Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
28
Добавлен:
17.04.2013
Размер:
26.62 Кб
Скачать

Вопросы по основам элементной базы полупроводниковых приборов

МП-2

  1. Классический электронный газ. Теория проводимости Друде. Подвижность. Проводимость твёрдых тел.

  2. Типы связи в твёрдых телах. Симметрия в кристаллах. Понятие кристаллической сингонии.

3. Статистика электронов и дырок. Функции распределения. Плотность квантовых состояний в зоне.

  1. Уравнение Шредингера для электрона в кристалле. Эффективная масса.

  2. Обратная решётка. Зоны Бриллюэна.

  1. Энергетические зоны. Металл, диэлектрик и полупроводник с точки зрения зонной теории.

  2. Квазичастицы в полупроводниках. Закон дисперсии. Понятие дырки. Квазиимпульс. Эффективная масса.

  1. Примесные центры в полупроводнике. Статистика их заполнения.

  1. Собственный и примесный полупроводники. Зависимость концентрации электронов и энергии Ферми от температуры.

  2. Методы описания переноса электронов. Механизмы рассеяния. Время релаксации.

11. Уравнения непрерывности и Пуассона. Генерация и рекомбинация.

12. Дрейфовый и диффузионный токи. Соотношение Эйнштейна. 13.. Эффект поля. Дебаевская длина экранирования.

  1. Работа выхода в металлах и полупроводниках. Контактная разность потенциалов.

  2. Полупроводниковые диоды. Назначение и области применения. Способы изготовления.

  1. Зонная диаграмма равновесного p-n-перехода. Условия равновесия. Контактная разность потенциалов p-n-перехода.

  2. Обедненная область p-n-перехода. Зависимость её ширины от параметров.

  3. Барьерная ёмкость p-n-перехода.

  4. Зонная диаграмма неравновесного p-n-перехода. Квазиуровни Ферми.

  5. ВАХ идеализированного диода.

21. Диффузионная ёмкость p-n-перехода.

  1. Эквивалентная схема диода на переменном сигнале. Ток насыщения диода и его температурная зависимость.

  2. Пробой p-n-перехода.

  3. Биполярный транзистор. Способы изготовления. Схемы включения.

  4. Зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме включения с ОБ. Принцип

действия.

26 Расчёт ВАХ биполярного транзистора. Граничные условия.

  1. Статический коэффициент усиления биполярного транзистора в схеме включения с ОБ и с ОЭ.

  2. Выходные характеристики биполярного транзистора. Транзисторный эффект.

  3. Эквивалентная схема биполярного транзистора.

  4. Биполярный СВЧ-транзистор и его характеристики.

  5. Полевые транзисторы и их виды. Принцип действия.

  1. Вольт-фарадная характеристика МДП-транзистора.

  2. ВАХ МДП-транзистора.

  3. Эффекты короткого и узкого канала в МДП-транзисторе.

  4. Эквивалентная схема МДП-транзистора. СВЧ характеристики.

  5. Логические элементы на основе транзисторов. Комплементарная пара МДП- транзисторов.

Соседние файлы в папке Шпоры(insomnia&co_edition)