
- •Предисловие
- •1. Свободный электронный газ
- •1.1. Классический электронный газ
- •1.2. Квантовый электронный газ
- •1.3. Распределение Ферми - Дирака
- •1.4. Вырожденный и невырожденный электронный газ
- •1.5. Плотность квантовых состояний
- •1.6. Свойства квантового электронного газа
- •2. Элементы зонной теории твердых тел
- •2.1. Структура кристаллов и обратная решетка
- •2.3. Зоны Бриллюэна
- •2.4. Образование энергетических зон
- •2.5. Метод сильносвязанных электронов
- •2.7. Эффективная масса
- •2.8. Динамика электрона в кристалле
- •2.9. Понятие дырки
- •2.11. Примесная проводимость полупроводников
- •3.1. Плотность квантовых состояний
- •3.2. Равновесные концентрации электронов и дырок
- •3.3. Уравнение электронейтральности
- •3.4. Собственный полупроводник
- •3.5. Примесный невырожденный полупроводник
- •3.7. Сильнолегированный полупроводник
- •4.1. Понятие столкновения
- •4.2. Неравновесная функция распределения
- •4.3. Кинетическое уравнение Больцмана
- •4.4. Время релаксации
- •4.5. Дрейф и диффузия носителей заряда
- •4.6. Соотношения Эйнштейна
- •4.7. Механизмы рассеяния
- •4.8. Рассеяние на ионах примеси
- •4.9. Рассеяние на тепловых колебаниях атомов
- •4.10. Комбинированное рассеяние
- •4.11. Зависимость подвижности от электрического
- •5. Рекомбинация электронов и дырок
- •5.1. Неравновесные электроны и дырки
- •5.2. Уравнения непрерывности
- •5.3. Время жизни
- •5.4. Механизмы рекомбинации
- •5.5. Прямая излучательная рекомбинация
- •5.6. Прямая рекомбинация Оже
- •5.7. Рекомбинация через ловушки
- •6.2. Квазинейтральность
- •6.3. Максвелловское время релаксации
- •6.4. Биполярное уравнение
- •6.5. Решение биполярного уравнения
- •Оглавление

∂n = g |
|
− r + 1 |
|
|
|
. |
(5.3) |
|
n |
j |
n |
||||||
∂t |
n |
e |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Уравнение (5.3) называется уравнением непрерывности для электронов. Таким же способом может быть получено уравнение не-
прерывности для дырок: |
|
|
|
|
∂p |
= g p − rp − |
1 |
j p. |
(5.4) |
∂t |
|
e |
|
|
5.3. Время жизни
Выражение для разности скоростей генерации и рекомбинации с учетом (5.1) можно записать следующим образом:
gn − rn = Gn − (rn − gn0 ) = Gn − Rn , |
|
где |
|
Rn = rn − gn0 . |
(5.5) |
Величина Rn определяет превышение скорости рекомбинации над скоростью тепловой генерации и также называется скоростью рекомбинации. В отличие от rn величина Rn может быть малой при малом отклонении от положения равновесия (низком уровне инжекции) и равна нулю в состоянии термодинамического равновесия.
Аналогично получаем
g p − rp = Gp − Rp , |
|
где |
|
Rp = rp − g p0. |
(5.6) |
При низком уровне инжекции (z << 1), когда избыточная концентрация мала: ∆n << n0, p0, можно разложить величины Rn и Rp в ряд по ∆n = ∆p, ограничившись линейным членом:
R |
= |
∆n = |
n − n0 |
; |
(5.7а) |
|
|||||
n |
|
τn |
τn |
|
97
Rp = ∆p = |
p − p0 |
. |
|
|
(5.7б) |
|
|
|
|
||||
τp |
τp |
|
|
|
||
Величины τn и τp называются временами жизни электронов и |
||||||
дырок. Согласно формулам (5.7) величины |
1 |
и |
1 |
определяют веро- |
||
|
|
τn |
|
τp |
ятности исчезновения одного избыточного электрона и одной дырки в единицу времени вследствие рекомбинации.
С другой стороны, из сравнения формул (5.5) - (5.7) следует, что
gn0 |
= |
n0 |
|
, |
(5.8а) |
|||
τn |
||||||||
|
|
|
|
|
||||
g p0 |
= |
|
p0 |
. |
(5.8б) |
|||
|
|
|||||||
|
|
|
τp |
|
|
|
Следовательно, величины τn и τp определяют также и скорости тепловой генерации электронов и дырок.
Если процесс рекомбинации сопровождается захватом носителей заряда локальными уровнями в запрещенной зоне, времена жизни электронов и дырок могут не совпадать.
Пусть за счет генерации внешним фактором, например светом, в момент времени t = 0 в полупроводнике возникли в равном количестве избыточные электроны и дырки: ∆n(0) = ∆p(0). Предположим, что ток отсутствует, реализуется низкий уровень инжекции, а захваты электронов и дырок на локальные уровни в запрещенной зоне происходят независимо друг от друга. Изменения концентраций электронов и дырок после прекращения внешнего воздействия описываются уравнениями непрерывности (5.3) и (5.4):
dn |
= |
d∆n |
|
= − |
∆n ; |
(5.9) |
|
dt |
dt |
||||||
|
|
|
τn |
|
|||
dp |
= |
d∆p |
|
= − |
∆p . |
(5.10) |
|
dt |
dt |
|
|||||
|
|
|
τp |
|
Решения уравнений (5.9) и (5.10) имеют вид
98

− |
t |
|
||
τn ; |
||||
∆n(t)= ∆n(0)e |
||||
− |
t |
|
||
∆p(t)= ∆p(0)e |
τp . |
Таким образом, избыточные концентрации электронов и дырок релаксируют независимо друг от друга с временами жизни τn и τp. Так как в общем случае τn ≠ τp, может создаться впечатление, что происходит нарушение условия электронейтральности, так как ∆n(t) ≠ ∆p(t). Однако это не так, поскольку необходимо учитывать заряд ∆nt, захваченный локальными уровнями, поэтому уравнение электронейтральности нужно записать в виде
∆n + ∆nt = ∆p. |
(5.11) |
Поскольку электроны и дырки рекомбинируют парами, скорости изменения избыточных концентраций электронов и дырок равны. Тогда из (5.9) и (5.10) с учетом (5.11) следует
∆n = ∆n + ∆nt , |
||
τn |
τp |
|
откуда |
|
|
|
+ |
∆n |
τp = τn 1 |
t , |
|
|
|
∆n |
т.е. времена жизни электронов и дырок не равны друг другу. Только в условиях, когда захваченным зарядом можно пренебречь: ∆nt << ∆n, можно говорить о равенстве времен жизни электронов и дырок, т.е. о времени жизни пары электрон-дырка:
τn = τp = τ,
при этом
− t
∆n(t)= ∆p(t)= ∆n(0)e τ .
Можно показать, что время жизни τ есть время между генерацией носителя и его рекомбинацией, усредненное по всем носителям. Дейст-
99

вительно, в интервале времени (t, t + dt) исчезает (−d∆n)= ∆τn dt час-
тиц, просуществовавших в течение времени t. Среднее время жизни можно найти, если просуммировать времена жизни всех прорекомбинировавших частиц t (−d∆n) и разделить сумму на начальную концентра-
цию ∆n(0):
1 |
∞ |
t(−d∆n)= τ |
∞ t |
|
|
t |
t |
|
∞ |
ye−y dy = τ. |
||||||
|
|
|
|
|
exp |
− |
|
d |
|
|
= τ |
|
||||
∆n(0)∫ |
∫ |
|
|
|
∫ |
|||||||||||
|
|
τ |
|
|
τ |
|
τ |
|
|
|||||||
|
0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
Используя понятие времени жизни и учитывая выражения (5.7), уравнения непрерывности (5.4) и (5.5) можно записать в виде
∂n |
= G − |
∆n |
+ |
1 |
j |
|
; |
(5.12) |
|
∂t |
n |
τn |
|
e |
|
n |
|
|
|
∂p |
= Gp − |
∆p |
− |
1 |
jp . |
(5.13) |
|||
∂t |
τp |
e |
|||||||
|
|
|
|
|
|
Входящие в эти уравнения времена жизни τn и τp постоянны только при низком уровне инжекции. При среднем и высоком уровнях инжекции скорости рекомбинации Rn и Rp уже нельзя представить в виде (5.7), поскольку ряд по степеням ∆n расходится. Однако формально можно записать:
τn = |
∆n(t) |
|
; |
|
(5.14а) |
|
Rn (t) |
|
|||||
|
|
|
|
|
||
τp = |
|
∆p(t) |
|
, |
(5.14б) |
|
|
Rp (t) |
|||||
|
|
|
|
приняв эти выражения за определение мгновенных времен жизни. Это позволяет сохранить запись уравнений непрерывности в виде (5.12), (5.13). Следует только помнить, что в общем случае времена жизни в этих уравнениях могут зависеть от времени, а сами уравнения становятся нелинейными.
100