- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
Глава 6 модуляторы постоянного тока
Модуляторы постоянного тока применяются в различных исследованиях для измерения малых величин постоянного или переменного тока и в коммутаторах аналогового сигнала при сборе и обработке информации в многоканальных системах. Для измерения постоянного тока модуляторы подключают ко входу усилителя леременного сигнала. В качестве модуляторов применяют реле, вибропреобразователи, диодные и транзисторные переключатели. Лучшими характеристиками обладают транзисторные модуляторы. Эти модуляторы выполняют как на биполярных так и на полевых транзисторах.
Модуляторы на биполярных транзисторах используют в тех случаях, когда требуется гальваническая развязка между датчиком и управляющим сигналом. Если же сопротивление источника сигнала более 500 кОм, то следует применять полевые транзисторы.
Основным недостатком модулятора является то, что при отсутствии входного сигнала на его выходах присутствует постоянное напряжение, возникающее за счет токов утечки и импульсных сигналов, связанных с паразитными межэлектродными емкостями активных элементов. С этой точки зрения полевые транзисторы предпочтительнее, так как емкость затвор — канал у них значительно меньше межэлектродной емкости биполярных транзисторов. В открытом состоянии полевой транзистор представляет собой сопротивление. Биполярные транзисторы в открытом состоянии имеют остаточное напряжение. Например, интегральная микросхема К101КТ1 имеет остаточное напряжение 50 мкВ. Остаточное напряжение зависит от управляющего тока. При работе на модуляторах, собранных на биполярных транзисторах с низкоомным источником сигнала, уровень импульсных помех составляет 10 — 20 мкВ, а температурный дрейф 0,2 — 0,5 мкВ/град.
Значительное влияние на работу модулятора оказывают помехи, проникающие на вход усилителя переменного сигнала из цепей управления через паразитные емкости. Эти помехи могут иметь амплитуду до 70 мВ. Чтобы помехи не насыщали усилитель, необходимо применить схему компенсации.
Значительная часть существующих работ по модуляторам посвящена этому вопросу. Рассматриваются различные варианты уменьшения импульсных помех, а также влияние их на точность преобразования постоянного сигнала в переменный.
Таблица 6.1
Тип микросхемы |
Emax, B |
Eост, мВ |
I0. нА |
Rотк. Ом |
tвкл. мкс |
К101КТ1 |
|
0,1 |
40 |
120 |
|
К124УТ1 |
±30 |
0,1 — 0,3 |
50 |
100 |
— |
К162КТ1 |
±30 |
0,1 — 0,3 |
50 |
100 |
— |
К168КТ1.2 |
— |
0,1 |
10 |
100 |
1,5 |
К190КТ1 |
±20 |
10-4 |
100 |
300 |
2 |
К190КТ2 |
±20 |
10-4 |
50 |
50 |
2 |
К701МЛЗЗ |
±10 |
0.02 |
200 |
350 |
1,5 |
К701МЛ36 |
±30 |
0,2 |
200 |
70 |
2 |
К701МЛ37 |
±30 |
0,2 |
100 |
100 |
1,5 |
К284КН1А |
— 8, +10 |
— |
10 |
160 |
2,0 |
К284КН1Б |
±10 |
— |
10 |
250 |
2,0 |
Примечание: Emаx — максимальное напряжение переключаемого сигнала; Eост — остаточное напряжение; I0 — ток утечки; Rотк — сопротивление открытого ключа; tвил — время включения.
В табл. 6.1 приводятся параметры интегральных микросхем, которые применяют для переключения аналоговых сигналов.