- •Рассчет парметров фнч каскадного типа с мощным выходом будем производить в два этапа. Сначала рассчитаем параметры самого фильтра, а затем схему усилителя мощности на выходе.
- •1.Определение порядка фильтра и количества звеньев.
- •2.Определение коэффициентов аi и вi полинома, аппроксимирующего передаточную функцию фильтра, и добротности полюсов пх звеньев фильтра.
- •3.Расчет звеньев фильтра.
- •Расчет ум.
- •Энергетический расчет режима выходного каскада и выбор транзисторов vt5 и vt6.
- •Для выбранных транзисторов:
- •Расчет предконечного каскада на транзисторах vt3 и vt4.
- •2727 Ом (выбираем 2,7 кОм - ряд е24 ) Техническое задание.
Для выбранных транзисторов:
Сопротивления обратной связи по току принимаем равными:
R13 = R14 = ( 0,03 ÷ 0,1 ) Rн = ( 0,6 ÷ 2 ) Ом;
Часто эти резисторы используются как датчики напряжения для схемы защиты при перегрузке по току выходного каскада УМ. Принимаем значение сопротивлений
R13 = R14 =1 Ом. (ряд Е24)
Номинальная мощность:
Вт.
-
Расчет предконечного каскада на транзисторах vt3 и vt4.
Предконечный каскад обычно должен обеспечивать усиление по току и напряжению, так как амплитуда выходного тока и напряжения распространенных типов ОУ ограничена ( порядка 10 ÷ 20 мА, 10 ÷ 12 В). Коэффициент усиления по напряжению определяется, в основном, делителем из резисторов R9, R10. Амплитуда напряжения на эмиттерах VT3 и VT4 равна ( Rн << R10 )
.
Тогда, приняв R10 = h21Э5min Rн, получим Umн = 0,5 (1 + R10 / R9) Umэ .
Так как относительно точки подсоединения резисторов R10, R9 транзисторы VT3 и VT4 являются повторителями приращения напряжения на их базах, амплитуда напряжения на выходе ОУ практически повторяется на эмиттерах VT3, VT4 и равна UЭ ≈ Um вых ОУ, т.е. коэффициент усиления напряжения всего выходного каскада с учетом вышесказанного равен
.
Отсюда определяется сопротивление резистора R9. Допустимую амплитуду напряжения на выходе ОУ следует выбрать несколько меньше по сравнению с максимальной величиной, указанной в справочнике, то есть Um вых ОУ ≈ (0,7 ÷ 0,8) Um вых max ОУ . Для ОУ 574УД1Б:
Um вых max ОУ = 10 В, => Um вых ОУ = Umэ = 8 В.
Этот запас необходим из-за возможной нестабильности напряжения источника питания.
Сопротивление резисторов R11, R12 рассчитывается так, чтобы ток через них при максимальном сигнале соответствующей полярности не превышал (10 ÷ 20) % амплитуды тока базы выходных транзисторов
R11 = R12 = ( 0,1 ÷ 0,2 )-1 = 360 Ом, (ряд Е24);
R10 = h21Э5min Rн = 25 ∙ 20 Ом = 500 Ом, (берем R10 =510 Ом - ряд Е24);
Ом, (берем R 9 =390 Ом - ряд Е24);
Выбор транзисторов VT3 и VT4:
Транзисторы предконечного каскада VT3 и VT4 должны удовлетворять условиям
UКЭ max ≥ 1,2 (Uп1 + | Uп1 | ) = 28,8 В;
IК max > = 0,02 А;
PК max > =
= = 0,066 Вт.
VT4 – КТ816 Б; VT3 – КТ817 Б
-
коэффициент усиления тока в схеме ОЭ: h21э min = 25;
-
максимальная температура перехода: Tn max = 150oC = 423 K;
Так как мощность, рассееваемая на коллекторе меньше 0,77 Вт, то транзистор можно использовать без теплоотвода.
-
Схема обеспечения режима покоя и его стабилизации (VT1, VT2, R5, R6, R7).
Схема обеспечения и стабилизации тока покоя выходных транзисторов по температуре и питанию включает транзисторы VT1 и VT2 и резисторы R5, R6, R7.
Транзистор VT1 с резистором ООС по току R7 образует генератор стабильного тока (ГСТ), который питает фиксированным, почти независимым от напряжения питания, собранный на транзисторе VT2 с глубокой ООС по напряжению через делитель R5 и R6.
Напряжение, снимаемое между коллектором и эмиттером VT2, играет роль напряжения смещения переходов база-эмиттер транзисторов VT3, VT4 и должно составлять 2UБЭ . С другой стороны, это напряжение подается на делитель R5 и R6 и при условии, что ток делителя Iд >> IБ2, напряжение делителя равно
=> R5 = R6 .
Напряжение UБЭ2 имеет отрицательный температурный коэффициент примерно –2мВ/К, компенсирующий температурную зависимость UБЭ3 и UБЭ4 , так как температурный коэффициент напряжения на сумме резисторов R5 + R6 вдвое больше и составляет примерно –4мВ/К.
Чтобы уменьшить температурный дрейф тока покоя выходных транзисторов в процессе их прогрева при работе усилителя, транзистор VT2 принято закреплять на радиаторе вблизи места крепления VT5 и VT6. Тогда повышение температуры транзисторов VT5 и VT6 приводит к нагреву VT2, уменьшая UБЭ2, что в свою очередь снижает смещение UБЭ3, UБЭ4, в результате падает ток транзисторов VT3, VT4, VT5, VT6. Другими словами, обратная тепловая связь стабилизирует начальный ток выходного каскада.
Требования к транзистору VT2 минимальны. Здесь применим любой маломощный кремниевый транзистор. Например, КТ306 А ( Tс = (-40оС ÷ 85 оС); h21э min = 100).
Режим работы и выбор полевого транзистора VT1, работающего в ГСТ, определяется тем, что ток стока VT1 должен с некоторым запасом обеспечивать амплитудное значение тока базы транзистора VT4 в режиме отдачи максимальной мощности:
мА
Uсз на VT1: Uсз1 = Um вых ОУ + | UП2 | = 8 +12 = 20 В.
Учитывая запас: Uсз1 max = ( 1,2 ÷ 1,5 ) Uсз1 = ( 24 ÷ 30 ) В.
Средняя рассеиваема мощность: мВт.
Начальный ток должен быть минимальным. PK (Tc max = 70oС = 343 К) ≥ PP1
=> выбираем VT1: КП 308 Б.
Сопротивление автосмещения и стабилизации = 1091 Ом
(выбираем 1,1 кОм - ряд Е24), где U0 – напряжение отсечки (для КП 308 А – 1,2 В),
ICH – начальный ток стока, при Uзи = 0 (для КП 308 А – 1мА).