Лекции / Старосельский.2004 / Часть 2 / Часть 2-new / 6
.doc
-
6. Модели МДП транзисторов
6.1. Классификация моделей
|
Класс |
Основа модели |
Разновидности |
Прим. |
|
Физические |
Ур-я движения частиц (метод Монте-Карло) |
|
|
|
Ур-я переноса частиц (диф. ур-я в частных производных) |
|
|
|
|
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) |
Уравнения Кирхгоффа представлены эквивалентной схемой |
|
|
Для малого сигнала (линейные) |
|||
|
Формализованные |
Ур-я ВАХ и ВФХ элементов прибора (алгебраич. ур-я). Ур-я Кирхгоффа (обыкновенные диф. ур-я) |
Для большого сигнала (нелинейные) |
|
|
Для малого сигнала (линейные) |
6.2. Эквивалентная схема для большого сигнала (нелинейная)
Эквивалентная схема МДПТ соответствует его структуре.
Внешние
напряжения:
.
Внутренние
напряжения:
.
Токи:
; ![]()
Емкости:
;
;
— емкости
перекрытия затвора с п+-областями
длиной
.
;
— суммы барьерных и диффузионных
емкостей
р-п переходов п+- подложка.
.
При
:
.
Идеализированнная модель:
![]()

определены
в
разделах 3.2, 3.3.
;
.
6.3. Эквивалентные схемы для малого сигнала (линейные)
Применяются для малых переменных составляющих токов и напряжений (помечены точой).
Транзистор работает в пологой области ВАХ.
Эквивалентная получается путем линеаризации элементов нелинейной схемы и исключения постоянных токов.
В
се
емкости
являются константами,
величина которых определяется режимом
работы транзистора по постоянному току.
;
— крутизна;
— выходное
сопротивление
— крутизна
по подложке.
Идеализированнная модель:
;
;
.
Формализованная модель
Для МДП транзистора удобно применять систему у-параметров:

![]()
![]()
у-параметры легко измерить:
— входной
адмиттанс при КЗ-выходе;
— комплексная крутизна
при КЗ-выходе;
— выходной адмиттанс КЗ-входе;

— обратная комплексная крутизна
при КЗ-входе.
МДПТ имеет низкие входной и выходной адмиттансы.
Поэтому удобно осуществлять режим КЗ на входе и на выходе.
Для каждой схемы включения — свои у-параметры, зависящие от частоты.
у-параметры можно выразить через параметры физической модели и наоборот.
На
низкой частоте
для ОИ:
;
;
;
.
