Скачиваний:
9
Добавлен:
04.04.2013
Размер:
1.85 Mб
Скачать

3. Описание стенда.

Работа выполняется на универсальном стенде в лаборатории электроники кафедры Э и Э. Исследуемые цепи собираются на основе одного из блоков стенда (рис. 3) и внешних измерительных приборов: вольтметров, амперметров.

Рис. 3. Блок стенда, на котором выполняется работа.

  1. Рабочее задание.

1. Определение порогового напряжения транзистора "Vto" и крутизны "kp". Снимаются входные вольт-амперные характеристики транзистора IC=f(VЗИ) при напряжении на стоке ‑1 Вольт.

ПРИМЕЧАНИЕ: Все напряжения меньше нуля, тк транзистор р-канальный!!

Заполняется таблица:

№ п/п

1

2

. . .

15

VЗИ

IС

Рис. 4 Снятие входных вольт-амперных характеристик транзистора.

Построить зависимости IC=f(VЗИ)

Определение порогового напряжения "Vto".

На зависимости IC=f(VЗИ) найти такое напряжение, при котором появляется ток порядка ‑10 мкА. Это напряжение будет являться пороговым.

Определение крутизны транзистора "kp".

В программе PSPICE модель МДП-транзистора первого уровня (level=1) использует следующие выражения: в крутой области характеристик - (1), в пологой области:

, (12)

Дифференцируем уравнение (1) по напряжению VЗИ:

. (13)

Принимаем отношение W/L равным 10. На кривой IC=f(VЗИ) выбираем две точки. Получаем DVЗИ и DIC. По этим точкам и выражению (13) находим "kp".

Рис. 5 Определение порогового напряжения Vto и крутизны kp.

2. Снятие выходных вольт-амперных характеристик транзистора IС=f(VСИ) при напряжении на затворе ‑3 Вольта. Снимается зависимости IС от напряжения VСИ.

Рис. 6 Снятие выходных вольт-амперных характеристик транзистора.

Результаты заносятся в таблицу:

№ п/п

1

2

. . .

45

VЗИ

VСИ

IС

Измерения повторяются для напряжений на затворе ‑4 и ‑5 В.

По полученным данным строится график зависимости IС=f(VСИ) при напряжениях на затворе ‑3, ‑4, ‑5 В. Как известно, выходная характеристика МДП транзистора имеет крутой и пологий участки, на каждом из этихучастков необходимо снять по 7 - 8 точек, всего на трех характеристиках получится 45 - 50 точек.

Рис. 7. Определение параметра "lambda" по выходным характеристикам

Для определение параметра "lambda" по выходным характеристикам дифференцируем выражение (11) по напряжению VСИ:

. (14)

На кривой IС=f(VСИ) (соответствующей наибольшему по модулю VЗИ) выбираем две точки. По выражению (14) определяем параметр "lambda".

Требования к отчету по выполняемой работе.

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

  • цель лабораторной работы;

  • схемы измерений характеристик схемы;

  • таблицы экспериментальных данных и графики;

  • описание схемы на входном языке программы PSPICE;

  • расчет параметров модели транзистора и их значения;

  • распечатки графиков входной и выходной характеристик, рассчитанных с помощью программы PSPICE.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.