- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
1. Преобразователи на транзисторах
Смеситель на полевом транзисторе.В схеме (рис. 14.1, а) полевой транзистор с квадратичной зависимостью тока стока от напряжения затвор — исток позволяет построить перемножитель двух сигналов с большим коэффициентом передачи. Преобразуемый сигнал подается на затвор, гетеродинный сигнал — на исток транзистора. Передаточные характеристики смесителя показаны на рис. 14.1,б.
Последовательный смеситель.Смеситель (рис. 14.2,а) построен на двух полевых транзисторах. Первый транзистор является динамической нагрузкой второго. Амплитуда гетеродинного сигнала, который подается в затвор транзистораVT2 (вход 2), модулируется преобразуемым сигналом, подводимым кВходу 1. При небольших значениях входного сигнала, когда отсутствуют нелинейные искажения, выходной сигнал имеет линейную зависимость. При входном сигнале более 1,2 В появляются нелинейные искажения.

Рис. 14.1

Рис. 14.2

Рис. 14.3
Смеситель работает в диапазоне звуковых частот. На частотах свыше 500 кГц начинают сказываться межэлектродные емкости, которые уменьшают коэффициент передачи смесителя. На рис. 14.2, б приведена передаточная характеристика смесителя.
Параллельный смеситель. В смесителе (рис. 14.3, а) перемножение двух сигналов осуществляется за счет квадратичной зависимости тока стока от напряжения затвор — исток полевых транзисторов. Для выравнивания параметров транзисторов включен балансирующий резисторR2. Оба входа смесителя являются идентичными. Устройство работает с нулевых частот. На рис. 14.3,б приведена передаточная характеристика смесителя.
Смеситель с перекрестными связями.Балансный смеситель (рис. 14.4) позволяет подавить составляющие с частотой сигнала гетеродина, который подается наВход 2. Регулировка баланса осуществляется резисторомR2. Когда навходе 2 действует положительная полуволна, то транзисторVT1 открывается, а транзисторVT2 закрывается. В коллекторе транзистораVT1 появляется импульс отрицательной полярности. При отрицательной полярности входного сигнала состояние транзисторов меняется и в коллекторах будет также отрицательный сигнал. В результате этого на выходе происходит удвоение частоты входного сигнала. Аналогичный процесс наблюдается и для сигнала, действующего наВходе 1. При одновременном действии двух сигналов на выходе образуется смесь частот. Комбинационные сигналы на выходе представляют собой верхнюю и нижнюю боковые частоты входных сигналов — четные гармоники входного и гетеродинного сигналов. Устройство работает от низкоомного источника. Амплитуду сигнала гетеродина желательно брать на порядок больше амплитуды входного сигнала.


Рис. 14.4 Рис. 14.5

Рис. 14.6
Балансный смеситель на биполярных транзисторах. Балансный смеситель (рис. 14.5) построен на транзисторахVT2 иVT3. ТранзисторыVT1 иVT4 являются змиттерными повторителями. Для получения подавления несущей частоты на выходе смесителя необходимо в эмиттере транзистораVT4, в базу которого подается сигнал гетеродина, иметь постоянный потенциал 0,3 В. В этом случае в коллекторах транзисторовVT2 иVT3 амплитуды положительных и отрицательных полуволн сигнала гетеродина будут равны. Это связано с тем, что у транзистора разные уровни открывания при прохождении сигнала через базовую или через эмиттерную цепь. Смеситель начинает работать от сигналов с амплитудой более 0,5 В. Подавление несущей частоты более 50 дБ. Схема работает в широком диапазоне частот. Для сигналов с частотой более10D кГц целесообразно в коллекторах транзисторов иметь резонансный контур. Для низкочастотных сигналов контур следует заменить на резистор 2 кОм с параллельным конденсатором.
Балансный смеситель на двух транзисторах. Смеситель (рис. 14.6, а) построен на двух транзисторах, которые периодически открываются в зависимости от полярности сигнала гетеродина, подключенного коВходу 2. В коллекторах транзисторов присутствует продетектированный сигнал гетеродина. Равномерность амплитуды этого сигнала осуществляется регулировкой резистораR2.

Рис. 14.7

Рис. 14.8
При тщательной настройке схемы на выходе существует сигнал с двойной частотой гетеродина. Преобразуемый сигнал поступает на Вход 1. Он модулирует выпрямленный сигнал гетеродина. Выходной сигнал с разностной частотой выделяется фильтромR7, R8, СЗ, C4. Устройство работает от десятков герц и выше. На рис. 14.6,6 приведена передаточная характеристика смесителя.
Смеситель на двухзатворном транзисторе.Смеситель (рис. 14.7) работает в широком диапазоне частот. На частоте 50 МГц коэффициент преобразования более 8 при амплитуде гетеродина 1 В. Динамический диапазон может превышать 60 дБ. Он зависит от типа применяемого транзистора. Коэффициент перекрестных искажений в каскаде менее 1 %, а коэффициент гармоник на промежуточной частоте 1 МГц менее 0,5%.
Балансный смеситель на полевых транзисторах. Балансный смеситель (рис. 14.8) преобразует частоту входного сигнала за счет квадратичности вольт-амперной характеристики. Входной сигнал с частотой 100 МГц преобразуется в сигнал с частотой 25 МГц. Полоса пропускания выходного контура составляет 200 кГц. Амплитуда сигнала гетеродина равна 1,5 В. Динамический диапазон входных сигналов составляет 60 дБ при коэффициенте шума около 10 дБ. Коэффициент преобразования смесителя оавен 8.
