Monografiy
.pdf
|
Список принятых сокращений |
ÀÑÌ |
атомно-силовая микроскопия |
ÂÀÕ |
вольт-амперная характеристика |
ÂÈÌÑ |
вторичная ионная масс-спектрометрия |
ÃÐ |
Гомеса—Родригеса |
ÄÁÝ |
дифракция быстрых электронов |
ÄÁÝÎ |
дифракция быстрых электронов на |
|
отражение |
ÄÍ |
дислокации несоответствия |
ДОЭВЭ |
дифракция отраженных электронов |
|
высоких энергий |
ÈÑ |
интегральная схема |
ÊÍÈ |
кремний-на-изоляторе |
ÊÏ (QWr) |
квантовая проволока |
ÊÐÑ |
комбинационное рассеяние света |
ÊÒ (QD) |
квантовая точка |
Êß (QW) |
квантовая яма |
ÌÄÏ |
металл—диэлектрик—полупроводник |
ÌÊß |
многократно повторяющиеся квантовые |
|
ÿìû |
ÌËÝ |
молекулярно-лучевая эпитаксия |
ÌÎÏ |
металл—оксид—полупроводник |
ÌÑ |
монослой |
ÎÏÇ |
область пространственного заряда |
ÎÑ |
оствальдовское созревание |
ÎÝÒ |
одноэлектронный транзистор |
ÏÄ |
прорастающие дислокации |
ÏÑ |
плотность состояний |
ÏÝÌ |
просвечивающая электронная |
|
микроскопия |
ПЭМВР |
просвечивающая электронная |
|
микроскопия высокого разрешения |
Ïß |
подсчет ячеек |
ÐÐрамановское рассеяние
ÐÓÄ |
радиационно-ускоренная диффузия |
ÐÔÝÑ |
рентгеновская фотоэлектронная |
|
спектроскопия |
ÑÂÂ ÎÝÌ |
сверхвысоковакуумная отражательная |
|
электронная микроскопия |
ÑÄ |
стержнеобразный дефект |
ÑÇÌ |
сканирующий зондовый микроскоп |
Список принятых сокращений |
301 |
|
|
|
|
ÑÈ |
синхротронное излучение |
|
ÑÊ |
Странского—Крастанова |
|
ÑÐ |
сверхрешетка |
|
ÑÒÌ |
сканирующая туннельная микроскопия |
|
ÑÝÌ |
сканирующая электронная микроскопия |
|
ÓÇ |
ультразвуковой |
|
ÔÈÏ |
фокусированный ионный пучок |
|
ÔË |
фотолюминесценция |
|
ÝË |
электролюминесценция |
|
ÝÎÑ |
электронный Оже-спектр |
|
ÝÏÄ |
эффективная поверхностная диффузия |
|
ÝÏÐ |
электронный парамагнитный резонанс |
|
CVD |
химическое осаждение из газовой фазы |
|
EXAFS |
дальняя тонкая структура |
|
|
рентгеновского спектра поглощения |
|
LO |
продольные оптические фононы |
|
PECVD |
осаждение из газовой фазы с |
|
|
плазменной стимуляцией |
|
TO |
поперечные оптические фононы |
|
XANES |
ближняя тонкая структура |
|
|
рентгеновского спектра поглощения |
|
302 |
303 |
|
|
|
|
Для заметок |
Для заметок |
Монография
ГЕРАСИМЕНКО Николай Николаевич
ПАРХОМЕНКО Юрий Николаевич
КРЕМНИЙ — МАТЕРИАЛ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Редактор М.И. Воронова
Корректор Н.А. Ростовская
Оригинал-макет выполнен А.А. Космыниной
ÈÁ-65
ЛР ¹ 020777 от 13.05.98 Подписано в печать 00.09.2005. Формат бумаги 60Ч 90 1/16
Бумага офсетная ¹ 1. Печать офсетная. Печ. л. 19. Уч. изд. л. 20,8. Тираж 1000 экз. Изд. ¹ 188/090-А Заказ
DМИСИСD 119991, ГСП Москва, В-49, Ленинский проспект, 4
Отпечатано в соответствии с качеством предоставленного оригинал-макета в «ППП «Типография «Наука»
121099, г. Москва, Г-99, Шубинский пер., 6