Новая технология оптической литографии

Группа исследователей из Рочестерского Технологического Института (Rochester Institute of Technology — RIT) разработала новую технологию, которая позволит продлить век метода оптической литографии в деле производства интегральных схем. Основным отличием новой технологии от существующих является использование излучения с длиной волны 126 нм вместо 157 нм, что, по заверениям сторонников технологии, позволит уменьшить размеры элементов полупроводниковых схем до 0,055-0,06 мкм и даже меньше. Созданный прототип новой системы оптической литографии базируется на аргоновом лазере и газоразрядной лампе с малым диэлектрическим барьером. Однако многие специалисты считают технологию 126-нанометровой литографии бесперспективной для промышленного применения из-за таких проблем, как необходимость применения маломощных источников излучения, требующих специальных приемов работы. С другой стороны, защитники разработчиков системы напоминают, что используемая сейчас технология с длиной волны 157 нм также считалась малоперспективной, однако из-за проблем с разработкой литографических технологий нового поколения (NGL) получила широкое распространение в полупроводниковой промышленности

Заключение

Подводя итоги можно сказать,что ключевой проблемой в развитии микроэлектронной технологии всегда было совершенствование литографического процесса и прежде всего обеспечения соответствующего разрешения и прецизионности. При переходе к субмикронному диапазону топологических размеров элементов СБИС роль литографии становится основной и правильный выбор метода определяет эффективность разрабатываемой базовой технологии в целом.

Список используемой литературы:

1.Конспект лекций Королёва М.А. “Маршруты БИС”

2. “Фотолитография в производстве полупроводниковых ИС” М.А.Ревелева

3.Информация из сети интернет.

42