определяем емкость конденсатора C из формулы:

Находим

Тогда, подключив добавочный резистор с сопротивлением Rд = 200 Ом, можно по формуле определить индуктивность трансформатора, необходимую для формирования импульса длительностью 1 мкс:

Проверим условие отсутствия влияния нагрузки на длительность импульса по формуле:

Таким образом, нагрузка мало влияет на длительность импульса.

Процесс формирования выброса импульса блокинг-генератора будет апериодическим, если выполняется условие

Определив С0 = 20 пФ на основании формулы:

,

убедимся, что условие выполняется при данных значениях L и С0 , т.е выброс апериодически спадает до нуля. Амплитуда выброса, согласно формуле будет равняться:

Длительность выброса

Для транзистора КТ803А такая амплитуда выброса недопустима, так как:

Следовательно, необходима цепь из диода Дш и резистора Rш , уменьшающая амплитуду выброса до значения:

Вычислим допустимую амплитуду обратного выброса:

Максимальное сопротивление шунтирующего резистора найдем из формулы:

откуда Rш max = 0,75 кОм.

Выбранный тип диода Дш должен удовлетворять условиям:

Iд max = Iμ max = < Iд. доп ,

| Uд.доп | > | Eк |.

Выбираем диод типа Д9Г.

2.1. Выбор и обоснование элементной базы

На основании приведенного выше расчета выбираем элементы (для схемы электрической принципиальной):

  1. В качестве транзистора VТ1 был взят высокочастотный биполярный транзистор КТ803A, со следующими характеристиками:

  • Структура: n-p-n;

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц;

  • Статический коэффициент передачи тока: 10-70;

  • Начальный ток коллектора не более: 5 мА;

  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 80 В;

  • Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

  • Максимально допустима рассеивающая мощность коллектора: 60 Вт.

  1. В соответствии с рассчитанной емкостью схемы, подбираем следующий конденсатор:

С1 = К10-17-2-25 В-160 пФ5%,

удовлетворяющий нашим требованиям и расчетам.

  1. В соответствии с рассчитанными номиналами резисторов имеем:

R1 = 2 кОм: МЛТ-0,125-2кОм2%;

R2 = 1 кОм: МЛТ-0,5-1кОм2%;

R3 = 16 кОм: МЛТ-0,125-16кОм2%;

  1. В соответствии с рассчитанным номиналом резистора нагрузки, в качестве диода VD1 выбираем диод:

VD1 = Д9Г ГОСТ 14342-75.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения данной курсовой работы была рассчитана схема блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме, с заданными характеристиками:

  • сопротивление нагрузки RН = 5 кОм;

  • амплитуда выходных импульсов Uвых = +20 В;

  • длительность импульсов u = 1 мкс;

  • скважность  = 10;

Были рассчитаны и проверены параметры данной схемы.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Расчет импульсных устройств на полупроводниковых приборах.

Под редакцией Агаханяна Т. М.: М, 1973.

  1. Воронков Э.Н. Овечкин Ю.А. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах 1973.

  2. Расчет электронных схем под редакцией Изъюровой Г.И.

  3. Справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры.

  4. Справочник полупроводниковые приборы транзисторы малой мощности. Под редакцией А.В. Голомедова. М: 1989

Наименование

Примечание

Поз. обозначен.

Кол.

ВРЕМЕННЫЕ ДИАГРАММЫ

Соседние файлы в папке docx55