
Содержание:
1. Физические принципы работы гелий- неонового лазера 2
2. Особенности конструкции гелий- неонового лазера, технические характеристики. 5
3. Применение гелий- неонового лазера. 7
1. Физические принципы работы гелий- неонового лазера
(He-Ne)-лазер является типичным и наиболее распространенным газовым лазером. Это был первый газоразрядный лазер, на котором в конце 1960 г. была получена генерация в инфракрасной области на длине волны 1,15 мкм. Особую популярность он получил, когда была осуществлена генерация в видимой (красной) области спектра (А = 0,63 мкм). За прошедшее время он превратился из экзотического лабораторного прибора в обычный инструмент, используемый практически во всех областях науки, техники и даже искусства.
Схема работы (Не-Ne)-лазера,
представленная на рис. 1, а общих чертах
соответствует схеме рис. 2. Первые
возбужденные состояния атома гелия 2
и 2
образуются электронной конфигурацией
1
и расположены выше основного состояния
1
на расстояний 19,82 и 20,61 эВ соответственно.
Оптические переходы в основное состояние
запрещены, и потому они являются
метастабильными состояниями, хорошо
накапливая энергию, получаемую при
возбуждении электронным ударом. Времена
жизни 2
и 2
составляют 10
с
и 5*10
с
соответственно.
Система энергетическиx уровней атома
неона несколько сложнее, чем гелия.
Основное состояние
отвечает замкнутой оболочке 1
. Нижним возбужденным состояниям
соответствует переход одного электрона
2р в состояние 3s, т.е. электронная
конфигурация 1
.
Оптические переходы как между этими
состояниями, так и в основное состояние
запрещены в дипольном приближении.
Важно, что верхние уровни 2S
и 3S
по энергии расположены близко к уровням
2
и 2
атома гелия. Дефицит энергии примерно
равен 35 мэВ.
Кроме уровней, образуемых электронными
конфигурациями
,
в Ne имеются уровни, отвечающие переходу
одного электрона в Зр-, 4p-...состояния.
Каждой из электронных конфигураций
и
соответствует группа уровней, обозначаемая
для краткости 2Р и ЗР. Каждая группа
состоит из 10 уровней, нумеруемых по мере
уменьшения энергии от 1 до 10. Оптические
переходы между s- и р- состояниями
разрешены (точнее, из 40 возможных
комбинаций разрешены 30). При этом время
жизни 2S-и 3S-состояний ( τ
≈0,1 мкc) на порядок превышает
время жизни 2Р- и ЗР- состояний (τ ≈0,01
мкс). Это позволяет получить инверсную
населенность между уровнями 2S—2P, 3S—3P
и 35—2Р при электрическом разряде в
чистом неоне. (Это справедливо и для
других благородных газов — Аг, Хе и Кг.)
Добавление к неону большого количества
гелия обеспечивает селективное заселение
верхних рабочих уровней 2S
и 3S, увеличивает инверсию
и существенно облегчает получение
генерации.
Таким образом, в (Не — Ne) лазере Не выполняет функцию вспомогательного газа, a Ne — рабочего в соответствии с общей схемой рис. 2. Однако его работа осуществляется не по четырехуровневой, как на рис. 2, а по трехуровневой схеме: накачка производится на верхний рабочий лазерный уровень. Усиление и генерация возможны на трех группах переходов, обозначенный я, б и в на рис.1. Им соответствуют длины волн 3,39; 0,63 и 1,15 мкм. В этих группах наиболее сильными являются следующие переходы: 3S2 — ЗР4 (λ= 3,3913 мкм); 3S2 — ЗP4 (λ = 0,63282 мкм) и 2S2 — 2Р4 (λ= 1,15228 мкм). Наибольшее усиление — до 20 дБ/м — может быть получено для переходов в области 3,39 мкм. Переходам в области 1,15 и 0,63 мкм соответствуют значительно меньшие усиления — 10...20%/м и 5...6%/м. Для того чтобы осуществить генерацию на этих переходах, необходимо в резонаторе применять селективные зеркала, обладающие большим коэффициентом отражения в заданной области и большими потерями (малым отражением) в области конкурирующих переходов. Наиболее капризен в этом отношении переход 3S2 — 2Р4, поскольку верхнее рабочее состояние для него совпадает с верхним рабочим состоянием самого сильного 3S2 — 3Р4-перехода. Поэтому получить генерацию в области 0,63 мкм в (Не — Ne) лазере наиболее сложно.
Опустошение нижних лазерных уровней ЗР и 2Р в (He-Ne) лазере происходит далеко не оптимальным образом. Эти уровни быстро (что хорошо) опустошаются за счет излучательных переходов в 1S-состояния, которые являются долгоживущими (что плохо). В состоянии 1S, расположенном на 16 эВ выше основного состояния, происходит накопление частиц. Это весьма нежелательно, ибо из состояния 1S велики вероятности переходов в состояния 2Р и 3Р при столкновении с электронами, согласно реакции. Переход атома неона из состояний 1S в основное состояние, как правило, происходит при его столкновении со стенками сосуда, т. е. за счет медленных процессов диффузии к стенкам. По этой причине работа (Не-Nе) лазера критична к диаметру разрядной трубки D и не допускает применения трубок с D> 10 мм.