- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
2. Потенциометры
Каскадное включение потенциометров. При каскадном включении нескольких потенциометров приходится уделять внимание влиянию одного потенциометра на другой. Транзисторная схема включения потенциометров позволяет избавиться от этого влияния. С помощью цепочки VDJ, КЗ в базе транзистора (рис. 2.8) устанавливается определенный потенциал, который влияет на протекающий через транзистор ток. Точное значение коллекторного тока устанав? ливается потенциометромR1. Максимальное значение этого тока определяется резисторомR2. Для указанных на схеме номиналов ре-зисторрв максимальный ток равен 10 мА, а минимальный ток — 1 мА. При максимальном токе напряжение в коллекторе равно 10 В, а при минимальном токе — 1 В. В результате на потенциометре R5 напряжение меняется от 0,1 до 1 В. Выходное напряжение схемы стабилизировано и не зависит от номинала входного источника питания, если оно превышает 15 В.


Рис. 2.8 Рис. 2.9
Потенциометр с квадратичной характеристикой. Выходное напряжение, которое снимается с потенциометра, изменяется по квадратичному закону в зависимости от угла поворота подвижного контакта. Напряжение меняется от 0,16 до 8,5 В. Точность установки выходного напряжения выше 1 % (рис! 2.9).
Сопротивление полевого транзистора. Сопротивление полевого транзистора меняется в зависимости от напряжения на затворе. Вид функции fc = f(Ucn) показан на рис. 2.10,а. Эта зависимость нелинейна. Включение двух резисторов в цепь ОС выравнивает характеристики полевого транзистора (ряс. 2.10,6). Сопротивления используемых резисторов зависят от типа полевого транзистора.
Мостовой управляемый резистор. При включении полевого транзистора в мостовую схему реализуется линейное изменение про-вюдимости цепи от управляющего напряжения. Динамический диапазон изменения проводимости равен 20 при максимальном уровне нелинейных искажений менее 1 % (рис. 2.11).
Управляемый резистор. Для получения линейного участка изменения сопротивления полевого транзистора применяют ОС В схеме на рис. 2.12, а цепь ОС выполнена на резисторах R1 иR2.-C помощью этой связи реализуется линейная зависимость тока, протекающего через транзистор, от напряжения на стоке. Графики представлены на рис. 2.12,6. Проводимость полевого транзистора меняется в зависимости от управляющего напряжения на затворе в соответствии с графиком на рис. 2.12, г. Для уменьшения тока, протекающего по цепи управления, в схеме на рис. 2.12, в применен ОУ: С помощью ОУ можно значительно уменьшить управляющие напряжения при том же диапазоне изменения проводимости полевого транзистора.

Рис. 2 10

Рис. 2.11

Рис. 2.12

Рис. 2.13
Управляемый делитель. В качестве переменного сопротивления в делителях напряжения можно применить полевой транзистор (рис. 2.13,а). Минимальное сопротивление транзистора определяется его крутизной Ro = lfS. Характер изменения сопротивления полевого транзистора изображен на рис. 2.13,6. На рис. 2.13, в показаны характеристики изменения сопротивления для различных транзисторов серии КП103 в зависимости от напряжения между затвором и истоком.
Если на управляющий вход подать переменный сигнал, а на вход — постоянный, то выходной переменный сигнал пропорционален постоянному сигналу.
