ОКПРЭС - ЛР2
.docxФедеральное агентство связи
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Московский Технический Университет Связи и Информатики
(МТУСИ)
Кафедра радиооборудования и схемотехники
Лабораторная работа №2
Исследование усилителя в режиме анализа схем по постоянному току
Выполнила
студентка группы БРА1101
Тюрина А.В.
Проверили
Кубицкий А.А.
Долин Г.А.
Москва 2013
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Ознакомиться с методикой компьютерного моделирования режимов работы электронных усилителей по постоянному току. Изучить способы установки и подстройки режимов работы УЭ по постоянному току при компьютерном моделировании и методику оценки постоянных токов, напряжений и мощностей в исследуемой схеме.
ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ
Принципиальная схема усилителя:
1. Постоянные напряжения в усилителе:
Табл.1
|
Uбэ1 |
Uкэ1 |
Uсм=UR3 |
Uкэ2 |
Uкэ3 |
|
910.679m |
5.607 |
7.172 |
24 |
6.39 |
2. Постоянные токи усилителя:
Табл.2
|
Iб1 |
Iк1 |
Iб2 |
Iк2 |
Iб3 |
Iк3 |
|
1.957m |
195.679m |
13.851u |
1.385m |
13.851u |
1.399m |
3. Мощности элементов усилителя:
Табл.3
|
pdR1 |
pdR2 |
pdR3 |
pdVT1 |
pdVT2 |
pdVT3 |
pgV2 |
|
45.179m |
3.293 |
306.258m |
1.099 |
24.403m |
8.861m |
4.776 |
4. Состояния транзисторов:
Табл.4
|
VT1 |
VT2 |
VT3 |
|
HOT |
LIN |
LIN |
5. Изменение параметров схемы при изменении V2 на 3 Вольта:
Табл.5
|
Uбэ1 |
Uкэ1 |
Uсм=UR3 |
Uкэ2 |
Uкэ3 |
|
907.084m |
4.994 |
6.356 |
21 |
5.675 |
Табл.6
|
Iб1 |
Iк1 |
Iб2 |
Iк2 |
Iб3 |
Iк3 |
|
1.703m |
170.284m |
273.406n |
27.342u |
273.416n |
27.616u |
Табл.7
|
pdR1 |
pdR2 |
pdR3 |
pdVT1 |
pdVT2 |
pdVT3 |
pgV2 |
|
34.214 m |
2.494 |
231.959m |
851.906m |
419.207u |
155.35u |
3.612 |
6. Изменение параметров схемы при изменении параметров группы резисторов R1 и R2:
Табл.8
|
Uбэ1 |
Uкэ1 |
Uсм=UR3 |
Uкэ2 |
Uкэ3 |
|
910.029m |
200.928m |
1.742 |
21 |
971.233m |
Табл.9
|
Iб1 |
Iк1 |
Iб2 |
Iк2 |
Iб3 |
Iк3 |
|
2.009m |
192.585m |
8.599u |
859.898u |
8.599u |
868.496u |
Табл.10
|
pdR1 |
pdR2 |
pdR3 |
pdVT1 |
pdVT2 |
pdVT3 |
pgV2 |
|
40.36 m |
3.709 |
296.684m |
40.523m |
17.229m |
841.779u |
4.105 |
7. Изменение параметров схемы при изменении параметра резистора R3
Табл.11
|
Uбэ1 |
Uкэ1 |
Uсм=UR3 |
Uкэ2 |
Uкэ3 |
|
909.693m |
189.157m |
2.19 |
21 |
1.19 |
Табл.12
|
Iб1 |
Iк1 |
Iб2 |
Iк2 |
Iб3 |
Iк3 |
|
2.009m |
188.099m |
63.037m |
6.304 |
63.037 |
6.367 |
Табл.13
|
pdR1 |
pdR2 |
pdR3 |
pdVT1 |
pdVT2 |
pdVT3 |
pgV2 |
|
40.362 m |
3.538 |
250.246m |
37.405m |
124.942 |
7.562 |
136.37 |