МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Курсовой проект

по предмету

Физика полупроводниковых

приборов.

Выполнил: студент гр. ЭКТ-45

Логинов В.В.

Проверил: Старосельский В.И.

МОСКВА

2003

ОГЛАВЛЕНИЕ

1 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО n-p-n ТРАНЗИСТОРА 4

1.1 Задание 4

1.2 Исходные данные 4

1.3 Теоретические сведения 4

1.4 Маршрутная карта изготовления транзистора 6

1.5 Малосигнальная эквивалентная схема 6

1.6 Распределение донорной и акцепторной примесей 7

1.7 Расчет р-n переходов: толщин слоев и граничных концентраций примеси в плоскостях технологических переходов. 8

1.8 Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока . 11

1.9 Барьерные емкости переходов Э – Б и К – Б. 14

1.10 Диффузионная емкость перехода Э – Б. 14

1.11 Итоги 14

Сводка промежуточных результатов 14

2 Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального п-канального мдп транзистора 16

2.1 Задание 16

2.2 Теоретические сведения 16

2.3 Краткая маршрутная карта МДП-транзистора 17

2.4 МДП-транзистор. Исходные данные 17

2.5 Расчет и корректировка Vt0 18

2.6 Идеальная ВАХ 19

2.7 Реальная ВАХ 20

2.8 Малосигнальная схема 21

3 Список литературы 22

1. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО n-p-n ТРАНЗИСТОРА

   1. Задание

1. Разработать топологический чертеж транзисторной структуры.

2. Привести малосигнальную эквивалентную схему и объяснить смысл ее элементов.

3. При заданных исходных данных для V_BC = -2В, I_E = 1 мА (V_BE  0,8 В) рассчитать следующие параметры эквивалентной схемы:

• коэффициент передачи эмиттерного тока;

• барьерные емкости переходов Э – B и K – B;

• диффузионную емкость перехода Э – B.

4. Привести маршрутную карту изготовления транзистора.

2. Исходные данные

– технология изготовления: с боковой диэлектрической изоляцией.

– глубина технологического перехода эмиттер-база, мкм x_je = 0.25

– глубина технологического перехода коллектор-база, мкм x_jc = 0.5

– толщина эпитаксиального коллектора, мкм h_c = 3

– поверхностная концентрация эмиттерной примеси, см^-3 N_es = 3*10²⁰

– поверхностная концентрация базовой примеси, см^-3 N_bs = 8*10¹⁸

– концентрация примеси в эпитаксиальном коллекторе, см^-3 N_c = 10¹⁷

– максимальная концентрация примеси в n⁺- коллекторе, см^-3 N_c⁺ = 10¹⁹

– толщина n⁺- коллектора, см h_c⁺ = 2

– площадь эмиттерного перехода, мкм  мкм a_eb_e = 36 = 18

– площадь коллекторного перехода, мкм  мкм a_сb_с = 510 = 50

– время жизни неосновных носителей в эмиттере, мкс  _e = 15

– время жизни неосновных носителей в базе, мкс  _b = 200

– время жизни неосновных носителей в коллекторе, мкс  _c = 1000

Диффузанты: эмиттер, коллектор — Р; база — В; n⁺- коллектор — As.

Концентрация примеси в подложке N_s = 10¹⁵см^-3