2. Диэлектрические пленки на кремнии
2.1. Термическое окисление кремния
Окисел кремния SiO2, полученный методом термического окисления, широко используется в технологии интегральных микросхем для различных целей:
- пассивации поверхности интегральных структур;
- изоляции приборов в схеме;
- маскирования поверхности полупроводника при диффузии и ионном легировании;
- в качестве подзатворного диэлектрика в МДП-приборах и структурах.
Механизм роста окисных пленок и их свойства в ряде случаев имеют определяющее влияние на параметры приборов и схем, вследствие чего необходимо обеспечить их контролируемое и воспроизводимое формирование. Это может быть достигнуто лишь на основе глубокого понимания физико-химических процессов роста окисла и зависимости физических характеристик от технологических условий окисления.
Окисление кремния при комнатной температуре
Окисел кремния образуется уже при комнатной температуре в результате адсорбции кислорода на поверхности кремния, например, сразу после травления полупроводника. Адсорбированный монослой кислорода взаимодействует с кремнием с образованием окисла и выделением значительного количества тепла:
Si + O2 SiO2 + 840 кДж/моль.
При этом адсорбированные атомы кислорода в силу их высокой электроотрицательности захватывают электроны из кремния и заряжаются отрицательно, а атомы кремния - положительно. После образования монослоя окисла кремния при дальнейшей адсорбции кислорода электроны из подложки кремния туннелируют через образовавшуюся диэлектрическую пленку, в результате чего возникает двойной электрический слой (отрицательно заряженные атомы кислорода на поверхности окисла и положительно заряженные атомы кремния на поверхности кремния). Так как диэлектрик очень тонкий, между ними создается электрическое поле, напряженность которого достигает 107 В/см, что достаточно для отрыва атома кремния от решетки. Ионы кремния дрейфуют через окисел к его поверхности, где вступают в реакцию с кислородом, так что образуется очередной слой окисла. Вновь адсорбируется кислород на поверхности окисла, заряжается отрицательно за счет туннелирования электронов из подложки, опять возникает двойной электрический слой и электрическое поле, вырывающее ионы кремния и вытягивающее их через окисел. Этот процесс продолжается до толщин окисла порядка 10 нм.
Величина электрического поля E определяется потенциалом ионизированных атомов кислорода, в окисле возникает разность потенциалов U, не зависящая от толщины окисла x. Скорость роста окисла имеет экспоненциальную зависимость от напряженности электрического поля для иона кремния, находящегося на расстоянии A от границы Si-SiO2:
,
где e - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; T - абсолютная температура. Поэтому с увеличением толщины окисла x скорость его роста экспоненциально уменьшается. При этом растет также толщина барьера для туннелирования электронов, уменьшая вероятность протекания этого процесса.
Вследствие этих причин толщина пленки окисла, вырастающего при комнатной температуре (естественный или первоначальный окисел), ограничивается толщиной 5 - 10 нм. Малая толщина и низкое качество этого окисла не позволяют использовать его в технологии интегральных микросхем.
Высококачественный окисел может быть получен лишь при окислении кремния при высокой температуре от 700 до 1150 °С.