
- •Радиоэлектронные устройства (справочник) Издательство «Радио и связь», 1984 предисловие
- •Глава 1 микросхемы и схемы их включения
- •1. Микросхемы серии к140
- •2. Микросхемы серии к153
- •3. Микросхемы серии k154
- •4. Микросхемы серии к157
- •5. Микросхемы серии к544
- •6. Микросхемы серии к574уд1
- •Глава 2 эквиваленты радиоэлементов
- •1. Резисторные мосты
- •2. Потенциометры
- •3. Аттенюаторы
- •4. Эквиваленты конденсаторов
- •5. Эквиваленты диодов и транзисторов
- •6. Параметры контура
- •7. Преобразователи сопротивлений
- •8. Преобразователи тока
- •9. Преобразователи «напряжение — ток»
- •10. Каскодное включение
- •Глава 3 двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •I. Схемы с характеристикой s-вида
- •2. Схемы с характеристикой n-вида
- •Глава 4 усилители
- •I. Управление коэффициентом усиления
- •2. Сдвоенные оу
- •3. Расширение возможностей оу
- •4. Усилители мощности
- •5. Предусилителй с управляемыми параметрами
- •6. Усилители с непосредственными связями на транзисторах
- •7. Усилители с частотно-зависимым коэффициентом усиления
- •8. Электрометрические усилители
- •9. Усилители с непосредственными связями
- •10. Многокаскадные усилители
- •II. Кабельные усилители
- •12. Мостовые усилители
- •13. Измерительные усилители
- •14. Чувствительные упч
- •15. Полосовые усилители
- •16. Усилители с ару
- •Глава 5 фильтры
- •1. Фильтры с полосой пропускания до 1 кГц
- •2. Многозвенные фильтры
- •3. Управляемые фильтры
- •4. Фильтры на микросхемах
- •5. Фильтры на транзисторах
- •6. Фильтры с повторителями напряжения
- •7. Фильтры на усилителях
- •8. Полосовые фильтры
- •9. Перестраиваемые фильтры
- •Глава 6 модуляторы постоянного тока
- •1. Переключатели на микросхемах
- •2. Переключатели на биполярных транзисторах
- •3. Переключатели на полевых транзисторах
- •4. Переключатели со схемой управления
- •Глава 7 модуляторы переменного тока
- •1. Модуляторы на полевых транзисторах
- •2. Модуляторы гармонических колебаний
- •3. Модуляторы со схемой управления
- •4. Модуляторы вч колебаний на биполярных транзисторах
- •5. Модуляторы на оу
- •Глава 8 детекторы
- •1. Двухполупериодные детекторы
- •2. Детекторы вч сигналов
- •3. Детекторы с оу
- •4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
- •5. Частотные детекторы
- •6. Фазовые детекторы
- •7. Однотактные детекторы
- •8. Двухтактные детекторы
- •Глава 9 генераторы гармонических колебаний
- •1. Однокаскадные генераторы
- •2. Многодиапазонные генераторы
- •3. Генераторы на микросхемах
- •4. Генераторы многофазных сигналов
- •5. Генераторы с управляемой амплитудой сигнала
- •6. Многозвенные генераторы
- •Глава 10 импульсные генераторы
- •1. Генераторы на транзисторах
- •2. Генераторы на микросхемах
- •Глава 11 генераторы сигналов специальной формы
- •1. Импульсные генераторы
- •2. Генераторы сигнала пилообразной формы
- •3. Управляемые генераторы
- •4. Генераторы на оу
- •5. Генераторы сложных сигналов
- •Глава 12 управляемые импульсные генераторы
- •1. Двухкаскадные релаксаторы
- •2. Трехкаскадные релаксаторы
- •3. Многокаскадные релаксаторы
- •4. Релаксаторы на логических элементах
- •5. Преобразователи на оу и компараторах
- •6. Счетчики импульсов
- •Глава 13 компараторы, сравнивающие устройства, ограничители
- •1. Ограничители
- •2. Преобразователи формы сигнала
- •3. Пороговые устройства
- •Глава 14 преобразователи частоты
- •1. Преобразователи на транзисторах
- •2. Преобразователи на микросхемах
- •3. Умножители частоты
- •Глава 15 преобразователи сигналов
- •1. Фазочувствительные схемы
- •2. Схемы формирования абсолютного значения
- •3. Умножители
- •4. Аппроксиматоры
- •5. Фазосдвитающие схемы
- •6. Интеграторы, дифференциаторы
- •7. Преобразователи сигналов
- •Глава 16 стабилизаторы напряжения и тока
- •1. Формирователи опорного напряжения
- •2. Маломощные транзисторные стабилизаторы
- •3. Микросхемные стабилизаторы
- •4. Мощные стабилизаторы
- •5. Стабилизаторы с защитой
- •6. Стабилизаторы с оу
- •Глава 17 преобразователи напряжения
- •1. Выпрямительные мосты
- •2. Транзисторные преобразователи
- •3. Двухкаскадные преобразователи
- •5. Умножители напряжения
- •Приложение. Указатель схем включения микросхем и их зарубежные аналоги
- •Глава I. Микросхемы и схемы их включения
- •Глава 2. Эквиваленты радиоэлементов
- •Глава 3. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением
- •Глава 4. Усилители
- •Глава 5. Фильтры
- •Редакция литературы по электронной технике
- •Радиоэлектронные устройства (справочник)
4. Детекторы с нелинейными передаточными характеристиками
Пиковый детектор на транзисторах.При отсутствии на входеAM сигнала транзисторыVT1 иVT2 (рис. 8.14) закрыты. Напряжение на конденсаторахCI иС2 равно нулю. Входной сигнал через эмиттерный повторитель на транзистореVT1 проходит на базу транзистораVT2. Импульс отрицательной полярности проходит через два транзисторных перехода. Через переход база — коллектор заряжается конденсаторС2, а через переход база — эмиттер — конденсаторС1. В этом случае транзистор работает как два диода. При отсутствии входного сигнала конденсатор С1 разряжается через переход база — эмиттерVT3 и резисторR2. Напряжение на конденсатореС2 остается без изменения. Если последующий входной импульс будет иметь большую амплитуду, чем предыдущий, то вновь откроется два перехода транзистораVT2 и произойдет заряд коненсаторов до нового уровня входного сигнала. В том случае, если входной импульс будет меньше по амплитуде, то откроется толь ко переход база — эмиттер. Тран зисторVT2 работает как триод КонденсаторС2 разряжается через транзисторVT2 на конденсатор С1. Процесс разряда будет происходить до тех пор, пока потенциалы этих конденсаторов не сравняются. Напряжение на них будет равно амплитуде входного сигнала. Постоянная времени заряда конденсатораС2 равна 2,5 мкс, постоянная времени разряда — 40 или 0,6 мкс в зависимости от режима работы транзистораVT2. Точность детектирования огибающей не хуже 2,5% при частоте 100 кГц. Минимальная амплитуда входного сигнала 20 мВ.
Рис. 8.14 Рис. 8.15
Рис. 8.16
Частотно-зависимый амплитудный детектор. Выходной сигнал детектора (рис. 8.15, а) снимается с диагонали моста, который включен в цепь ООС ОУ. Коэффициент передачи детектора зависит от элементов ООС R3, R2 и С, а также от сопротивления компенсирующего резистораR1. Коэффициент передачи определяется выражением
На рис. 8.15,6 приведена зависимость выходного напряжения от частоты.
Квадратичный детектор с аппроксимацией. Детектор (рис. 8.16) состоит из двух симметричных устройств. На вход ОУDA1 приходит отрицательная полярность входного сигнала, а на вход ОУDA2 — положительная. Когда входной сигнал отрицательной полярности имеет уровень меньше 1 В, коэффициент усиления микросхемы определяется отношениемR6/R1 и равен единице. Как только входной сигнал превысит уровень 1 В открывается транзисторVT1 и коэффициент усиления усилителя меняется. На выходе интегральной микросхемыDA1 сигнал удваивается. При дальнейшем увеличении входного сигнала будут последовательно открываться остальные транзисторы. Таким образом, квадратичная зависимость выходного сигнала будет аппроксимирована линейными участками. Воз-рая половина схемы для положительной полярности входного сигнала работает аналогичным образом. Верхняя граничная частота входного сигнала определяется граничной частотой работы ОУ.
5. Частотные детекторы
Детектор на дифференцирующем каскаде.В основу частотного детектора (рис. 8.17, а) положен каскад усилителя с неравномерной частотной характеристикой. Коэффициент усиления усилителя равенoR2Ci. К коллектору транзистораVJ2 подключен детектор. Постоянное напряжение на выходе детектора пропорционально частоте входного сигнала. На рис. 7.17,а показаны три графика зависимости выходного сигнала от частоты при различных емкостях конденсатораCL Линейная зависимость наблюдается для емкости 6 нФ. На частоте 100 кГц коэффициент передачи детектора равен 100.
Рис. 8.17
Рис 8.18
Детектор с фазовым звеном.Частотный детектор (рис 8 18) построен по принципу синхронного детектирования Входной сигнал через транзисторVT1 проходит на базы транзисторовVT2 иVT3 ТранзисторVT2 совместно с элементамиС! иR6 образуют фазосдвнгающин каскад ЦепочкаR6 и С1 имеет частоту среза 1 кГц На этой частоте выходной сигнал транзистораVT2 сдвинут на 90° относительно входного сигнала В каскаде на транзистореVT3 входной сигнал усиливается и ограничивается Этот сигнал управляет работой полевого транзистораVT4, который работает в ключевом режиме и управляет цепью, через которую проходит сдвинутый по фазе входной сигнал Интегратор на элементахR11 иС4 выделяет постоянную составляющую Зависимость постоянной составляющей от частоты входного сигнала, имеющего амплитуду 2 В, приведена на рис 8 18
Активные частотные детекторы.Четыре схемы частотных детекторов (рис 8 19) построены по одному принципу Частотно-зависимым элементом в схемах являетсяRC цепочка Сигнал на резистореR2 в схеме рис 819, с сдвинут относительно входного сигнала на определенный фазовый угол Фазовый сдвиг зависит от частоты входного сигнала Сигнал на базе управляет транзисторомVT, выходной ток которого заряжает конденсаторС2 Значение тока определяется сопротивлением резистораR1 Функции интегрирования выходного сигнала выполняют элементыRI, C2 Кроме того, резистор R1 является элементом фазосдвигающей цепочки
В схеме рис 819,6 фазосдвигающая цепочка построена на элементах R1, С1, а интегрирующая цепочка — наR2, С2. Частотные характеристики обоих детекторов имеют в области низких частот неравномерный участок, который ограничивает рабочий диапазон устройства Чтобы уменьшить этот участок, в следующих схемах включен дополнительный транзистор На рис 819,в детектор имеет частотную характеристику, неравномерный участок которой перемещен к частотам менее 2 кГц Введение дополнительного транзистора в схеме с ОБ позволило создать детектор (рис 819, г), частотная характеристика которого является линейной и имеет большую крутизну, чем все предыдущие Амплитуда входного сигнала равна 3 В Все схемы проиллюстрированы частотными зависимостями выходного напряжения
Детектор с фазовым мостом.В основе частотного детектора (рис 8 20, а) лежат две схемы мостового фазовращателя и балансного фазового детектора Фазовращатель собран наRl, R2 иС1.С2, а фазовый детектор состоит из следующих элементовVD1, VD2, R3, R4, СЗ, С4 Выходное напряжение фазовращателя используется ках коммутирующее напряжение для детектора При изменении частоты входного сигнала от 0 до оо сдвиг фазы выходного сигнала на выходе фазовращателя будет меняться от 0 до 180° Для частоты w=1/RС = 2,1 МГц сдвиг фазы будет равен 90°. Для этого сдвига фазы на выходе детектора будет нулевое напряжение. При других значениях фазового сдвига напряжение на выходе детектора является положительным или отрицательным. Коэффициент передачи детектора в зависимости от частоты сигнала определяется выражениемUBЫХ/Uвых max=(w02 — w2)/(w02+w2). На рис. 8.20,б приведена характеристика детектора.
Рис 8.19
Рис. 8.20
Рис. 8.21
Частотный детектор на интегральной микросхеме К224ДС2. Принципиальная схема микросхемы приведена на рис. 8.21, а. Симметричный детектор отношений (рис. 8.21,6) предназначен для работы с частотой от 6 до 20 МГц. Для симметрирования плеч детектора между выводами 3, 5 включен резистор R.