Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Южно-Уральский Государственный Университет»

Факультет «Энергетический»

Кафедра «ЭСИС»

Магниторезистивная оперативная памятьрефератпо дисциплине«Информатика»

Проверил, (доцент) _______________ /Башмакова Н.Ю./ _______________ 20__г. Автор работы студент группыЭ-164_______________ /Кулагин А.Д./ _______________ 20__г. Реферат защищён с оценкой (прописью, цифрой) _____________________ _______________20__г.

Аннотация

Кулагин А.Д.Магниторезистивная оперативная памятьЭ-16413

Цель реферата – отразить процесс энергонезавсемости при отсутствии внешнего питания.

Задачи реферата – изучить свойства и назначения запоминающего устройства с произвольным доступом MRAM.

Оглавление

1 Введение 4

2 История создания технологии MRAM 5

3 Свойства магниторезистивной памяти 5

3.1 Преимущества 5

3.2 Недостатки 5

3.2.1 Сравнительные характеристики основных типов памяти 6

4 Структура и функционирование битовых ячеек MRAM 6

5 Микросхема памяти MR2A16A 8

5.1 Функции выводов MR2A16A 8

6 Области применения энергонезависимой памяти MRAM 9

7 Перспективы развития 10

8 Заключение 12

9 Библиографический список 13

1. Введение

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.

Важнейшее преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию при отсутствии внешнего питания.

2. История создания технологии mram

История создания магниторезистивной памяти MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) насчитывает уже не один десяток лет. В частности, в России также проводились работы по созданию магниторезистивной памяти для применения в военной и аэрокосмической областях. Однако практически все попытки создания серийной памяти MRAM не приводили к появлению надежного продукта, пригодного для серийного производства.

Такие крупные фирмы, как IBM, Cypress, Toshiba, Renesas, Hitachi, Mitsubishi, Motorola и др., работали над созданием памяти более 10 лет. Компания Motorola приступила к исследованиям в области магниторезистивных структур в 1995 г. совместно с агентством перспективных исследований МО США (DARPA US). После отделения всего сектора полупроводниковых компонентов от Motorola в 2004 г. уже независимая компания Freescale Semiconductor продолжила работы по доведению продукта до серийного производства. В результате 10 июля 2006 г. был анонсирован законченный коммерческий продукт, использующий технологию MRAM, — автономный модуль MR2A16A с объемом памяти 4 Мбит.

Магниторезистивная память является революционной технологией, обладающей всеми необходимыми свойствами для того, чтобы стать действительно универсальной. Кроме того, она имеет ряд уникальных особенностей, открывающих широкие рыночные перспективы.

3. Свойства магниторезистивной памяти

   1. Преимущества

• энергонезависимость;

• высокое быстродействие;

• не требуется регенерация ячеек.

1. Недостатки

• сложности с существующими способами записи;

• большой размер ячейки памяти, из-за технологии записи;

• высокое энергопотребление по той же причине.