
РАЗДАТОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ
ПО КУРСУ
«ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПОЛУЗАКАЗНЫХ БИС»
(группы ЭКТ 54-55, 56м)
40 экз.
подготовила доц. каф. ИЭМС
ШИШИНА Л.Ю.
01.2000.
ПРЕОБРАЗОВАНИЕ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ TY
ИСХОДНАЯ СХЕМА АСИНХРОННОГО СЧЕТЧИКА-ДЕЛИТЕЛЯ НА 10
3
3 3 3
x
4 15 x
4 x
4 x
4
Clk
15
15 15 DIV 10
x 1 U1
1 U2 1 U3 1 U4
16
16 16 16
2
2 2 2
VCC
1
12
U5
2
13
МОДИФИЦИРОВАННАЯ СХЕМА
U20
3
3 3
3
x 4 15 x
4 x 4 x 4
Clk
15
15 15 DIV 10
x 1 U1
1 U2 1 U3 1 U4
16
16 16 16
2
2 2 2
VCC
A
1
B
12 U5 2
13
СКАНИРУЕМЫЙ ПУТЬ
y
Пвых
y Пвых
о о х
У1 о У1
х
о о
х У2 о х У2
х х
Уn-1 о о Уn-1
х 0 х
х
х Уn 0 0 х Уn
Пвх Пвх 0
М21
управление
сканированием
системный тактовый
импульс вход сканируемых
данных
системный тактовый импульс
Примечание: соединения в схемах только в местах со значком (х), М21 - обозначение схемы мультиплексора «2 в 1»
РЕАЛИЗАЦИЯ СХЕМ ПАМЯТИ НА БМК
ОЗУ
ДШ
D
C
D
C
АШ1
D
C
D
C
АШ2
РШ1 РШ2
UD
РШ
p
C1
p
CДШ
n
СДШ(АШ)
СРШ
Q
n
РШ(Q)
Q
D
C
ПЗУ
D
D
BO
x
BO
x
B1
x
B1
x
p
O
p
UDD
o
n
n
B2
x
B2
x
B3 x
B3 x
x - программируемые контакты
1 ЭП ПЗУ занимает 3 БЯ БМК 1537,
СХЕМА ДЖИАКОЛЕТТО. УЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ХАРАКТЕРА ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА.
К
rБ1
СК1
rБj
CKj
rБm
CKm
Б
СЭ1
rЭ1 ...
Сэj
rЭj
.... Cэm
rЭm
NU1’gЭ1
Nuj’gЭj
Num’gЭm
--------
-------
-------
U1’
1-N
Uj’ 1-N
Um’ 1-N
Э
Б, Э, К - внешние узлы, 1,.. j,...m - внутренние узлы
МАТРИЦА ПРОВОДИМОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА
|
Э |
Б |
К |
1 |
2 |
|
j |
|
m |
Э |
j(CЭ1+CЭ2+. .СЭm)+NgЭ |
|
|
-jCЭ1 -NgЭ1 |
-jСЭ2 -NgЭ2 |
|
-jCэj -NgЭj |
|
-jCэm -NgЭm |
Б |
|
gБ1 |
|
-gБ1 |
|
|
|
|
|
К |
-NgЭ |
|
j(СК1+ СК2+..СКm) |
-jCK1 +NgЭ1 |
-jCK2 +NgЭ2 |
|
-jCKj +NgЭj |
|
-jCKm +Ngm |
1 |
-jCЭ1 |
-gБ1 |
-jCK1 |
gБ1+gБ2+j(CK1+CЭ1) |
-gБ2 |
|
|
|
|
2 |
-jСЭ2 |
|
-jCK2 |
-gБ2 |
gБ2+gБ3 +j(CК2+CЭ2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
-jCэj |
|
-jCKj |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-gБm |
m |
-jCЭm |
|
-jCKm |
|
|
|
|
|
gБm+j(CKm+CЭm) |
Удельная емкость коллекторного перехода - это барьерная емкость, а для эмиттерного перехода необходимо учитывать барьерную и диффузионную емкость для определенной величины тока эмиттера.
БИПОЛЯРНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.
Частный случай распределенной схемы.
RБ С.к К П
Б
СП
СЭ
U’
Э
Любую проводимость можно записать следующим образом:
где i, j - Э, Б, К, П. Можно рассчитать все коэффициенты и свести в матрицы:
[]
|
Э |
Б |
К |
П |
Э |
gЭ* |
-gЭ* |
0 |
0 |
Б |
-(1-N)gЭ* |
(1-N)gЭ* |
0 |
0 |
К |
-NgЭ* |
NgЭ* |
0 |
0 |
П |
0 |
0 |
0 |
0 |
[]
|
Э |
Б |
К |
П |
Э |
CЭ*(1-) |
-СЭ(1-)+СК |
-СК |
0 |
Б |
-CK-CЭ* |
СЭ*+СК(1+) |
-СК |
0 |
К |
СК-СЭ*+СП |
-СК(1+)-СП-СК+СЭ* |
СК(1+)+СП |
СП |
П |
-СП |
СП |
-СП |
СП |
T3
T4 T7
T5
T6 T8
вх1
-U U01
T9 iвых
вх2
+U
R1
I0
T11 Rн
Uвых
T10
T12 T13 T14
R2
R2
-U
Пример схемы ОУ
Принципиальная схема ОУ типа 741 (Fairchild).
R1=1 K, R2=1 K, R3=50 K, R4=5 K, R5=40 K, R6=27 K, R7=22 K, R8=100 Ом, R9=50 K, R10=50 K, R11=50 K
+U
T14
T8
T9 T12
T13 T15
неинв.вход
R6
T16
выход
T1
T2 инв.вход
R5
T19 R7
T3
T4
T21
C=30пФ
R10 T20
T7
300 Ом
T16 T22
T5
T6
T16
T10
T11 T23
R1
R3 R2 R4 R9
R8 T24 R11
установка нуля -U
Программируемые матрицы логики (пмл)
8-разр. секция
1
2
3 4
Xi
Обр. Связи
1 1 1 1
a b
D
Y1
C
D
Y2
C
Z1
Z2
Clоск
PAL 4X8 , N = 10,8, M = 8, P = 0, секций 4.
Внешние
входы Xi,
внешние выходы -Y1.2,
шины Z1.2
могут быть входными или выходными в
зависимости от значений управляющих
сигналов a
и b
на управляющем элементе .
Программируемый мультиплексор
M21 M22 M2t
1
2
S
C01 C11 Cq-11 C02 Cq-12 C0t Cq-1t
1
W1 W2 Wt
n
1 2 t
Программируемый мультиплексор
M21 M22 M2t
1
2
S
C01 C11 Cq-11 C02 Cq-12 C0t Cq-1t
1
W1 W2 Wt
n
1 2 t