
- •1. Первичные преобразователи (датчики)
- •Измерения. Основные понятия
- •Метрологические характеристики
- •2. Схемы формирования сигналов пассивных датчиков
- •Потенциометрические схемы с резистивными датчиками
- •Дифференциальное включение датчиков
- •Использование мостовых схем
- •Расчёт мостового чувствительного элемента
- •Емкостные преобразователи перемещений
- •3. Разомкнутая и замкнутая структура измерительных устройств для датчиков
- •4. О физических свойствах веществ и эффектах в них, использованных в изделиях мст. Понятие тензора
- •О тензорном описании физических свойств кристаллов
- •Тензорное описание воздействий на кристалл (электрические, механические и тепловые воздействия) Электрическое воздействие
- •Механические воздействия
- •Тепловое расширение
- •5. Взаимная связь физических свойств и явлений в кристаллах
- •Пироэлектрический эффект
- •Пьезоэлектрический эффект
- •Историческая справка
- •Пьезоэлектрические материалы
- •6. Тензорезисторы
- •Конструкции тензорезисторов
- •7. Микросистемные датчики давления
- •8. Датчики ускорения, вибрации, удара, положения
- •Акселерометры
- •9. Вибрационные гироскопы
- •О применении микроакселерометров и гироскопов
- •10. Субмикронные магнитные сенсоры
- •Гигантское магнитное сопротивление (гмс)
- •11. Микросенсоры расхода (газа, жидкости)
- •12. Микронасосы
- •Клапанные микронасосы
- •Пьезоэлектрический возбудитель
- •Двухклапанный поршневой насос
- •Термопневматический микронасос
- •Бесклапанные микронасосы
- •Электрические микронасосы
- •13. Термоэлектрические сенсоры температуры
- •2. Резистивные сенсоры температуры
- •3. Полупроводниковые сенсоры температуры
- •4. Пьезоэлектрические датчики температуры
- •5. Использование сенсоров температуры в комбинации с другими преобразователями
- •5.1. Каталические сенсоры концентрации газов
- •5.2. Тепловые расходомеры
- •5.3. Акселерометры с нагревом газа
- •6. Бесконтактное измерение температуры
- •6.2. Принцип действия приемников теплового излучения
- •6.3. Сенсоры излучения на основе термоэлектрического и терморезистивного эффектов
- •6.4. Пироэлектрические датчики ик - излучения
- •6.5. Термопневматические детекторы
- •14. Характерные черты кристаллической структуры и виды химических связей
- •2. Описание структуры кристаллов. Пространственная решетка
- •3. Структура алмаза
- •4. Связь свойств кристаллов кремния со структурой его кристаллической решетки
- •5. Механические свойства монокристаллического кремния
- •6. Травление – один из способов формообразования при изготовлении элементов мст
4. О физических свойствах веществ и эффектах в них, использованных в изделиях мст. Понятие тензора
Вы изучили курс материалов, где в основном рассматриваются их свойства. Останавливались мы также на структуре кристаллической решетки, в частности рассматривали свойства кристаллов кремния в связи с его структурой. Уже ясно, что это важно в технологии (например: при анизотропном травлении), но это – одна сторона вопроса. В МСТ широко используются разнообразные физические эффекты в материалах, в том числе кристаллах. В частности, физические эффекты широко используются в сенсорике, при создании датчиков, где решающую роль играют эффекты, связанные с преобразованием одной физической величины в другую, которая легче измеряется. Широко (и не только для создания сенсоров) используются оптические эффекты в кристаллах в их связи с деформацией кристаллов, например, за счет ультразвуковых колебаний. Таких эффектов – многие десятки и далеко не все из них используются. Мы ограничимся кратким изложением подходов к описанию таких эффектов и нескольких примеров. Полнее они изучаются, например, в кристаллофизике, хотя некоторые из них имеют место и в аморфных материалах.
О тензорном описании физических свойств кристаллов
Вследствие анизотропии свойств кристаллов явление, вызванное в кристалле каким либо воздействием (т.е. реакция кристалла на это воздействие) не совпадает по направлению с этим воздействием. Вообще связь между воздействием, направленным на какое-то свойство кристалла и явлением (реакций кристалла) представляет соотношением
Явление = свойство ·воздействие.
Если воздействие и реакции на него скалярны, то и соответствующее свойство изотропно (скалярно). Простейший пример: связь плотности и температуры. Здесь бессмысленно говорить о направлении. Значение скаляра полностью определяется заданием одного числа. Скаляры можно назвать тензорами нулевого ранга. Такие величины не меняются при переходе от одной системы координат к другой.
Векторы – (тензоры 1-го ранга) представляют физические величины, которые могут быть определены только по отношению к направлению. Пример: механическая сила, приложенная в некоторой точке, будет определена как величиной, так и направлением. Векторами является напряженность электрического и магнитного поля, момент магнитного диполя, градиент температуры и пр.
В прямоугольной системе координат вектор задается компонентами вектора вдоль координатных осей, т.е.
E = (E1,E2,E3).
Вектор называется тензором первого ранга. Операции с векторами являются предметом векторного анализа (правила скалярного и векторного произведения, понятия градиента, дивергенции, ротора и пр.).
Тензоры второго ранга. Понятие вектора можно расширить. Рассмотрим пример с плотностью электрического тока сначала в изотропной среде. Если к проводнику приложено электрическое поле E, то плотность j (тоже вектор) пропорциональна E и совпадает по направлению с вектором E, т.е.
j =τ E,
где τ - электропроводность. (Предполагается, что закон Ома справедлив).
В координатах x1, x2, x3
j = [j1,j2,j3] и E = [E1,E2,E3],
причем
j1 = τ E1, j2 = τ E2, j3 = τ E3.
Каждая компонента j пропорциональна соответствующей компоненте E.
Теперь поговорим о кристалле, анизотропном по электропроводности, это значит, что электропроводность зависит от направления и векторы E и j не будут совпадать по направлению, т.е.
j1 = τ11 E1 + τ12 E2 + τ13 E3,
j2 = τ21 E1 + τ22 E2 + τ23 E3,
j3 = τ31 E1 + τ32 E2 + τ33 E3.
Здесь τ11, τ12 ..... константы (их 9). Каждая компонента j линейно зависит от всех трех компонент E.
В частности, если поле приложено вдоль одной из осей, например, x1, т.о.
E = (E1,0,0),
причем
j1 = τ11 E1,
j2 = τ21 E1,
j3 = τ31 E1.
Т.е. вектор j все равно имеет составляющие по всем трем осям.
Т.о., чтобы определить электропроводность анизотропного кристалла необходимо задать девять коэффициентов вида τ11 , τ12 , … .
Для удобства их можно записать в виде квадратной таблицы:
τ11 τ12 τ13
τ21 τ22 τ23
τ31 τ32 τ33.
Такая таблица называется тензором второго ранга; τ11 , τ12 , τ13 составляют компоненты тензора.
В результате получим три типа величин:
а) Тензор нулевого ранга (скаляр), определяется единственным числом, не зависящим от системы координат.
б) Тензор первого ранга (вектор), определяется тремя числами (компонентами), связанными с осями координат.
в) Тензор второго ранга определяется девятью числами (компонентами) каждое из которых связано с парой осей координат, взятых в определенном порядке.
При этом число индексов равно рангу тензора. Приводят также тензоры третьего и четвертого рангов, о них позже. Все сказанное справедливо не только для электропроводности.
В общем случае, если свойство Т связывает два вектора p(p1,p2,p3) и g(g1,g2,g3),
таким образом, что
p1 = T11 g1 + T12 g2 + T13 g3,
p1 = T21 g1 + T22 g2 + T23 g3, (8)
p1 = T31 g1 + T32 g2 + T33 g3.
где T11, T12,….- константы, то говорят, что T11, T12,…. образуют тензор второго ранга.
Т11 T12 T13
T21 T22 T23
T31 T32 T33
В таблице 5 приведены некоторые примеры свойств, описываемых тензорами второго ранга.
Таблица 5
Тензорное свойство |
Воздействие |
Явление, эффект |
Удельная электропроводность
Коэффициенты теплопроводности
Диэлектрическая проницаемость
Диэлектрическая восприимчивость
Магнитная проницаемость
Магнитная восприимчивость |
Напряженность электрического поля
Температурный градиент
Напряженность электрического поля
То же
Напряженность магнитного поля
То же |
Плотность электрического тока
Плотность теплового потока
Электрическая индукция
Диэлектрическая поляризация
Магнитная индукция
Намагниченность |
Сокращенная запись.
Уравнение (8) можно записать в виде:
p1 =∑3j=1 Tij gj,
p2 =∑3j=1 Tij gj, (9)
p3 =∑3j=1 Tij gj,
или еще компактнее
pi =∑3j=1 Tij gj (I =1,2,3). (10)
Теперь опустим знак суммирования
pi = Tij gj, (i, j =1,2,3 , (11)
введя правило суммирования (по Эйнштейну): если в одном и том же члене индекс (j) повторяется дважды, то автоматически подразумевается суммирование по этому индексу.
Индекс j в уравнениях (8) – (11) называется индексом суммирования (немым индексом), индекс i называется свободным.
В уравнении, записанном в сокращенной форме, свободные индексы должны быть одинаковы во всех членах уравнения в обеих его частях, а индексы суммирования должны встречаться по два раза в каждом члене суммы.
Можно сказать, что индексы суммирования суммируют соотношение между векторами p и g в кристалле. Выражение (11) для изотропного кристалла упрощается:
pi = T gj, (12)
где T= const.
Сокращенно тензор, характеризующий свойство кристалла, обозначают [Tij],
иногда скобки опускают: Tij . Точно также вместо p(p1,p2,p3) обозначают [pi] или просто pi.
Важный для практики вопрос о преобразовании координат тензора мы не рассматриваем.