АЛГОРИТМ ХЭММИНГА ДЛЯ 16­ БИТНЫХ СЛОВ

Найти неправильный бит можно и гораздо быстрее:

Сначала нужно подсчитать все биты четности;

Если они правильные, ошибки нет (или есть, но ошибка не однократная)

Если обнаружились неправильные биты четности, нужно сложить их номера. Сумма, полученная в результате, даст номер позиции неправильного бита.

23

КЭШ­ПАМЯТЬ

Процессоры работали всегда быстрее, чем память.

На практике получается следующее: после того как процессор дает запрос памяти, должно пройти несколько циклов, прежде чем он получит запрашиваемое.

Два способа решения:

программное (пустые циклы),

аппаратное (сложно реализуемое).

Оба варианта ведут к снижению производительности

24

КЭШ­ПАМЯТЬ

Технологически можно построить память, размещаемую прямо на микросхему процессора, однако это экономически не оправдано, а так же есть ограничения на размеры процессора.

Поэтому используют маленькую память с большой скоростью работы (кэш­память) и большую память с невысокой скоростью работы.

25

ОЗУ

Существует два типа ОЗУ (оперативное запоминающее устройство): статическое и динамическое.

Статическое ОЗУ (Static Random Access Memory, SRAM). Информация в ОЗУ сохраняется на протяжении всего времени, пока к нему подается питание.

Статическое ОЗУ работает очень быстро. Обычно время доступа составляет несколько наносекунд. По этой причине статическое ОЗУ часто используется в качестве кэш­памяти второго уровня.

27

ОЗУ

Динамическое ОЗУ (Dynamic Random Access Memory, DRAM) представляет собой массив ячеек, каждая из которых содержит транзистор и крошечный конденсатор. Конденсаторы могут быть заряженными и разряженными, что позволяет хранить нули и единицы.

Поскольку электрический заряд имеет тенденцию исчезать, каждый бит в динамическом ОЗУ должен обновляться (перезаряжаться) каждые несколько миллисекунд, чтобы предотвратить утечку данных.

28

ОЗУ

Поскольку динамическому ОЗУ нужен только 1 транзистор и 1 конденсатор на бит (статическому ОЗУ требуется в лучшем случае 6 транзисторов на бит), динамическое ОЗУ имеет очень высокую плотность записи (много битов на одну микросхему). По этой причине основная память почти всегда строится на основе динамических ОЗУ.

Однако динамические ОЗУ работают очень медленно (время доступа занимает десятки наносекунд). Таким образом, сочетание кэш­памяти на основе статического ОЗУ и основной памяти на основе динамического ОЗУ соединяет в себе преимущества обоих устройств.

29

ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ

Множество поколений интерфейсной логики, соединяющей ядро памяти с "внешним миром", сменилось за это время. Эволюция носила ярко выраженный преемственный характер ­ каждое новое поколение памяти практически полностью наследовало архитектуру предыдущего, включая, в том числе, и свойственные ему ограничения.

Ядро памяти (за исключением совершенствования проектных норм таких, например, как степень интеграции) не претерпело никаких принципиальных изменений.

30

EDO­DRAM (EXTENDED DATA OUT)

ПАМЯТЬ С УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫМ

ВЫХОДОМ

FPM постепенно замещается EDO, которая позволяет обращаться к памяти еще до того, как закончилось предыдущее обращение.

Такой конвейерный режим не ускоряет доступ к памяти, но зато увеличивает пропускную способность, выдавая больше слов в секунду.

32