Лекции / Миндеева / Вопросы к экзамену по курсу

Вопросы к экзамену по курсу «Микросхемотехника»

1. Классификация микроэлектронных изделий по технологии изготовления. схемотехнической реализации, функциональному назначению и степени интеграции

2. Этапы проектирования интегральных микросхем

3. Основные параметры ЦИС функциональные, режимные и технико-экономические

4. Измеряемые статические и динамические параметры цифровых ИМС и их определения

5. Статические и динамическая характеристики ИМС, определение рабочих ючек и измеряемых параметров

6. Технологический маршрут формирования биполярных ИС

7. Эквивалентная схема Эберса-Молла n-p-п биполярного транзистора Режимы работы транзистора Уравнения для токов

8. Cтруктуры и эквивалентные схемы Эберса-Молла горизонтального и вертикальною биполярных транзисторов p-n-р типа Уравнения для токов

9. Идеальный диод Разновидности структур диодного включения натуральных транзисторов Эквивалентная схема реального интегрального диода Аппроксимация ВАХ диода

10. Интегральные структуры резисторов Расчет сопротивления и эквивалентная схема ин1егральною резистора

11. Инте1ральные структуры конденсаторов Эквивалентные схемы конденсаторов и расче1 емкости

12. Разновидности полевых транзисторов Условное обозначение, структура и проходная характеристика

13. Физические параметры, эквивалентная модель, режимы работы МОП транзисторов и уравнения ВАХ

14. Этапы формирования самосовмещенной структуры КМДП пары транзисторов с Si* затвором

15. Логическая функция Основные тождества булевой алгебры Основные ло1ическис функции, их условные обозначения и таблицы истинности

16. Формы представления логических функций

17. Способы упрощения логических функций и приведения к элементной базе И-HL, ИЛИ- НЕ Минимизация логической функции с помощью карты Карно

18 Резистивно-транзисторная логическая схема Принцип работы по передаточной характеристике

19. Резистивно-транзисторная логическая схема. Входная и выходная характеристики. Влияние нагрузки на основные измеряемые параметры.

20. Эмиттерно-связанная логическая схема. Эквивалентная схема. Принцип работы по входной характеристике.

21. Передаточная и выходная характеристики эмиттерно-связанной логической схемы. Основные статические параметры.

22. Принцип работы и логическая функция многоярусной ЭСЛ схемы. Требования к входным и опорным напряжениям.

23. Диодно-транзисторная логика. Входная и передаточная характеристики. Влияние нагрузки на основные измеряемые параметры.

24. Принцип работы транзисторно-транзисторной логической схемы с простым инвертором. Влияние нагрузки на основные измеряемые параметры.

25. Транзисторно-транзисторная логическая схема с простым инвертором. Статические характеристики. Структура, эквивалентная схема и уравнения токов многоэмиттерного транзистора.

26. Принцип работы и передаточная характеристика транзисторно-транзисторной схемы со сложным выходным каскадом.

27. МДП цифровые ИС. Классификация логических инверторов на МОП транзисторах.

28. Принцип работы МОП инвертора с нелинейной нагрузкой. Совместная вольт-амперная и передаточная характеристики. Основные параметры.

29. Принцип работы МОП инвертора с квазилинейной нагрузкой. Совместная вольт- амперная и передаточная характеристики. Основные параметры.

30. Принцип работы МОП инвертора с токостабилизирующей нагрузкой. Совместная вольт- амперная и передаточная характеристики. Основные параметры.

31. Принцип работы комплементарного МОП инвертора. Совместная вольт-амперная и передаточная характеристики. Основные параметры.

32. Проектирование логических элементов И-НЕ, ИЛИ-НЕ в МДП базисе. Расчет эквивалентной крутизны группы переключающих транзисторов.

33. Расщепление передаточной характеристики МДП логического элемента, выполняющего функцию ИЛИ-НЕ. Определение крутизны транзисторов для наихудшего случая.

34. Классификация и особенности АИС. Принципы проектирования, области применения и номенклатура АИС.

35. Проводимости биполярного транзистора в малосигнальной эквивалентной схеме. Определение проводимости коллектора при подключении Zб и Zэ.

19. Проводимости полевого транзистора в малосигнальной эквивалентной схеме. Определение проводимости стока при подключении Zи

20. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора при включении с ОЭ. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

21. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора при включении с ОБ. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

22. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора при включении с ОК. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

23. Малосигнальная эквивалентная схема полевого транзистора при включении с ОИ. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

24. Малосигнальная эквивалентная схема полевого транзистора при включении с ОЗ. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

25. Малосигнальная эквивалентная схема полевого транзистора при включении с ОС. Входная, выходная и передаточная дифференциальные проводимости транзистора. Коэффициент усиления.

26. Источники тока на биполярном транзисторе. Основные параметры. Токовые зеркала.

27. Простое токовое зеркало на биполярном транзисторе. Соотношение токов. Выбор величины резистора, задающего ток. Определение основных параметров.

28. Схема токового зеркала Бокса-Уилсона. Соотношение токов. Выбор величины резистора, задающего ток. Определение основных параметров.

29. Схема составного источника тока. Выбор резисторов. Определение выходной дифференциальной проводимости.

30. Источник тока с несколькими выходами на биполярных транзисторах. Выбор резисторов. Определение выходной дифференциальной проводимости.

31. Источники тока на ПТШ. Основные параметры.

32. Источник тока на каскодно включенных ПТШ. Основные параметры.

33. Двухполюсные источники тока на ПТШ. Основные параметры.

34. Источники тока на МОП транзисторах. Основные параметры.

19. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с резистивной нагрузкой. Выбор рабочей точки. Основные параметры.

20. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с активной нагрузкой. Выбор рабочей точки. Основные параметры.

21. Двухкаскадный усилительный каскад на биполярном транзисторе с эмиттерным повторителем. Достоинства составного транзистора, включенного по схеме Дарлингтона.

22. Усилительные каскады на ПТШ. Выбор рабочей точки. Основные параметры.

23. Дифференциальный усилитель на биполярном транзисторе. Передаточная характеристика.

24. Дифференциальный усилитель на биполярном транзисторе. Расчет дифференциальной и синфазной передаточных проводимостей.

25. Дифференциальный усилитель на биполярном транзисторе. Расчет дифференциальной и синфазной входных проводимостей.

26. Дифференциальный усилитель на биполярном транзисторе. Расчет коэффициента усиления.

27. Дифференциальный усилитель с активной нагрузкой. Коэффициент усиления.

28. Определение операционного усилителя. Структурная схема. Параметры.

29. Способы включения операционного усилителя.

30. Преобразование входного и выходного сопротивления с помощью повторителя на операционном усилителе.

31. Электрическая схема операционного усилителя. Расчет коэффициента усиления операционного усилителя.

32. Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя. Определение основных параметров. Определение частоты среза и частоты единичного усиления.

33. Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя с обратной связью. Коррекция частотной характеристики операционного усилителя. Обеспечение запаса по фазе для устойчивой работы операционного усилителя.