- •«Операционный микроэлектронный усилитель»
- •Введение. Постановка задачи
- •1. Выбор и обоснование структурной и принципиальной схем оу
- •2. Расчёт принципиальной схемы оу
- •2.1 Последовательность расчёта
- •2.2 Расчёт эмиттерного повторителя
- •2.3 Расчёт дифференциального усилителя
- •2.4 Расчёт формирователя амплитуды
- •3. Расчёт параметров амплитудно-частотной и фазочастотной характеристик и элементов их коррекции
- •4. Принципиальная схема оу и особенности ее практической реализации
- •5. Перечень элементов (компонентов) к принципиальной схеме
- •Заключение
- •Список использованных источников информации
2.3 Расчёт дифференциального усилителя
1) Исходя из заданного дифференциального входного сопротивления, в соответствии с формулой (22) определяют значение рабочего токаI0. Зная этот ток, завершают выполнение поз.9 из п. 2.2:
мкА |
(22) |
(23) |
R9получился отрицательным, значит, в схему его не вводят.
2) На основе принятых значений I0иh21(T1)рассчитывают эквивалентные параметры транзисторной структуры: входное сопротивление(24), крутизну(25), выходную проводимость(26), полагая для микрорежимаm=1,5:
кОм |
(24) |
(25) |
нСм |
(26) |
3) Используя соотношение (27), определяют номинал резистора R4, а затем по формуле (2.28) рассчитывают входное синфазное сопротивлениеRВХ.С, величина которого должна быть больше заданной:
Ом |
(27) |
МОм |
(28) |
Расчетная величина входного синфазного сопротивления больше заданной.
4) Определяют параметры нагрузки ДУ. Для этого, задавая номиналы резисторов R1 = R3 = 1 кОм и значение поправочного коэффициента μ=1,3, а также соблюдая условие идентичности по коэффициентам передачи токапо формулам (29), (30), (31) рассчитывают номинал резистораR2, сопротивление Ri источника сигнала, возбуждающего транзистор T7, выходную проводимость диодно-транзисторной структуры на T3, T4, T7 h*22(T7), а затем и выходное сопротивление ДУ RВЫХ.ДУ:
кОм |
(29) |
(30) |
нСм |
(31) |
МОм |
(32) |
5) Используя вычисленные в поз.2 данного расчёта значения крутизны S(T2*,T6*)и выходной проводимостиh22(T2*,T6*)эквивалентного транзистора T6*и заимствуя значения входной проводимости формирователя амплитуды , по формуле (33) определяют коэффициент передачи дифференциального сигналаKД:
(33) |
6) Производят расчёт коэффициента ослабления синфазного сигнала K*ОСС:
дБ |
(34) |
Коэффициент ослабления синфазного сигнала больше заданного, поэтому нет необходимости вводить дополнительный резистор.
7) Рассчитывают статические параметры ДУ (ОУ): напряжение смещения нуля UСМ 0(35), температурный дрейф смещения нуля(36), средний входной токIВХ(37), разность входных токов ΔIВХ(38), температурный дрейф разности входных токов(39), принимая относительное рассогласование коэффициентов передачи токатранзисторов Т2*и Т6*в пределах от 5 до 15 процентов, а температурный дрейф этого рассогласования примерно 1 процент:
мВ |
(35) |
(36) |
нА |
(37) |
нА |
(38) |
(39) |
8) В завершение расчета элементов схемы ДУ определяют номинал резистора R5по формуле (40):
кОм |
(40) |
2.4 Расчёт формирователя амплитуды
1) Первоначально по формуле (41) при ранее выбранной величине резистора R1определяют номинал резистораR7, удовлетворяющий требованиям согласования по постоянному току уровней напряжений, действующих в статическом режиме на выходе ДУ и входе ФА, а затем – номинал резистораR6(43), используя коэффициентn(42), входные сопротивления транзисторов T13 и T15, соответственноh11(T13)(44) иh11(T15)(45), с помощью которых находят эквивалентное сопротивление нагрузкиRН.П(46), входное сопротивлениеRВХ.П(47) и коэффициент передачиKП(48) повторителя на транзисторе T13:
кОм |
(41) |
(42) |
кОм |
(43) |
кОм |
(44) |
кОм |
(45) |
кОм |
(46) |
МОм |
(47) |
(48) |
2) Полученное значение RВХ.П, обратно пропорциональное входной проводимостиGВХ.ФА = 1/RВХ.П, подставляют в формулу (50) и тем самым завершают количественное определение коэффициента передачи дифференциального сигнала ДУ:
нСм |
(49) |
(50) |
3) Определяют выходное сопротивление повторителя на транзисторе T13 RВЫХ.П(T13)(51), с помощью которого и выходной проводимостиh22(T15)(52) транзистора T15 находят выходную проводимостьh*22(T15)(53) эквивалентной ТС на транзисторе Т15 и резистореR7, а затем – крутизнуS*(T15)(54) последней и выходную проводимостьh22(T'14)(55) транзистора Т'14:
кОм |
(51) |
мкСм |
(52) |
нСм |
(53) |
(54) |
мкСм |
(55) |
4) На основании полученных в предыдущем пункте данных с учётом входной проводимости ЭП определяют коэффициент передачи K'ФАвторого каскада, а также находят коэффициент передачиKФАформирователя амплитуды в целом:
нСм |
(56) |
(57) |
(58) |
5) Определяют выходное сопротивление формирователя амплитуды RВЫХ.ФА(59), значение которого подставляют в формулу (16) и заканчивают этим выполнение п.7 подраздела 2.2, связанного с определением выходного сопротивленияRВЫХ(17) ЭП:
кОм |
(59) |
Ом |
(60) |
Ом |
(61) |
6) Сравнивают полученный путем перемножения коэффициентов передачи ДУ для дифференциального сигнала KД, формирователя амплитудыKФАи ЭПKЭП. Результирующий коэффициент передачи ОУK*U(62) сравнивают с заданнымс учётом производственного запаса:
(62) |
Как видно из полученных данных, K*U большеKU, откуда следует, что заданный коэффициент передачи ОУ успешно достигнут с производственным запасом примерно в 15 раз.