Министерство образования и науки Российской Федерации

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Лабораторная работа №1

Вычисление эффективности экранирования пластиной и корпусом

Выполнил студент гр.1..

_________________

Проверил:

_________________ М.Е. Комнатнов

2012

СОДЕРЖАНИЕ

1. Эффективность экранирования плоским металлическим экраном 3

1.1 Для электромагнитного поля 4

1.2 Для магнитного поля 5

1.3 Для электрического поля 9

1.4 Основные результаты по разделу 14

2. Эффективности экранирования корпуса в форме параллелепипеда с щелью 15

2.1 Создание модели 16

2.2 Эффективность экранирования УЭМ размером 270×140×25 17

2.2.1 Корпус с верхней щелью 17

2.2.2 Корпус с боковой щелью 18

2.3 Основные результаты по разделу 19

1. Эффективность экранирования плоским металлическим экраном

В данной лабораторной работе [¹] рассматриваем однородный плоский металлический экран при нормальном падении на него волны, распространяющейся вдоль оси y (рис. Error: Reference source not found).

Рисунок  Рисунок 1.1 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана

Тип металла экранирующей пластины сплав магния МА2-1 (σ=8,310⁶См/м). Толщина экрана варьируется от 0,5 мм до 3,0 мм с шагом 0,5 мм. Расстояние от источника помех до экрана, для оценки разных реальных вариантов, выбрано равным 1; 10; 100, 1000 мм. Частота источника помех варьировалась от 10 кГц до 1 ГГц в двух диапазонах частот: 10, 20, …, 1000 кГц; 10, 20, …, 1000 МГц.

Цель данной работы – изучение написания команд в программе TALGAT. Вычисление ЭЭ пластиной при изменении расстояния от источника помех до экрана, для трех компонент поля электрического, магнитного и электромагнитного.

Исходные данные:

Материал – сплав магния МА2-1 (σ=8,310⁶См/м);

Толщина экрана (t, м) – 0,5 мм; 1 мм; 1,5 мм; 2 мм; 2,5 мм; 3 мм;

Расстояние от источника помех до экрана (r, м) – 1 мм; 10 мм; 100 мм; 1м;

Для вычисления эффективности экранирования в системе TALGAT необходимо использовать следующие команды: для электромагнитного поля - SEem_PLATE, для электрического поля - SEe_PLATE и магнитного поля - SEm_PLATE.

Пример использования команды в системе TALGAT.

ECHO TO_STRING SEem_PLATE 1e+4. 0.0015 1. 83e+5

ECHO TO_STRING SEe_PLATE 1e+4. 0.0015 1. 83e+5 0.001.

ECHO TO_STRING SEm_PLATE 1e+4. 0.0015 1. 83e+5 0.001.

1. Для электромагнитного поля

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.2 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электромагнитного поля в САПР TALGAT на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.3 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для электромагнитного поля в САПР TALGAT на частотеf₂

2. Для магнитного поля

Расстояние от источника помех до экрана r – 1 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.4 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.5 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 10 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.6 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.7 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 100 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.8 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.9 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₂

Расстояние от источника помех до экрана r – 1000 мм;

В диапазоне частот f₁= 110⁴, 2010⁴…110⁶Гц;

Рисунок  Рисунок 1.10 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₁

В диапазоне частот f₂= 110⁶, 1010⁶…110⁹Гц;

Рисунок  Рисунок 1.11 – Анализируемая модель плоского однородного металлического экрана из алюминия при изменении толщины, для магнитного поля в САПР TALGAT, на частотеf₂