Доходность производства
Удельная (долларов США с 1 см2 пластины)
|
Лучшие |
Средние |
||
Тип изделий |
производ- |
производ- |
||
|
ства |
ства |
||
Микропроцессоры |
49 |
– 90 |
22 |
– 38 |
Специализированные |
15 |
– 21 |
12 |
– 14 |
СБИС |
|
|
|
|
ДОЗУ |
15 |
– 20 |
9 – 11 |
|
Аналоговые |
4,5 |
– 5,5 |
|
4 |
(дискретные) |
|
|
|
|
Это – микроэлектроника!
•КМДП с длиной по затвору 70 нм имеет частоту среза 150 ГГц, а задержка в инверторе составляет 15 пс при напряжении питания 1,5 В
•К 2009 году показатели кремниевой технологии должны удовлетворять требованиям:
-0,01 см2/ГОПС (гига операций в секунду) для процессора
-1,4 см2/Гбайт для памяти
Причинно-следственные связи
Возможность Следствие
Технология позволяет |
Возможность реализации |
изготовить сотни |
мобильных ИТ устройств |
миллионов транзисторов |
массового применения |
на кристалле |
|
Технология допускает |
Появляется возможность |
объединение на кристалле |
создать систему на уровне |
цифровых, аналоговых, |
кристалла (пластины) |
РЧ |
|
Отставание производительности проектирования
Однокристальный трансивер
Систематика проектирования SEMATECH
Области
применения
(однокристальные)
Компьютеры:
Микропроцессор Сигнальный п/р Другие
Телекоммуникации:
Сетевые
Беспроводные/РЧ
Бытовые:
Видео и Аудио Графика
Тип проекта: |
Тип проекта: |
Логика |
Другие |
Стандартные Специализиро- Аналоговые Смешанные
изделия |
ванные СБИС, |
радиочас- |
сигналы |
массового |
мелкосерийные |
тотные |
|
производства |
|
|
|
+ |
СНП |
|
+ |
СНП |
«Ядра» |
|
+ |
«Ядра» |
|
СНП |
|
|
+ |
|
|
СНП |
|
+ |
|
|
Требования к технологии проектирования
Реальная СНК
