
- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 14
- •Глава 2 41
- •Глава 3 88
- •Глава 4 135
3.4.4. Магнитометрические системы
В магнитометрию высокого разрешения входят приборы и методы исследований, позволяющие получить картину распределения магнитного полянад поверхностью исследуемого объекта с пространственным разрешением от долей микрометра до единиц миллиметров. Диапазон регистрируемых магнитных полей варьируется от нескольких тесла до долей пикотесла! Наряду с такими известными методами отображения магнитных полей, как магнитооптика и магнитное декодирование в последнее время появилась сканирующая магнитная микроскопия (ССМ), использующая магнитный силовой микроскоп и на основе микродатчиков Холла. В 90-х годах разработана и реализованы сканирующие микроскопы, в которых в качестве чувствительного элемента используют СКВИДы.
В сканирующих магнитометрахна основе СКВИДов образец перемещается в плоскости X-Yотносительно СКВИДа, при этом СКВИД измеряет нормальную к поверхности образца компоненту магнитного поля. Во время сканирования выходной сигнал СКВИДа регистрируется в зависимости от текущих координат и преобразуется при помощи компьютера в двумерное или трехмерное изображение распределения магнитного поля. Чувствительность по магнитному полю и пространственное разрешение ССМ являются взаимосвязанными и определяются размерами СКВИДа и расстоянием между СКВИДом и образцом. Оптимальное соотношение параметров достигается в том случае, когда образец находится от СКВИДа на расстоянии, приблизительно равном размеру петли СКВИДа. ССМ могут работать в полях подмагничивания до 104А/м, имеют широкий (0...200 кГц) частотный диапазон. Специальные схемы регистрации сигналов СКВИДа позволяют расширить этот диапазон до десятков гигагерц.
Первый сканирующий СКВИД – микроскоп был построен в начале 80-х годов в компании IBM. В 1984 г. разработки были приостановлены в связи с сокращением программы по созданию сверхпроводящего компьютера и в начале 90-х были возобновлены в Иллинойсе в связи с успехами технологии ВТСП тонкопленочных микроСКВИДов. Первый ССМ на основе ВТСП СКВИДа дал возможность получить разрешение порядка 50 мкм (1993 г.).
Сочетание высокой чувствительности с пространственным разрешением в единицы микрометров позволяет исследовать с помощью ССМ малоразмерные и слабомагнитные объекты. Достоинством ССМ является и возможность проводить количественные измерения магнитных полей.
Конструктивно ССМсостоит из нескольких основных узлов: СКВИД-датчика, СКВИД-электроники, криостата, системы магнитных экранов, механизма перемещения образца и персонального компьютера, обеспечивающего сбор данных и управление работой ССМ. Функциональная схема ССМ приведена на рис. 3.23.
Рис. 3.23. Функциональная схема ССМ: 1 – шаговые двигатели; 2 – электроника СКВИДа; 3 – магнитные экраны; 4 – криостат с жидким азотом; 5 – криогенная штанга со СКВИДом и механизмом перемещения образца; 6 – блок электроники; 7 – АЦП; 8 – компьютер
Современные ВТСП ПТ – СКВИДы изготавливают в основном по однослойной технологии на основе пленок Y-123. Пленку наносят на бикристаллическую подложку из титаната стронция, сваренного из двух кристаллов с различной ориентацией кристаллографических осей. Д-переходы формируют на границе кристаллов в узких (1...5 мкм) сверхпроводящих мостиках, пересекающих сварной шов подложки. В настоящее время ВТСП СКВИДы несколько уступают по чувствительности их низкотемпературным аналогам. Типичные значения шумового потока ВТСП СКВИДов составляют 7...10 мкФо/Гц. Для регистрации сигналов СКВИДа используют модуляционную потокозапирающую электронную схему (рис. 3.24).
На СКВИД 1 падают постоянный ток смещения Iсм, величина которого превышает суммарный ток Д-контактов, а с генератора 6 в катушку 7 вводят переменный ток (100...500 кГц). Создаваемый катушкой поток подмагничивания и постоянный поток смещения Фсмподводят к СКВИДу. СКВИД соединяют с усилителем 3 через трансформатор 2. После предварительного усиления сигнал СКВИДа регистрируют синхронным детектором 4 и подают на интегратор 5. Выходным сигналом в этой схеме является напряжениеV, связанное с регистрируемым потоком соотношением:
ΔV ≡ΔФ(Roc/M), (3.53)
где М– коэффициент взаимной индукции между катушкой 7 и СКВИДом 1.
Рис. 3.24. Функциональная схема СКВИД-электроники: 1 – СКВИД; 2 – согласующий трансформатор; 3 – предварительный усилитель; 4 – синхронный детектор; 5 – интегратор; 6 – генератор; 7 – катушка обратной связи
Такая схема позволяет измерять изменения потока в интервале от десятков мкФо до сотен Фо. Частотный диапазон лежит в пределах от 0 до десятков кГц, максимально отслеживаемая скорость изменения потока – 106Фо/с.
Разработано несколько температурных групп ССМ: для 4,2 К (гелий), для 77 К (азот), для 300 К. В ССМ последней группы ВТСП СКВИД помещен в жидкий азот, а образцы находятся при комнатной температуре, что позволяет исследовать биологические и другие объекты, не подлежащие глубокому охлаждению.
В 1997 г. был разработан ССМ, в котором совместно со СКВИДом использована магнитомягкая иглаповышения пространственного разрешения. Игла располагается между СКВИДом и образцом и является магнитопроводом, воспринимающим вариации магнитного потока вблизи образца и передающим его к петле СКВИДа. Как показала экспериментальная оценка, пространственное разрешение, определяемое острием иглы составляет примерно 100 нм, что сравнимо с разрешением магнитного силового микроскопа, но значительно превышает его чувствительность.
В табл. 3.4 для сравнения представлены основные параметры ССМ, разработанных в стране и за рубежом.
Таблица 3.4