- •Запоминающие устройства (память)
- •Обозначение микросхем памяти
- •1. Постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые постоянные запоминающие устройства
- •Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •Программируемые логические матрицы
- •2. Оперативные запоминающие устройства
- •Статические запоминающие устройства
- •Динамические запоминающие устройства
- •3. Микросхемы памяти в составе микропроцессорной системы
- •Увеличение разрядности ячейки памяти (слова)
Программируемые логические матрицы
При организации устройств такого типа с одной стороны, сохраняется принцип построения КЦУ, основанный на применении ограниченного числа логических элементов с минимальной избыточностью, с другой стороны, сохраняются преимущества постоянных ЗУ, связанные с регулярной структурой элементов и программируемостью связей между ними для конкретных задач. Это решение реализовано в одной из разновидностей ПЗУ, получивших название программируемых логических матриц (ПЛМ).
О
сновой
ПЛМ. являетсянабор
нескольких
уровней логических
элементов заданного базиса.
На
каждом уровне используются однотипные
элементы с одинаковым числом
входов, поэтому создается структура
элементов со многими признаками
регулярности. Между уровнями элементов
вводятся системы (матрицы) горизонтальных
и
вертикальных (линий),
на
пересечении которых при программировании
в нужных местах выполняются электрические
соединения. Это можно делать либо на
этапе изготовления
(как
в
ПЗУ), либо введением плавких перемычек
(как в ППЗУ). На рис. 9 приведен пример
структуры,
иллюстрирующей основные принципы
построения
ПЛМ. Входные элементы, относящиеся к
уровню I,
используются для получения двух разных
значений входных
сигналов и обеспечивают необходимую
нагрузочную
способность. Логические элементы И-НЕ
на уровнях
II
и III
обеспечивают
необходимое преобразование
кодов в соответствии с конкретной
реализацией соединений
в матрицах I—II
и II—III.
Можно
показать, что для каждого выходного
сигнала У обеспечивается преобразование
входных сигналов X
в соответствии с
совершенной
дизъюнктивной нормальной формой (СДНФ).
Если на каждом из
уровней используется достаточное' число
логических элементов с соответствующим
числом входов, то
на выходе могут быть реализованы любые
комбинации кодов. ПЛМ находят широкое
применение для построения различных
устройств управления. На их основе
совместно с триггерами, регистрами и
счетчиками
могут быть созданы разнообразные
цифровые автоматы.
Рис. 9
2. Оперативные запоминающие устройства
Полупроводниковые ЗУ подразделяются на ЗУ с произвольной выборкой и ЗУ с последовательным доступом. ЗУПВ подразделяются на:
статические оперативные запоминающие устройства (СОЗУ);
динамические оперативные запоминающие устройства (ДОЗУ).
ЗУ с последовательным доступом подразделяются на:
регистры сдвига;
приборы с зарядовой связью (ПЗС).
В основе большинства современных ОЗУ лежат комплиментарные МОП ИМС (КМОП), которые отличаются малой потребляемой мощностью. Это достигается применением пары МОП транзисторов с разным типом канала: n-МОП и p-МОП. Как видно на рис. 10, в КМОП инверторе как при низком, так и при высоком уровне сигнала на входе один из транзисторов закрыт. Поэтому потребление энергии происходит только при переключении "1"R"0" (и обратно).

Рис. 10. Схема КМОП инвертора.
Чтобы реализовать на подложке n-типа не только p-канальный транзистор, но и n-канальный, последний изготавливается в так называемом "кармане", как показано на рис. 11

Рис. 11. Конструкция инвертора на КМОП транзисторах.
Аналогично на четырех МОП транзисторах (2 n-МОП и 2 p-МОП, включенных параллельно и последовательно) можно построить и другие базовые логические элементы "И" и "ИЛИ" и, соответственно, на их основе строятся все другие более сложные логические схемы.
Как известно, быстродействие МОП транзисторов в первую очередь ограничивается большой входной емкостью затвор-исток (подложка). Уменьшение геометрических размеров приборов (площади затвора и длины канала) при увеличении степени интеграции увеличивает граничную частоту.
