Для выбранных транзисторов:

Выбор резисторов R₁₃ и R₁₄ осуществляется следующим образом. Оценим начальный ток входных транзисторов. Коэффициент усиления напряжения выходного каскада зависит от тока эмиттера транзисторов VT5 и VT6, т.к. ,

; .

Тогда в режиме малых токов усиление будет падать:

, r­_{э max} >> R₁₃(R₁₄), ,

а при больших сигналах ( и токе I_э ) будет расти.

Обычно не допускается снижение К_{5,6 min} ниже единицы: ; при применении местной обратной связи (R₉ и R₁₀) δК уменьшится в десятки раз, а общая обратная связь (R₂ и R₁) доводит значение δК до долей процента. Т.о., примем ( если К_{5,6 min} = = 1, то r­_{э max} = R_н ), что ограничение максимального тока покоя I_Эmin (мА) равно:

мА (R_н =16Ом);

С учетом температурной нестабильности следует выбрать рабочее значение тока покоя с запасом в 2-3 раза больше.

I_{э min}=1,875x2.5=4,7mA

Сопротивления обратной связи по току принимаем равными:

R₁₃ = R₁₄ = ( 0,03 ÷ 0,1 ) R_н = 1Ом;(ряд Е24)

Расчет предoконечного каскада на транзисторах

Амплитуда напряжения на эмиттерах VT3 и VT4 равна ( R_н << R₁₀ ):

.

Тогда, приняв R₁₀ = h_21Э5min R_н, получим U_mн = 0,5 (1 + R₁₀ / R₉) U_mэ .

Так как относительно точки подсоединения резисторов R₁₀, R₉ транзисторы VT3 и VT4 являются повторителями приращения напряжения на их базах, амплитуда напряжения на выходе ОУ практически повторяется на эмиттерах VT3, VT4 и равна U_Э ≈ U_{m вых ОУ}, т.е. коэффициент усиления напряжения всего выходного каскада с учетом вышесказанного равен

. =>

Отсюда определяется сопротивление резистора R₉. Допустимую амплитуду напряжения на выходе ОУ следует выбрать несколько меньше по сравнению с максимальной величиной, указанной в справочнике, то есть U_{m вых ОУ}­ ≈ (0,7 ÷ 0,8) U_{m вых max ОУ} .

Для ОУ К544УД2А:

U_{m вых max ОУ} = 15 В, => U_{m вых ОУ} = U_mэ = 10,5 В.

Этот запас необходим из-за возможной нестабильности напряжения источника питания.

Сопротивление резисторов R₁₁, R₁₂ рассчитывается так, чтобы ток через них при максимальном сигнале соответствующей полярности не превышал (10 ÷ 20) % амплитуды тока базы выходных транзисторов

R₁₁ = R₁₂ = ( 5 ÷ 10 ) ּ=, (ряд Е24);

R₁₀ = h_21Э5min R_н = 40 ∙ 16 Ом ≈ 620 Ом , (ряд Е24);

кОм , (ряд Е24);

Выбор транзисторов vt3 и vt4:

Транзисторы предконечного каскада VT3 и VT4 должны удовлетворять условиям:

U_{КЭ max} ≥ 1,2 (U_п1 + | U_п2 | ) = 36 В;

I_{К max} > = = 0,0125А;

P_{К max} > =

= =0,05Вт

Выбираем транзисторы КТ502В и КТ503А, удовлетворяющие вышеперечисленным условиям.

Вот параметры этих транзисторов:

VT3 – КТ502В: n-p-n VT4 – КТ503А: p-n-p

I_{к max} = 0,15А I_{к max} = 0,15А

U_{кэ max}= 40В U_{кэ m} =40В

P_{к max} = 0,35Вт P_{к max} = 0,35Вт

h_{21 э}= 40 h_{21 э}=40

T_{п max} =125C T_{п max} =125C

R_пк=214С/Вт R_пк= 214С/Вт

Т_к= 25С Т_к= 25С

Схема обеспечения режима покоя и его стабилизация

Схема обеспечения стабилизации тока покоя выходных транзисторов по температуре и питанию включает транзисторы VT1 и VT2 , а также резисторы R5, R6, R7.

Требования к транзистору VT2 минимальны, подойдет транзистор

МП37А‑кремниевый маломощный транзистор n-p-n структуры.

Его характеристики:

I_{к max} = 20мА

U_{кэ max}= 30В

P_{к max} = 150мВт

h_{21 э} = 15…30

T_{п max} =85C

R_пк = 800С/Вт

Режим работы и выбор полевого транзистора VT1 определяется тем, что ток стока должен с некоторым запасом обеспечивать амплитудные значения тока базы транзистора VT4 в режиме отдачи максимальной мощности:

Напряжение Uсз на VT1 может достигать величины:

U_сз1=U­_{m вых ОУ} + |U_П2 |=10,5 +15 = 25,5 В.

С некоторым запасом следует принять

U_{сз1 max} = ( 1,2 ÷ 1,5 ) U_сз1 = 1,35ּ(10,5+15)= 34,4 В.

Средняя рассеиваемая мощность равна

.

Выбираем полевой транзистор с минимальным начальным током, удовлетворяющим вышеуказанным условиям с учетом

P_к(T_{c мах})P_p1=3,7мВт

Это транзистор 2П333Б. У этого транзистора:

U_о=2.5В ; P_{к max} = 250мВт;

I_сн=3мА ; T_{п max} =85C

Сопротивление автосмещения и стабилизации

( ряд-Е24),

Ток делителя R5 и R6 принимаем

Откуда

≈0,115 мВт