Kolos1
.pdf
№11
№ 12
Решение:
Тока рекомбинации не будет, если это идеализированный диод.
( )
Iут- ток утечки не учитываем.
( |
) |
|
|
|
|
|
|||
( |
) |
|
|
. |
|
|
№ 13
Задача 14
Кремневый n-p-n транзистор. Дано: |
, , . Определить эффективность эммитера . |
Решение:
Задача 19:
Дано Напряжение Эрли(Ua), Ток базы I(б), β(N).Определить Решение:
№ 20
№ 21
№ 22
Задача 23
Для какой из схем Включения б/ п транзистора ОЭ или ОБ на НЧ коэффициэнт усиления по мощности больше? Почему?
Решение:
26.
I=Is(exp(q(U-IRб)/kT) – 1) –ток инжекции.
Is=Isp+Isn -ток насыщения дырок и электронов.
Isp=S(q Dp/NdLp) Isn=S(q Dn/NaLn) Ln, Lp – диффузионная длина электронов и дырок.
Ln=√ Lp=√
– для кремния 10^20
Поскольку p+-n переход => высокая инжекция=>необходимо учитывать сопротивление базы.
См. график зависимости удельного сопротивления от концентрации заряда. Необходимо знать Wб либо Wб=Lp., Ln, Dn, tn.
Nd определяет подвижность электронов, Na –подвижность дырок.