- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
2. Преобразователи формы сигнала
Транзисторная схема триггера Шмитта.Триггер Шмитта (рис. 1311,а) является двухкаскадным усилителем с нелинейной ПОС. Когда на входе напряжение отсутствует, транзисторVT1 закрыт. На его коллекторе существует напряжение, которое открывает транзисторVT2. Эмиттерный ток транзистораVT2 создает падение -напряжения на сопротивленииR3, которое закрывает транзисторVT1. Если входное напряжение превысит напряжение в эмиттере, то транзисторVT1 откроется и перейдет в насыщение.

Рис. 13.11
В результате потенциалы базы и эмиттера транзистора VT2 будут равны. ТранзисторVT2 закроется. На выходе установится напряжение, равное напряжению питания.
При уменьшении входного напряжения транзистор VT1 выходит из режима насыщения. Наступает лавинообразный процесс. Эмиттерный ток транзистораVT2, создающий закрывающее напряжение на резистореR3, ускоряет закрывание транзистораVT1. В результате триггер возвращается в исходное состояние. Основные характеристики схемы показаны на рис. 13.11,б.

Рис. 13.12
Триггер Шмитта на ОУ.Здесь (рис. 13.12, а) в качестве порогового элемента используется ОУ с ПОС. Связь зависит от сопротивлений резисторов. Для простоты расчета основных характеристик схемы можно принятьR1 равным 10 Ом. После того как будут рассчитаны резисторыR2 иR3, можно все номиналы пропорционально умножить на коэффициент, который обеспечит подходящие сопротивления резисторов. РезисторыR2 иR3 рассчитываются по формулам

Однако сопротивления резисторов не должны превышать 1/10 входного сопротивления ОУ. Эпюры входного и выходного напряжений приведены на рис. 13.12, б.

Рис. 13.13
Гистерезисная пороговая схема на ОУ. Для выбора параметров схемы (рис. 13.13) следует предположить, что входное сопротивление усилителя значительно больше сопротивлений применяемых резисторов, а выходное сопротивление значительно меньше сопротивления нагрузки. При равенстве E1=E2 можно написатьEi=E2= = R2Eн/(Rl+R2). ЗначениеE2определяется какE2=RA/(R3+Rt)Ea+ +R3/(R3+R4)EO. Приравнивая эти уравнения, получимEВ=
![]()
Нулевое напряжение смещения получается при условии R1R2/(R1+R2)=R3R4/(R3+R4). Напряжения, при которых схема переходит из одного состояния в другое, определяется из уравнений
![]()
С помощью этих выражений получим R4=R3(Eol — E02)/(U1— U2).
Гистерезисные схемы на усилителе К284УД1. На рис. 13.14 приведены четыре схемы на ОУ К284УД1, которые имеют передаточные характеристики гистерезисного вида. Основные параметры характеристик можно рассчитать по следующим формулам.
Для схемы рис.


Uсм— напряжение смещения микросхемы;E0,Emax, Emin, Uсм берутся с учетом знака.

Рис. 13.15

Рис. 13.16
Ограничитель с управляемыми порогами срабатывания. Усилитель-ограничитель построен на трех ОУ (рис. 13.15) и создает выходной сигнал, пропорциональный входному сигналу до тех пор, пока входной сигнал находится между уровнями ограничения. Пороги ограничения устанавливаются на входе ОУ DA2 иDA3. Когда выходной сигнал превышает эти уровни, открывается один из усилителей и через диод подается сигнал ООС на вход ОУDA1. Коэффициент усиления ОУDA1 резко уменьшается. Происходит ограничение входного сигнала. Уровни ограничения в интегральных микросхемах могут меняться от нуля до максимально допустимого напряжения на входе ОУ.
Двухполярный ограничитель на интегральной микросхеме.В ограничителе (рис. 13.16) пороговыми элементами являются два транзистора. Уровни ограничения устанавливаются напряжением на базах. Когда входной сигнал меньше 0,3 В (при уровнях ограничения ±3 В), он полностью передается на выход ОУ с коэффициентом усиления 10. При превышении входным сигналом этого значения открывается транзистор и коэффициент усиления резко уменьшается. Положительная полярность входного сигнала ограничивается транзисторомVT2, а транзисторVT1 ограничивает отрицательную полярность входного сигнала. Уровни ограничения можно менять в широких пределах: от нуля до максимального выходного сигнала интегральной микросхемы.
Односторонние ограничители. В ограничителях (рис. 13.17) цепь ООС состоит из нелинейных элементов. Для положительного входного сигнала применяется схема рис. 13.17,а, а для отрицательного сигнала — рис. 13.17, б. Когда напряжение на выходе ОУ не превышает напряжения пробоя стабилитрона, выходной сигнал линейно зависит от входного сигнала с коэффициентом передачиR2/R1. Когда напряжение на выходе ОУ больше напряжения пробоя стабилитрона, происходит ограничение. В этом случае коэффициент передачи ОУ резко падает до (rд+rс)/R1, гдеrД, rс — внутренние сопротивления диода и стабилитрона. Порогом ограничения можно управлять с помощью напряженияЕ. Это напряжение можно менять в широких пределах, причем уровень ограничения может увеличиваться, уменьшаться и даже менять знак. В приведенной схеме можно использовать ОУ различных типов.

Рис. 13.17

Рис. 13.18
Двухсторонний ограничитель.Схемы (рис. 13.18) имеют два порога ограничения. Один порог ограничения определяется напряжением пробоя стабилитрона, а второй зависит от падения напряжения на открытом стабилитроне. Прямое падение напряжения стабилитрона близко к значению 0,7 В. Если в схеме (рнс. 13.18, а) управляющее напряжение имеет положительную полярность, то уровень пробоя стабилитрона уменьшается. При отрицательной по=-лярности управляющего напряжения происходит смещение напряжения пробоя стабилитрона в прямом направлении и тем самым повышается нижний уровень ограничения.
При всех значениях управляющего напряжения на входе появляется постоянная составляющая, которая иногда может привести к нежелательным последствиям. Чтобы исключить влияние управляющего напряжения на вход, в схеме (рис. 13.18, б) применена токовая регулировка порогами ограничения. Напряжение на выходе меняется в зависимости от управляющего сигналаUВЫХ=(R2/R3)E. На инвертирующем входе напряжение остается равным нулю. Меняя полярностьЕ, можно устанавливать разные уровни ограничения. В ограничителе можно применить различные ОУ.
Ограничитель с динамическим порогом.Операционный усилитель, являющийся основным элементом ограничителя (рис. 13.19), имеет две цепи ООС: положительная полярность входного сигнала проходит через диодVD2 и резисторR3, а отрицательная полярность — черезVD1 иR2. На выходе включен интегрирующий фильтр с общей для обеих цепей емкостью, на которой выделяется разностная постоянная составляющая. Если входной сигнал симметричен относительно нулевого значения, то на конденсаторе приR4 — R5 будет нулевой потенциал. При возникновении асимметрии постоянная составляющая, выделенная на конденсаторе будет действовать на инвертирующем входе ОУ. Это напряжение будет порогом ограничения входного сигнала. Продолжительность действия порога ограничения зависит от времени разряда конденсатора через резисторыR4 иR5. Если параллельно резисторамR4 иR5 включить диоды, то можно разделить цепи разряда и заряда конденсатора.


Рис. 13.19 Рис. 13.20
«Гистерезисный» ограничитель.Для рассмотрения работы ограничителя (рис. 13.20) положимE= 0. На стабилитроне за счет ПОС устанавливается напряжениеUc. На неинвертирующем входе присутствует пороговое напряжение, равноеU0= (R1/R2) Uc. При превышении входным сигналом напряженияU0 ОУ переключается. На выходе появляется сигнал отрицательной полярности. Положительная обратная связь отключается. В исходное состояние ОУ возвращается при нулевом входном сигнале.
Для напряжения UC>E>0 ОУ переключается при напряжении на входеU1 — E+(R1/R2)U0. В исходное состояние ОУ возвращается при входном сигнале, равномЕ. ЕслиE>UC, то ОУ работает как ограничитель входного сигнала с порогомE. При замене стабилитрона транзистором с регулируемым базовым напряжением можно получить ограничитель с меняющейся границей переключения.
Ограничитель на стабилитронах.Ограничитель низкочастотных сигналов состоит из ОУ, коэффициент усиления которого определяется отношением сопротивлений резисторовR2/R1, и двумя стабилитронами, включенными навстречу друг другу (рис. 13.21,а). Этот ограничитель из-за большой емкости стабилитронов удовлетворительно работает с сигналами, частоты которых меньше 5 кГц. Для ограничения сигналов, частоты которых лежат выше 100 кГц, лучше использовать схему на рис. 13.21, б. Здесь стабилитрон включен в диагональ моста и через него протекает ток. В этом режиме стабилитрон находится в области малого внутреннего сопротивления и влияние его емкости значительно ослаблено. В результате на порядок увеличивается частотный диапазон ограничителя. Температурный дрейф первого ограничителя равен 10 мВ/град, а второго — 1 мВ/град.

Рис. 13.21


Рис. 13.22 Рис. 13.23
Преобразователь синус-меандр.Формирователь (рис. 13.22) преобразует напряжение синусоидальной формы в импульсное. Амплитуда прямоугольного выходного сигнала прямо пропорциональна амплитуде гармонического сигнала. Входной сигнал (более 0,5 В) проходит через диодVD2 и заряжает конденсатор С1. Постоянное напряжение на этом конденсаторе служит напряжением питания для транзистора. Входной сигнал проходит в базовую цепь транзистора через резисторR2. С частотой входного сигнала переключается транзистор. Для улучшения фронта прямоугольного импульса параллельно резисторуR2 включен конденсатор. Максимальная рабочая частота формирователя равна 20 кГц.
Ограничитель гармонического сигнала.Устройство (рис. 13.23) преобразует гармонический сигнал в импульсный. Отрицательная полуволна гармонического сигнала через диодVD2 заряжает конденсатор. За это время открывается транзистор. Положительная полуволна закрывает транзистор. В результате постоянное напряжение на конденсаторе преобразуется транзистором в переменное. Частота следования импульсов определяется частотой входного сигнала. Минимальный сигнал, с которого начинается преобразование, равен 200 мВ.
