- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 14
- •Глава 2 41
- •Глава 3 88
- •Глава 4 135
Глава 2 41
2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников 41
Контрольные вопросы 47
2.2. Синтез ВТСП материалов 48
Контрольные вопросы 51
2.3. Технология объемных сверхпроводников 51
2.3.1. Методы жидкофазного получения Bi-2212 сверхпроводников 54
Контрольные вопросы 61
2.4. Технология пленочных сверхпроводников 61
2.4.1. Физические методы получения тонких пленок 62
2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий 70
2.4.3. Подложки. Буферные слои 74
Контрольные вопросы 75
2.5. Основные свойства сверхпроводников 76
2.5.1. Переход металл-изолятор 76
2.5.2. Терморезистивные характеристики 77
2.5.3. Критический ток 79
2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле 84
Контрольные вопросы 87
Глава 3 88
3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства 89
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки 90
3.1.2. Фильтры 92
3.1.3. Резонаторы 95
3.1.4. Приборы на S – N переходах 96
Контрольные вопросы 98
3.2. Болометры 99
Контрольные вопросы 102
3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона 102
3.3.1. Джозефсоновские криотроны 102
3.3.2. Цифровые устройства на Д-криотронах 106
3.3.3. Квантроны 109
3.3.4. Приемные устройства 112
3.3.5. Генераторы 114
Контрольные вопросы 116
3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров 116
3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр 117
3.4.2. Цифровые устройства на основе СКВИДов 120
3.4.3. Магнитометры и градиентометры 124
3.4.4. Магнитометрические системы 126
Контрольные вопросы 130
3.5. Магнитные экраны 131
Контрольные вопросы 134
Глава 4 135
4.1. Синтез ВТСП материалов 135
Контрольные вопросы 137
4.2. Получение и исследование тонкопленочных ВТСП элементов 137
Контрольные вопросы 141
4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана 141
Контрольные вопросы 144
4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана 144
Контрольные вопросы 148
4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов 149
Контрольные вопросы 152
Заключение 153
Библиографический список 155
Предметный указатель 157
Оглавление 160