Технология СБИС / sbis / s_kontr / t_iz / t_iz_8
.htmВОПРОС loc=""+location; inv=loc.indexOf("?")+1; for (var i=inv+2; i49) { msk=Math.pow(2,rnc); p_str=".htm?"+typ+"+"+tch+"+"+msk+"+"+prav; location="../m_sb/m_sb_"+rnc+p_str } else location="t_iz_"+rnc+p_str } else { if (tch>4) { location="../end"+p_str } else location="t_iz_"+rnc+p_str } } Для чего формируют скрытый низкоомный слой n+ кремния на подложке при производстве биполярных ИС?
Варианты ответов: Для уменьшения сопротивления коллектора
Для повышения напряжения пробоя перехода коллектор-база
Для увеличения быстродействия прибора
Выберите номер правильного ответа 1 2 3