- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
1. Однокаскадные генераторы
Однокаскадный генератор.Генератор (рис 0 !) собран на одном транзисторе, в цег ОС которого включен дпойной Т-образный мост Режим транзистора по постоянному току устанавливается с помощью тех же резисторов, что иRC-фильтр моста. В зависимости от параметров моста схема генерирует колебания с частотами от 20 Гц до 20 кГц. При указанных на, схеме номиналах элементов частота генерации равна 1 кГц. В небольших пределах (меньше 20%) частоту колебаний можно регулировать с помощью резистораR4. Для подавления колебаний более высокой частоты, которые возникают совместно с колебаниями основной, следует включить резисторR5. Вспомогательные колебания возникают в основном в кремниевых транзисторах с большим коэффициентом передачи по току. Частота выходного сигнала определяется выражениемfo=16*104/RC, гдеf— в герцах,R — в омах, С — в микрофарадах. Двухкаскадный генератор. Параметры схемы (рис. 9.2) можно рассчитать по формулам. Определяется минимально возможное сопротивление резистораR4 из выраженияR4>Uu/I, гдеUa— напряжение питания,I— максимально допустимый ток транзистораVT2. Для выполнения условий возбуждения необходимо положить коэффициентY=0,05 (входит в выражение для определенияR3<YR4/(l — Y)). При определении сопротивления резистораR2 необходимо руководствоваться неравенствомR2>R4, а для определения емкостей конденсаторовС1 иС2 — формуламиC2 =1/w0R2 иC1>2C2/h21ЭY. гдеh21э— коэффициент передачи тока транзистораVT1. Сопротивление резистораR1 определяется формулойR1>2h213R2. Для тех номиналов элементов, которые указаны на схеме, частота генерации равна 2 кГц. Для уменьшения нелинейных искажений необходимо подобрать сопротивление резистораR4 илиR3.



Рис. 9.1 Рис. 9.2 Рис. 9.3
Генератор на полевом транзисторе.Генератор инфранизкой частоты (рис. 9.3) имеет амплитуду выходного сигнала 12 В. Частота колебания равна 1 Гц. В генераторе применена ООС (резисторыR2 иR3), которая стабилизирует параметры выходного сигнала. Применение в мосте Вина резисторов больших сопротивлений значительно сократило габариты конденсаторов и тем самым уменьшило отклонение частоты от расчетного значения.

Рис. 9.4
Генератор с отрицательным сопротивлением. НизкочастотныйLC-генератор (рис. 9.4, а) собран на двух полевых транзисторах, которые образуют устройство с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис. 94,6). Для установки рабочей точки яа базе транзистораVT1 меняется напряжение. С помощью этого напряжения меняется амплитуда выходного сигнала. Частота сигнала 1 кГц, амплитуда сигнала около 1 В.
Низкочастотный RC-генератор.Генератор (рис. 9.5) собран на четырехзвенной фазосдвигающей цепочке. Частоту выходного сигнала можно рассчитать по формуле
![]()
где R — в кило-омах,С — в микрофарадах. Коэффициент нелинейных искажений менее 1%. Для надежного возбуждения генератора необходимо применять транзисторы с коэффициентом передачи тока более 50.


Рис. 9.5 Рис. 9.6
Генератор с автоматической регулировкой амплитуды сигнала. Генератор (рис. 9 6) собран на полевом транзисторе VT1 с двойным Т-образным мостом в цепи ОС. Для стабилизации амплитуды выходного сигнала в коллекторах транзисторовVT2 иVT3 колебания выпрямляются детектором, собранным на элементахС6, С7, VD1, VD2. На выходе детектора формируется постоянное напряжение положительной полярности. Когда колебания в генераторе отсутствуют, через резисторR11 протекает ток, открывающий транзисторVT4. В цепь истока полевого транзистора включен резисторR8. Сопротивление этого резистора устанавливает такой ток через транзисторVT1, при котором крутизна его максимальна. При генерации напряжение с детектора подзапираетVT4, уменьшая крутизнуVT1 и тем самым стабилизируя амплитуду генератора. Частота генерируемых колебаний 1 кГц. Для увеличения или уменьшения частоты выходного сигнала необходимо пропорционально изменить номиналы элементовR1—R3, С2—С4. Меняя соотношение резисторовR10 иR11, можно менять амплитуду выходного сигнала.
