
- •1. Первичные преобразователи (датчики)
- •Измерения. Основные понятия
- •Метрологические характеристики
- •2. Схемы формирования сигналов пассивных датчиков
- •Потенциометрические схемы с резистивными датчиками
- •Дифференциальное включение датчиков
- •Использование мостовых схем
- •Расчёт мостового чувствительного элемента
- •Емкостные преобразователи перемещений
- •3. Разомкнутая и замкнутая структура измерительных устройств для датчиков
- •4. О физических свойствах веществ и эффектах в них, использованных в изделиях мст. Понятие тензора
- •О тензорном описании физических свойств кристаллов
- •Тензорное описание воздействий на кристалл (электрические, механические и тепловые воздействия) Электрическое воздействие
- •Механические воздействия
- •Тепловое расширение
- •5. Взаимная связь физических свойств и явлений в кристаллах
- •Пироэлектрический эффект
- •Пьезоэлектрический эффект
- •Историческая справка
- •Пьезоэлектрические материалы
- •6. Тензорезисторы
- •Конструкции тензорезисторов
- •7. Микросистемные датчики давления
- •8. Датчики ускорения, вибрации, удара, положения
- •Акселерометры
- •9. Вибрационные гироскопы
- •О применении микроакселерометров и гироскопов
- •10. Субмикронные магнитные сенсоры
- •Гигантское магнитное сопротивление (гмс)
- •11. Микросенсоры расхода (газа, жидкости)
- •12. Микронасосы
- •Клапанные микронасосы
- •Пьезоэлектрический возбудитель
- •Двухклапанный поршневой насос
- •Термопневматический микронасос
- •Бесклапанные микронасосы
- •Электрические микронасосы
- •13. Термоэлектрические сенсоры температуры
- •2. Резистивные сенсоры температуры
- •3. Полупроводниковые сенсоры температуры
- •4. Пьезоэлектрические датчики температуры
- •5. Использование сенсоров температуры в комбинации с другими преобразователями
- •5.1. Каталические сенсоры концентрации газов
- •5.2. Тепловые расходомеры
- •5.3. Акселерометры с нагревом газа
- •6. Бесконтактное измерение температуры
- •6.2. Принцип действия приемников теплового излучения
- •6.3. Сенсоры излучения на основе термоэлектрического и терморезистивного эффектов
- •6.4. Пироэлектрические датчики ик - излучения
- •6.5. Термопневматические детекторы
- •14. Характерные черты кристаллической структуры и виды химических связей
- •2. Описание структуры кристаллов. Пространственная решетка
- •3. Структура алмаза
- •4. Связь свойств кристаллов кремния со структурой его кристаллической решетки
- •5. Механические свойства монокристаллического кремния
- •6. Травление – один из способов формообразования при изготовлении элементов мст
3. Структура алмаза
Решетку алмазного типа имеют важнейшие элементарные полупроводники, принадлежащие к IV группе периодической системы элементов: германий, кремний, а также серое олово.
Все
связи в структуре алмаза направлены по
<111> и составляют друг с другом 10928’.
Каждый атом окружен четырьмя такими же
атомами, располагающимися по вершинам
тетраэдра (рис.7).
В результате пространственная решетка формируется в форме, фрагмент которой приведен на рис.8. В ней можно выделить кубическую элементарную ячейку,
представленную на рис.9. Такая ячейка не является примитивной. Внутри ее находятся четыре атома, связанные с атомами, расположенными на углах куба, а также в середине его граней. На одну элементарную ячейку приходится 8 атомов: в вершинах куба 81/8, на гранях 61/2 и внутри ячейки четыре. Координаты базиса [[000]], [[0,1/2,1/2]], [[1/2,0,1/2]], [[1/2,1/2,0]], [[1/4,1/4,1/4]], [[1/4,3/4,3/4]], [[3/4,1/4,3/4]], [[3/4,3/4,1/4]]. На рис.8 ясно видно, что структура, являясь однородной, должна быть анизотропной, т.е. ее свойства в различных направлениях неодинаковы. Так, в структуре четко видны шестисторонние «каналы» в направлениях <111>, проходящие насквозь. По этим каналам особо легко идет диффузия примесей в кристалле.
Другие проявления анизотропных свойств полупроводников типа алмаза обсуждаются ниже. Их основные характеристики приведены в табл. 1.
Таблица 1
Характеристики элементарных полупроводников
со структурой типа алмаза
Элемент |
Параметр решетки, Å |
Температура плавления, С |
Ширина запрещенной зоны, эВ |
Алмаз Кремний Германий Серое олово |
3,57 5,43 5,68 6,49 |
- 1420 936 232 |
5,6 1,21 0,78 0,08 |
4. Связь свойств кристаллов кремния со структурой его кристаллической решетки
В кристаллографии существует закон, по которому важнейшие по развитию и частоте встречаемости грани кристалла совпадают с плоскостями, наиболее густо покрытыми атомами. Эти же грани проще всего выявляются анизотропными травителями. Этим же объясняется неодинаковая твердость кристалла на разных гранях и по разным направлениям. Количество атомов, приходящихся на единицу поверхности плоской сетки, называются ее плотностью. Важнейшие грани кристалла совпадают с плотнейшими плоскими сетками.
Кроме плотности сеток иногда учитывают также интенсивность сил связи между атомами в различных направлениях, приходящихся на единицу площади сетки. Как правило, выводы об анизотропных свойствах кристалла, получающиеся при обоих подходах, непротиворечивы.
Проанализируем с этой точки зрения структуру кристалла кремния, соответствующую структуре алмаза. На рис.10 представлена элементарная ячейка в виде куба, выделенная в КР кремния. По существу она не отличается от кубической ячейки, изображенной на рис.9, но в ней опущены обозначения сязей между атомами и она более удобна для анализа плоских сеток в структуре КР. Для наглядности тетраэдр, образованный внутренними атомами ячейки, обозначен пунктиром.
Рис.9.
Модель кристаллической решетки
алмазоподобного типа
Одна из граней куба совпадает с плоской сеткой ABCD, соответствующей плоскости (100); она изображена на рис.11.
Можно
подсчитать, сколько атомов приходится
на единицу поверхности такой сетки.
Если сторона квадрата (постоянная
решетки) равна а, то его площадь равна
а2.
Один атом, находящийся в середине
квадрата, плоскостью принадлежит ему.
Четыре атома, расположенные по вершинам
квадрата, принадлежат ему частично.
Каждый из них входит также в состав трех
квадратов, примыкающих к рассматриваемому
в плоской сетке. Таким образом, на долю
каждого из четырех смежных квадратов
в плоскости (100) приходится четвертая
часть атома, расположенного в общей
вершине. Поскольку вершин четыре, то на
площадь рассматриваемого квадрата
приходится четыре четвертых атомов,
расположенных на вершинах, т.е. всего
один атом. С учетом атома, расположенного
в центре квадрата, получаем два атома
на рассматриваемой грани куба, и плотность
плоской сетки, отвечающей грани (100),
равна 2/а2.
Плоская
сетка, соответствующая грани (110), на
рис.10, совпадает с прямоугольником AFGD.
Отдельно ячейка такой сетки изображена
на рис.12. Площадь прямоугольника,
соответствующего этой сетке, равна
а22.
На эту площадь целиком приходится два
атома, находящиеся внутри прямоугольника,
четыре четверти атомов, лежащих на
верхней и нижней сторонах прямоугольника.
Таким образом, на площадь а22
приходится всего 2+41/4+21/2=4
атома и плотность плоской
сетки (110) равна 4/ а22.
Плоская сетка (111) на рис.10 соответствует треугольнику EGD, который выделен на рис.13. Его площадь равна а23/2. На эту площадь приходится всего два атома: три половинки атомов, находящихся на серединах сторон, и три шестых атомов, расположенных по вершинам. Плоскость (111) целиком покрыта этими треугольниками. Таким образом, на площадь a23/2 приходится два атома: 31/2+31/6=2, следовательно, плотность плоской сетки (111) равна 2/( а23/2) = 4/( а23).
Если принять плотность плоской сетки (100) за единицу, рассмотренные плотности сеток (110), (111) и (100) будут сотноситься приблизительно следующим образом:
пл.(110):пл.(111):пл.(100)=1,414:1,157:1.
Это самые плотные сетки в кремнии, все остальные имеют меньшие плотности.
Но
помимо плотности сеток необходимо
учитывать их взаимное расположение и
энергию связи между атомами. На рис.14
изображены расстояния между соседними
взаимопараллельными плоскими сетками
(111), (110), (100).
Сетки ориентированы перпендикулярно относительно чертежа и их проекции показаны прямыми линиями. Из рисунка видно, что пространственное расположение сеток не одинаково. Сетки (110) и (100) расположены равномерно, но отличаются межплоскостными расстояниями. Так, для сеток (110) межплоскостные расстояния составляют а2/2, а для сеток (100) они равны а/4. Для сеток (111) картина сложнее. Здесь наблюдается чередование больших и малых межплоскостных расстояний, т.е. сетки образуют тесно сближенные пары, причем расстояния между этими парами значительно больше, чем между сетками в паре. Расстояние между сближенными сетками в паре составляет а2/12, а расстояние между парами сеток равно а3/4, т.е. втрое больше. Две сближенные сетки тесно связаны между собой и так близки друг к другу, что практически их можно рассматривать как одну утолщенную плоскую сетку. Естественно, при этом плотность такой эквивалентной сетки удвоится и станет равной 8 а23.
Соотношение плотностей сеток при этом изменится:
пл.(111):пл.(110):(100)=2,308:1,414:1.
Если исходить не из плотностей сеток, а из числа наиболее интенсивных сил связи, приходящихся на плоскость сетки, то приведенное соотношение также имеет место. Таким образом, плоскость (111) в кристалле кремния следует считать «наиболее прочной».
Такой вывод хорошо согласуется с физическими данными.
Так,
монокристалл кремния наиболее легко
раскалывается по плоскостям, параллельным
(111). Причину этого наглядно иллюстрирует
рис.15, где показано расположение атомов
в сетках (111) (сами сетки перпендикулярны
плоскости чертежа и соответствуют
прямым линиям). На рисунке видны сближенные
пары сеток и чередующиеся большие и
малые межплоскостные расстояния. Видно
также, что для разделения далеко отстоящих
друг от друга сеток достаточно разорвать
одну валентную связь между атомами, в
то время как внутри «толстой» сетки
атомы объединены тремя валентными
связями и разделить две близко
расположенные
сетки значительно труднее.
Также можно объяснить и неодинаковую твердость кристалла на различных гранях и по различным направлениям (применительно к алмазам, имеющим ту же структуру, что и кремний, преобладающая твердость на плоскости (111) была известна ювелирам уже давно).
Экспериментально установлено:
тв.(111)>тв.(110) >тв.(100).
Сильно отличаются скорости травления кремниевых структур в анизотропных травителях. Здесь также, поскольку плотность сетки плоскости (111) наибольшая, она упорнее всего поддается травлению и скорость травления в направлении нормальном к (111) минимальна.