Технология СБИС / sbis / okisl / okis_rto

Рост тонких окисловРост тонких окисловНеобходимость:

1. Интегральные схемы большой плотности - переход к пленкам 30 нм.

2. Промежуточные пленки от 5 до 100 нм - для предотвращения возникновения дефектов в кремниевой подложке структур с нитридом кремния.

Требования:

1. Медленный рост - необходимость воспроизведения параметров и однородность свойств. Уменьшение T и давления, но может быть уменьшение T и увеличение давления.

2. Степень чистоты используемых газов и очистка поверхности.

Сверхтонкие пленки (<5 нм) формируют в горячей азотной кислоте путем кипячения в воде или выдержки на воздухе при комнатной температуре.

Плотность окисла повышается с уменьшением T, но пассивирование ионов натрия при добавлении соляной кислоты в окислительную атмосферу происходит только в высокотемпературном диапазоне.

Разработан двухстадийный процесс окисления, в котором формирование пленок происходит при средних температурах (1000 °C) с использованием сухого кислорода и добавлением соляной кислоты в окислительную среду.

Второй этап заключается в термообработке в атмосфере при температуре 1150 °C для проведения пассивирования и доведения толщины окисла до необходимого уровня.

Перспективный метод окисления при пониженном давлении при T=900-1000 °C.