Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Kolos1

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
2.91 Mб
Скачать

№11

№ 12

Решение:

Тока рекомбинации не будет, если это идеализированный диод.

( )

Iут- ток утечки не учитываем.

(

)

 

 

 

 

 

(

)

 

 

.

 

 

№ 13

Задача 14

Кремневый n-p-n транзистор. Дано:

, , . Определить эффективность эммитера .

Решение:

Задача 19:

Дано Напряжение Эрли(Ua), Ток базы I(б), β(N).Определить Решение:

№ 20

№ 21

№ 22

Задача 23

Для какой из схем Включения б/ п транзистора ОЭ или ОБ на НЧ коэффициэнт усиления по мощности больше? Почему?

Решение:

26.

I=Is(exp(q(U-IRб)/kT) – 1) –ток инжекции.

Is=Isp+Isn -ток насыщения дырок и электронов.

Isp=S(q Dp/NdLp) Isn=S(q Dn/NaLn) Ln, Lp – диффузионная длина электронов и дырок.

Ln=√ Lp=√

– для кремния 10^20

Поскольку p+-n переход => высокая инжекция=>необходимо учитывать сопротивление базы.

См. график зависимости удельного сопротивления от концентрации заряда. Необходимо знать Wб либо Wб=Lp., Ln, Dn, tn.

Nd определяет подвижность электронов, Na –подвижность дырок.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]