
- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 14
- •Глава 2 41
- •Глава 3 88
- •Глава 4 135
3.3.3. Квантроны
Существует два способа использования джозефсоновских элементов в цифровых устройствах в ячейках логики и памяти вычислительных систем. При обоих способах единица информации организуется в виде тока в сверхпроводящем контуре, джозефсоновские элементы используются для управления этими токами их генерации, переключения, уничтожения. Отличие способов состоит лишь в величине магнитного потока, находящегося в сверхпроводниковом контуре.
Если единица информации запоминается током Iв контуре с индуктивностьюLтак, чтоLI>>Ф0, гдеФ0– квант магнитного потока, эффект квантования практически не сказывается на работе устройства. При этом управляющие элементы называют криотронами, такие элементы мы рассматривали в предыдущих разделах (п.п. 3.3.1, 3.3.2).
Если LI ≈ Ф0, единицы информации записываютсяодиночными квантамимагнитного потока, что вызывает принципиальные изменения в построении цифровых устройств. Все устройства на одиночных квантах магнитного потока можно разбить на две группы: устройства надискретныхджозефсоновских переходах и устройства нараспределенныхпереходах. Здесь мы рассмотрим особенности работы устройств первой группы, поскольку в технологии создания однородных качественных ВТСП распределенных переходов сегодня имеются нерешенные проблемы.
В устройствах на дискретных переходах используется эффект квантования магнитного потока (п. 1.2). Наиболее простая конфигурация, в которой наблюдается это явление, представляет собой кольцо из сверхпроводящего материала, в которое включен джозефсоновский переход. Максимальноеколичество квантов потока, которое может содержаться в кольце, определяется величиной критического тока контактаIС0и индуктивностью кольцаL:
N=IС0L/Ф0. (3.22)
Очевидно, что такое кольцо может находиться в (2N+1) состояниях. Именно эти состояния кольца с током и могут использоваться для хранения информации.
Удобным для практической реализации является универсальный переключательный элемент, получивший название параметрический квантрон (рис. 3.11, а).
а) б)
Рис. 3.11. Параметрический квантрон: а – эквивалентная схема; б – зависимость полного магнитного потока от внешнего потока
Квантрон представляет собой кольцо из сверхпроводящего материала 1 замкнутое, управляемым джозефсоновским переходом – криотроном 2. С кольцом гальванически или индуктивно связаны шина смещения 3, шины записи и считывания 4. Квантрон работает следующим образом. По шине смещения пропускают ток такой величины, чтобы его магнитный поток Фсм сместил состояние равновесия в точку Ф0/2 (рис. 3.11, в). Как видно из рисунка, это состояние может быть устойчивым при IС0=IС0 min (кривая 1) или неустойчивым при IС0=IС0 max (кривая 2). Направление тока в контуре будет определяться знаком дополнительного потока ΔФ, вызванного, например токами, текущими в соседних контурах гальванически или индуктивно связанных с данным контуром. Таким образом, можно осуществить запись в контур состояния, соответствующую знаку ΔФ, т.е. элемент осуществляет мажоритарную функцию. На этом элементе можно реализовать любые логические функции. Существенным является то, что в рассмотренном квантроне критический ток может быть весьма малым (10 мкА). Это вызвано тем, что в данном случае не требуется большого коэффициента усиления.
Одним из вариантов квантронас расширенными функциональными возможностями является логический элемент, содержащий дополнительный джозефсоновский переход в контуре, с которым связана дополнительная шина управления (рис. 3.12).
Рис. 3.12. Инжекционный квантрон
Поскольку шина управления связана с контуром гальванически, ток управления вводится в контур непосредственно т.е. инжектируется. Поэтому рассматриваемый квантрон можно назвать инжекционным квантроном. Гальваническая связь, в отличие от индуктивной, позволяет осуществить связь с контуром малых размеров. Кроме того, гальваническая связь позволяет создать шины управления и сам сверхпроводящий контур в одном слое, что заметно упрощает технологию изготовления таких элементов.
Рассмотренные элементы с параметрическим управлением обладают минимальной энергией переключения, ограниченной лишь квантовыми эффектами.