Коэффициент переноса n равен вероятности пролета неосновных носителей, инжектированных из эмиттера, до коллекторного перехода без рекомбинации в базе. Иначе можно записать:
(40)
где:
Т– время пролета электронов через базу с учетом дрейфа;
b – время жизни, по заданию равно 200 мкс ;
(41)
где:
Tdiff – время пролета электронов через базу без учета дрейфа;
– фактор поляв базе;
,
Tdiff
= 6.536
пс;
,
= 0.388 (ускоряющее поле);
Подставляя эти значения в формулу (41) получим T = 5.608 пс, что намного меньше b.
В результате подстановки значений в (40) получили коэффициент переноса:
N = 1.
1 – N = 2.596*10 –6
Подставляя в формулу (27) значения N и N получаем коэффициент передачи:
N = 0.987.
Коэффициент усиления базового тока равен:
,
Барьерные емкости переходов э – б и к – б.
Ce = 70.984 фФ Cс = 22.578 фФ
Диффузионная емкость перехода э – б.
Ом*м
фФ
Итоги Сводка промежуточных результатов
|
№ |
Параметр |
Значение |
|
1 |
Диффузионная длина примеси в базе |
Lb = 0.239 мкм |
|
2 |
Диффузионная длина примеси в эмиттере |
Le =0.157мкм |
|
3 |
Градиент концентрации примеси в переходе Э-Б |
|
|
4 |
Градиент концентрации примеси в переходе К-Б |
|
|
5 |
Контактная разность потенциалов перехода Э-Б |
|
|
6 |
Контактная разность потенциалов перехода К-Б |
|
|
7 |
Равновесная ширина перехода Э-Б |
|
|
8 |
Ширина перехода Э-Б в рабочем режиме |
|
|
9 |
Равновесная ширина перехода К-Б |
|
|
10 |
Ширина перехода К-Б в рабочем режиме |
|
|
11 |
Концентрация примеси в базе на границе с переходом Э-Б |
|
|
12 |
Концентрация примеси в базе на границе с переходом К-Б |
|
|
13 |
Толщина базы |
|
|
14 |
Толщина эмиттера |
|
|
15 |
Средняя концентрация примеси в базе |
|
|
16 |
Среднее значение коэффициента диффузии электронов в базе |
|
|
17 |
Число Гуммеля в базе |
|
|
18 |
Эффективная концентрация примеси в эмиттере |
|
|
19 |
Среднее значение коэффициента диффузии дырок в эмиттере |
|
|
20 |
Эффективное число Гуммеля в эмиттере |
|
|
21 |
Среднее время диффузии электронов через базу |
|
|
22 |
Эффективность эмиттера |
|
|
23 |
Фактор поля в базе |
|
|
24 |
Среднее время пролета электронов через базу |
|
|
25 |
Дифференциальное сопротивление перехода Э-Б |
|
|
26 |
Коэффициент переноса |
|
= 7.459*1023см-4
=
1.753*1022см-4
0.982 В
0.850 В
0.047 мкм
0.027 мкм
0.156 мкм
0.233 мкм
7.435*1017
см-3
5.042*1017 см-3
= 0.120 мкм
= 0,24 мкм
= 0,237 мкм
9.575*1017
см-3
11.334 см2/с
1.014*1012
см-4с
см-3
1.294 см2/с
7.8651013
см-4с
пс
=
0.987
= 5.608 пс
258.75 Ом
0,9999974Сводка конечных результатов
|
№ |
Параметр |
Результат |
|
1 |
Топологический чертеж транзисторной структуры |
Рис. |
|
2 |
Малосигнальная эквивалентная схема |
Рис. |
|
3 |
Коэффициент передачи эмиттерного тока |
|
|
4 |
Коэффициент усиления базового тока |
|
|
5 |
Барьерная емкость перехода ЭБ в рабочем режиме |
|
|
6 |
Барьерная емкость перехода КБ в рабочем режиме |
|
|
7 |
Диффузионная емкость эмиттерного перехода |
|
|
8 |
Маршрутная карта изготовления транзистора |
Табл. 1 |
77.551
= 70.984 фФ
= 22.578 фФ
= 21.672 фФ