3. Для электрического поля

Расстояние от источника помех до экрана r – 1 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.12 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.13 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 10 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.14 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.15 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 100 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.16 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.17 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 1000 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.18 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.19 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электрического поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

4. Основные результаты по разделу

Вычислена эффективность экранирования электрического, магнитного и электромагнитного полей в диапазоне частот от 10 кГц до 1 ГГц пластинами алюминия и сплава магния толщиной 1,5–4,0 мм для разных расстояний от источника до пластины. Приведены результаты моделирования, полезные для оценок эффективности экранирования бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Моделирование проводилось для электромагнитного, электрического, магнитного полей. Получено большое количество (216) частотных зависимостей ЭЭ. Для всех параметров при частотах выше 1МГц ЭЭ довольно велика, составляет сотни децибел, значительно увеличивается с дальнейшим ростом частоты. С уменьшением частоты ЭЭ снижается, и поэтому для оценки порядка величин наихудшего случая значения ЭЭ приведены в табл. 1.1

Как видно из табл. 1.1, ЭЭ минимальна на низкой частоте. Причем для электромагнитного поля она остаётся довольно высокой, но переход от алюминия к сплаву магния уменьшает ЭЭ на 16–23 дБ с ростом толщины. Для электрического поля ЭЭ значительно выше, несмотря на её уменьшение пропорционально расстоянию, а переход от алюминия к сплаву магния уменьшает ЭЭ на ту же разницу, что и для электромагнитного поля. Наименьшее значение имеет ЭЭ магнитного поля, причем переход от алюминия к сплаву магния уменьшает ЭЭ на 8–23 дБ с ростом толщины и расстояния. Из табл. 1.2 можно сделать количественные оценки для наихудшего случая. Примечательно, что для электрического поля появляется низкочастотный участок спада ЭЭ с ростом частоты из-за резкого ухудшения удельной проводимости сплава магния по сравнению с алюминием. Однако значение ЭЭ остается довольно большим.

Таким образом, переход от алюминия к более легкому сплаву магния ухудшит экранирование. Этот переход может оказаться критичным для экранирования низкочастотного магнитного поля. Таким образом, источники больших токов вблизи плоского экрана могут влиять на низкоомные контуры за экраном, и полезно тщательное моделирование таких структур.