BEDO (BURST EDO) ­ ПАКЕТНАЯ EDO RAM

Двукратное увеличение производительности было достигнуто лишь в BEDO­DRAM (Burst EDO).

Конструкторы добились сокращения времени цикла до 15 нс.

33

SDRAM (SYNCHRONOUS DRAM) ­

СИНХРОННАЯ DRAM

Другое усовершенствование ­ количество матриц (банков) памяти в SDRAM увеличено с одного до нескольких. Это позволяет обращаться к ячейкам одного банка параллельно с перезарядкой внутренних цепей другого, что вдвое увеличивает предельно допустимую тактовую частоту.

Помимо этого появилась возможность одновременного открытия двух (четырех) страниц памяти, причем открытие одной страницы (т.е. передача номера строки) может происходить во время считывания информации с другой, что позволяет обращаться по новому адресу столбца ячейки памяти на каждом тактовом цикле.

35

DDR SDRAM, SDRAM II (DOUBLE DATA RATE SDRAM)

SDRAM С УДВОЕННОЙ СКОРОСТЬЮ ПЕРЕДАЧИ

ДАННЫХ

Дальнее развитие синхронной памяти привело к появлению DDR­SDRAM ­ Double Data Rate SDRAM (SDRAM удвоенной скорости передачи данных). Удвоение скорости достигается за счет передачи данных и по фронту, и по спаду тактового импульса (в SDRAM передача данных осуществляется только по фронту).

Благодаря этому эффективная частота увеличивается в два раза ­ 100 MHz DDR­SDRAM по своей производительности эквивалента 200 MHz SDRAM. Правда, по маркетинговым соображениям, производители DDR­микросхем стали маркировать их не тактовой (рабочей) частой, а максимально достижимой пропускной способностью, измеряемой в мегабайтах в секунду. Т.е. DDR­1600 работает вовсе не 1.6 GHz, а всего лишь на 100 MHz. Соответственно, DDR­2100 работает на частоте 133 MHz.

36

СРАВНИТЕЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ОСНОВНЫХ ТИПОВ ПАМЯТИ

37

КОНСТРУКТИВНЫЕ ИСПОЛНЕНИЯ ПАМЯТИ DRAM

Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в виде модулей памяти типа:

SIPP,

SIMM,

DIMM,

RIMM.

38

КОНСТРУКТИВНЫЕ ИСПОЛНЕНИЯ ПАМЯТИ DRAM

Со времен появления полупроводниковой памяти и до начала 90­х годов все микросхемы памяти производились, продавались и устанавливались на плату компьютера по отдельности. Эти микросхемы вмещали от 1 Кбит до 1 Мбит информации и выше.

В настоящее время распространен другой подход. Группа микросхем монтируется на одну крошечную печатную плату и продается как один блок.

39

КОНСТРУКТИВНЫЕ ИСПОЛНЕНИЯ ПАМЯТИ DRAM

Модули типа SIPP (Single In­line Pin Package)

представляют собой прямоугольные платы с контактами в виде ряда маленьких штырьков. Этот тип конструктивного исполнения уже практически не используется, так как он далее был вытеснен модулями типа SIMM.

40

КОНСТРУКТИВНЫЕ ИСПОЛНЕНИЯ ПАМЯТИ DRAM

Модули типа SIMM (Single In­line Memory Module

— модуль памяти, имеющий выводы с одной стороны) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядом контактных площадок вдоль одной из её сторон. Модули фиксируются в разъёме (сокете) подключения с помощью защёлок путём вставления платы под некоторым углом и нажатия её до приведения в вертикальное положение.

Выпускались модули на 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайт. Наиболее распространены 30­ и 72­контактные модули SIMM.

41