Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

6_Лабораторный_практикум 4054

.pdf
Скачиваний:
65
Добавлен:
15.04.2015
Размер:
703.04 Кб
Скачать

щений является точка на горизонтальной линии, от которой вверх от- ходят две наклонные линии (т.1.рис.7). Точка 1 отвечает чисто эвтектическому или эвтектоидному превращению, т.е. в сплаве концентрации т.1 из металлической жидкости или твердой фазы образуется двухфазная смесь, а во всех остальных точках горизонтали превращение протекает в присутствии избытка одной из фаз, не участвующей в превращении. Сущность превращения выражается реакцией, которая записывается следующим образом: из фазы, расположенной над точкой, образуется смесь двух других фаз. В состав этой смеси входят фазы из однофазных областей, расположенных по концам горизонтали. Если смесь образуется из жидкости - она называется эвтектикой, а из твердой фазы - эвтектоидом, а превращения, соответственно, эвтектическим и эвтектоидным.

1

Рис.7. Графический признак эвтектического и эвтектоидного превращений

Следовательно, в изучаемой системе (рис.6) геометрическими признаками эвтектического и эвтектоидного превращений являются точки - B, E, S, R.

Линиями превращений являются линии: GBQ, HEH', F'SK', 0RM.

Реакции превращений, выражающие их сущность, записываются следующим образом:

- для линии GBQ : LB вG гQ , образующуюся эвтектическую

смесь обозначим ЭВ;

- для линии HEH' : LE TiSi TiSi2 , образующуюся эвтектическую

смесь обозначим ЭЕ;

- для линии F'SK' : LS TiSi2 Si , образующуюся эвтектическую

смесь обозначим ЭS;

- для линии ORM : вR бO гM , образующуюся эвтектоидную смесь

обозначим ЭВR.

Таким образом, линии GBQ, HЕН', F'SK' являются линиями эвтектического превращения, т.к. на этих линиях из жидкости одновременно кристаллизуются две твердые фазы, образующие эвтектические смеси двух фаз. Линия ORM - линия эвтектоидного превращения, т.к.

11

двухфазная смесь образуется в результате распада твердой фазы. Графическим признаком перитектического превращения является

точка W на горизонтали, от которой вниз отходит перпендикуляр к оси концентраций, соответствующий неустойчивому химическому соединению TiSi. Горизонталь UWD является линией перитектического превращения.

Сущность превращения выражается реакцией: гU LD TiSiW .

В сплавах, лежащих левее точки W, превращение протекает при избытке твердого раствора γ , а правее - при избытке металлической жидкости L.

Структурный состав всех областей диаграммы, кроме областей, расположенных под линиями эвтектического и эвтектоидного превращений, совпадает с фазовым составом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ti5Si3

TiSi

 

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

1

 

t,°C

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TiSi2

 

 

 

 

 

 

2

 

2'

 

I

 

 

 

 

U γ+L

 

 

 

 

 

 

β

 

 

β+L

 

 

L

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

W

L+

 

 

L+TiSi2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

II

 

 

 

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1600

1

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

L+

 

 

TiSi

 

 

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H

 

 

H' L+

 

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ

γ

 

ЭE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6'

6

 

 

 

S

L + Si

 

 

 

 

 

 

 

 

1400

 

G

 

В

Q

 

 

 

 

 

TiSi2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

F'

 

 

 

K'

 

3β

 

 

β +

 

β

ЭВ

 

 

 

 

 

 

ЭS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TiSi2

 

 

 

 

 

 

γII

1200

 

 

 

 

 

 

γ

 

 

 

 

 

3'

β

+α

4'

 

 

β

 

γ

 

 

 

+ ЭE

 

 

 

 

 

R

 

 

 

II

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

TiSi+ЭE

 

TiSi2S

Si + ЭS

 

 

O

 

 

 

 

 

 

+

B

+

 

 

TiSi

 

 

α

5

 

ЭвR

1000

P 3

γII

β +Э

ЭB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭвR+

О

RG'

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

α +

 

γII

4

 

'

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ III

Эв

 

 

5

 

 

γ+ЭB T

U'

 

H"

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G''

 

 

 

F''

S'

 

V

 

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

N

 

O'

R'

 

Ti O'

R' 10

 

 

 

30

 

 

50

 

 

70

90

Si

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭвRB+γII

 

 

Si,%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 8. Структурный анализ диаграммы состояния

 

 

 

Для определения структурного состава областей, лежащих под линиями вышеуказанных превращений, необходимо опустить перпендикулярные к оси концентрации пунктирные линии из концов линий превращений, а также из точек эвтектических и эвтектоидных пре-

12

вращений до пересечения с осью концентраций. Пунктиры разделяют области на участки с различным структурным составом. Если пунктирная линия, опущенная из конца горизонтали, не совпадает с линией диаграммы, то это говорит о распаде твердого раствора, примыкающего к этой линии, вследствие уменьшения растворимости в нем компонента с понижением температуры.

Следовательно, структура области RGG' будет состоять из твердого раствора β и выделившихся из β-фазы кристаллов γ-фазы, называемых вторичными (γII ), а структура области OO'N из α - фазы и кристаллов γ-фазы, выделившихся из α - твердого раствора, называемых

третичными (γIII ).

Для определения структурного состава прямоугольных участков, расположенных под линиями эвтектического и эвтектоидного превращений, необходимо учесть структурные превращения, произошедшие на этих линиях. Например, структурный состав прямоугольного участка SK'VS' , расположенного под линией эвтектического превращения F'SK', будет состоять из Si ЭS (над линией структура

состояла из Si L ), так как на этой линии из жидкой фазы L образовалась эвтектика ЭS. Аналогично определяется состав других прямоугольных участков. Если же прямоугольный участок диаграммы примыкает к треугольному, в структурном составе которого содержатся вторичные или третичные кристаллы, то эти кристаллы будут и в этом прямоугольном участке.

Следовательно, в структурном составе участка GG'В'В наряду с ЭВR и β будут кристаллы γII, а участка 0RR'O' наряду с ЭВR и α еще и кристаллы γIII, однако их количество незначительно по отношению ко всей γ-фазе.

III этап

При проведении анализа превращений, происходящих в сплавах, с построением кривых охлаждения, следует использовать правило фаз, согласно которому: c k ф 1, где - число степеней свободы; -

число компонентов; ф - число фаз. Если число степеней свободы равно единице (c 1), то на кривой охлаждения наблюдается перегиб, а если равно нулю (c 0 ) - то на кривой охлаждения наблюдается площадка.

Кристаллизация сплава I (рис.8,9) начинается в т.1 с выделения кристаллов β твердого раствора на базе β-Ti. Состав твердого раствора по мере кристаллизации сплава изменяется по линии 1' - 2, а ме-

13

таллической жидкости по линии 1 – 2'. В т.1 число степеней свободы c1 1, следовательно, в двухфазной области от точки 1 до точки 2

можно изменять один фактор (температуру), при этом количество фаз в системе останется неизменным, т.е. на кривой охлаждения наблюдается точка перегиба, после которой происходит изменение скорости охлаждения. Кристаллизация сплава заканчивается в т.2. Ниже т.2 сплав представляет собой однородный β-твердый раствор. При понижении температуры от т.2 до т.3 в сплаве превращений не происходит. В т.3 в сплаве начинается полиморфное превращение β-Ti→α-Ti и образуется уже твердый раствор α на базе α-Ti. Состав α-твердого раствора по мере охлаждения изменяется по линии 3' – 4, а β-раствора - по линии 3 – 4'. В т.3 c3 1, т.е. на кривой охлаждения наблюдается

точка перегиба и изменение скорости охлаждения. В т.4 превращение заканчивается и сплав состоит из однородного α - твердого раствора. При охлаждении его от т.4 до т.5 превращений не происходит. При охлаждении сплава ниже т.5 из α - твердого раствора начинает выделяться γIII-фаза, т.к. растворимость кремния в титане с понижением температуры уменьшается по линии ОN. Следовательно, структура сплава при комнатной температуре будет состоять из кристаллов α - твердого раствора и расположенных по границам его зерен кристаллов γIII. В т.5 c5 1 , следовательно, на кривой охлаждения наблюдает-

ся точка перегиба и изменение скорости охлаждения.

При построении кривой охлаждения нужно учитывать следующее: если на участке происходит фазовое превращение, а c 1, то скорость охлаждения замедляется, а если превращения нет, то скорость увеличивается.

Сплав I

 

 

Сплав II

T,°C

 

 

 

T,°C

 

 

 

С1=1

β

6 С6=1

 

β

1

L

 

 

С2=1

 

 

L

2

β

7

С7=0

эв α

 

 

 

7' С7'=1

 

 

 

 

 

γII

 

3

С3=1

 

 

 

 

 

4 С4=1

α

 

С8=0

 

 

 

5 С5=1

γIII

 

8 8'

С8'=1

τ τ

Рис. 9 – кривые охлаждения сплавов I и II

Кристаллизация сплава II начинается в т.6 с выделением β - твердого раствора, состав которого изменяется по линии 6'-G, а состав металлической жидкости по линии 6-B. В точке 6 число степеней свободы c6 1- на кривой охлаждения наблюдается уменьшение скорости

14

охлаждения. В т.7 в сплаве протекает эвтектическое превращение LB вG гQ , при котором из металлической жидкости состава т. B

образуется эвтектическая смесь β - твердого раствора состава т. G и γ - твердого раствора состава т. Q . Т.к. в системе в равновесии одновременно находится 3 фазы, то в т.7 c7 0 и любое изменение темпе-

ратуры приведет к изменению числа фаз в системе, следовательно, на кривой охлаждения наблюдается площадка. Структура сплава после завершения превращения будет состоять из β - твердого раствора и эвтектики ЭВ. При понижении температуры от т.7 до т.8 в структуре из β - твердого раствора будут выделяться кристаллы γII, т.к. растворимость Ti5Si3 в Ti с понижением температуры уменьшается по линии GR . Кристаллы γII будут выделяться и из β фазы, входящей в состав эвтектики, но в этом случае они будут наслаиваться на γ фазу эвтектики. Следовательно, в структуре сплава будут присутствовать три структурные составляющие: β, γII и ЭB. В т.8 в сплаве протекает эвтектоидное превращение вR бO гM , при котором β - твердый

раствор состава т.R распадается на смесь α - твердого раствора состава т.О и γ - твердого раствора состава т.М. Образующая смесь называется эвтектоидом, состав которого определяется проекцией т. R на ось концентрации. В т.8 c8 0 , следовательно, на кривой охлаждения

наблюдается площадка. Эвтектоидное превращение будет испытывать и β - фаза, входящая в состав эвтектики. Следовательно, в структуре сплава ниже т.8 будут присутствовать эвтектоид, γII и эвтектика, представляющая уже смесь эвтектоида и γ - твердого раствора. При охлаждении сплава от т.8 до комнатной температуры из α - твердого раствора, входящего в состав эвтектоида, будет выделяться фаза γIII, но она будет структурно неразличима, т.к. наслаивается на γ фазу эвтектоида.

II. Получите у преподавателя индивидуальное задание.

III. Начертите в масштабе заданную диаграмму состояния (приложение I) и дайте буквенные обозначения всем линиям и точкам диаграммы.

IV. Проведите фазовый и структурный анализ диаграммы состояния.

V. Опишите изотермические фазовые превращения в данной системе и реакции этих превращений.

VI. Для заданного сплава:

-постройте кривые охлаждение;

-проверьте правильность построения с помощью правила фаз;

15

-опишите фазовые превращения;

-укажите микроструктуры сплавов в каждой зоне в процессе охлаждения.

VII. Охарактеризуйте технологичность сплавов. Технологичность сплавов зависит от строения сплава. При выборе

способа обработки необходимо руководствоваться следующим:

1.Сплавы, состоящие из однородных твердых растворов, пластичны и поэтому хорошо обрабатываются давлением (прокаткой, ковкой,

прессованием и т.д.).

2.Эвтектические сплавы обладают высокой жидкотекучестью, т.е. хорошими литейными свойствами.

3.Если линии ликвидус и солидус лежат близко одна от другой, то литейные свойства характеризуются малой склонностью к ликвации, хорошей жидкотекучестью, склонностью к образованию концентрированной усадочной раковины.

4.Если линия ликвидус и солидус расположены далеко друг от

друга, жидкотекучесть будет низкой, но сплав обладает малой усадкой, следовательно, возможно изготовление отливок сложной конфигурации.

5. Двухфазные сплавы, как правило, хорошо обрабатываются резанием.

Исходя из вышесказанного, для сплавов системы Ti-Si наиболее целесообразными способами обработки являются:

Сплав I - холодная обработка металлов давлением. Сплав II - литье.

Свойства сплавов в значительной степени зависят от того, какие структурные составляющие и какие фазы образовали компоненты сплава.

При оценке механических свойств отдельных структурных составляющих следует иметь в виду, что твердые растворы отличаются наибольшей пластичностью и меньшей прочностью по сравнению с другими структурными составляющими; механические смеси более прочные, твердые, но менее пластичные, чем твердые растворы; химические соединения и смеси, содержащие химические соединения, обладают высокой твердостью и хрупкостью .

VIII. Оформите отчет и защитите выполненную работу.

16

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.Охарактеризуйте тип и состав каждой из фаз рассматриваемой системы.

2.Перечислите основные линии диаграммы.

3.Какие изотермические превращения протекают в рассматриваемой системе и напишите реакции этих превращений.

4.В каком случае в сплавах образуются вторичные и третичные

кристаллы и как они влияют на свойства?

5.Основные типы диаграмм состояния и их фазовый состав.

6.Связь диаграммы состояния со свойствами сплавов.

ЛИТЕРАТУРА

1.Лахтин Ю.М. Материаловедение / Ю.М.Лахтин, В.П.Леонтьева, Москва, Машиностроение, 1990.-528с.

2.Материаловедение: учебник для вузов / Б.Н. Арзамасов [и др.]; Под общ. ред. Б.Н. Арзамасова. – 2-е изд. – Москва: Машинострое-

ние, 1986.-383с.

3.Материаловедение / Б.Н. Арзамасов [и др.]. – 7-е изд. – Москва: Изд-во МГТУ им.Н.Э. Баумана, 2005.-648с.

4.Геллер Ю.А. Материаловедение / Ю.А.Геллер, А.Г. Рахштадт.- Москва: Металлургия, 1989. – 456с.

5.Худокормова Р.Н., Пантелеенко Ф.И. Материаловедение: Ла-

бораторный практикум, Мн., Вышэйшая школа, 1988 6. Кенько В.М. Материаловедение: курс лекций. – Гомель: ГГТУ

им. П.О.Сухого, 2009, 246с.

17

Приложение I

Схематичные диаграммы состояния двойных сплавов

t,OC

I

TiC

 

II

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~2850O

 

 

 

1750O

 

 

 

 

 

 

 

920O

 

 

 

 

 

 

Ti

10

C,% 20

 

30

C

 

 

Диаграмма 1

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

t,OC

 

CaAl

 

 

 

 

 

4

I

II

 

 

 

 

 

CaAl

 

 

 

 

900

 

 

 

 

 

 

700

 

 

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

Al

20

40

 

60

80

Ca

 

 

Ca,%

 

 

 

 

Диаграмма 3

 

 

t,OC

 

 

 

2

 

 

 

I

 

ZrV

 

II

 

 

 

 

 

1700

 

 

 

 

 

 

 

1400

 

 

 

 

 

 

 

1100

 

 

 

 

 

 

 

800

 

 

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

Zr

20

40

60

80

 

V

 

 

V,%

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 5

 

 

t,OC

 

 

 

I

 

 

 

II

 

 

 

 

 

 

 

2300

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

Hf

 

 

1900

 

 

 

 

 

 

 

 

1500

 

 

 

 

 

 

 

 

1100

 

 

 

 

 

 

 

 

Hf

20

 

 

40

 

60

80

V

 

 

 

 

V,%

 

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 2

 

 

 

 

2

LaAu

 

 

 

 

t,OC

3

LaAu

 

 

 

 

 

LaAu

 

 

Au

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

La

 

 

1100

I

 

 

 

 

 

II

 

900

 

 

 

 

 

 

 

 

700

 

 

 

 

 

 

 

 

Au

20

 

40

60

80

La

 

 

 

 

La,%

 

 

 

 

 

Диаграмма 4

 

 

t,OC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

Si

 

 

 

5

2

 

I

 

 

 

II

Si

 

 

3

 

ThSi

2

ThSi

 

 

 

Th

 

 

Th

 

1800

 

 

 

 

 

 

 

 

1400

 

 

 

 

 

 

 

 

Th

20

40

Si,%

60

80

Si

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 6

 

 

18

t,OC

I

CaIn

 

 

 

 

2

II

 

 

CaIn

 

 

In

 

 

 

5

 

 

 

Ca

 

 

 

 

800

 

 

 

 

 

600

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

Ca

20

40

60

80

In

 

 

In,%

 

 

 

 

Диаграмма 7

 

 

t,OC

 

 

 

 

 

1400

I

 

 

II

 

 

 

2

 

 

 

1200

 

CeRu

 

 

 

1000

 

 

 

 

 

800

 

 

 

 

 

600

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

Ce

20

40

60

80

Ru

 

 

Ru,%

 

 

 

 

Диаграмма 9

 

 

t,OC

 

 

 

 

2

 

I

 

 

II

2000

 

 

TiMn

 

 

 

5

1600

 

 

 

TiMn

 

 

 

 

 

1200

 

 

 

1200O

 

 

 

 

 

800

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

Ti

10

30

 

50

Mn

 

 

Mn,%

 

 

 

 

Диаграмма 11

 

 

O

C

Bi

 

 

 

 

 

t,

3

 

 

 

 

 

 

 

K

2

 

 

 

 

 

 

Bi

 

2

 

 

 

 

 

3

 

KBi

 

 

 

 

I

K

II

 

 

600

 

 

7

 

 

 

 

 

Bi

 

 

 

 

 

 

 

9

 

 

 

500

 

 

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

K

20

 

40

60

80

Bi

 

 

 

 

Bi,%

 

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 8

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

t,OC

CeAg

2

 

 

 

 

 

900

CeAg

CeAg

I

 

 

 

 

 

II

 

 

 

 

 

700

 

 

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

Ag

20

40

 

60

80

Ce

 

 

 

Ce,%

 

 

 

 

 

Диаграмма 10

 

 

 

t,OC

 

 

 

 

 

I

 

 

 

2

TiAu

 

 

1600

 

TiAu

5

 

 

4

Au

 

 

 

 

 

 

 

 

TiAu

2

 

 

 

 

Ti

 

 

1400

 

 

 

 

 

 

1200

 

 

 

 

 

 

1000

 

 

 

 

 

 

800

 

 

 

 

 

 

 

Au

20

 

40

60

80

Ti

 

 

 

 

Ti,%

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 12

 

 

19

t,OC

 

 

 

 

 

 

1900

 

 

 

 

 

 

1700

 

I

 

 

 

II

 

5

 

 

 

 

 

 

Cu

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

1500

5

Zr

 

 

 

 

 

ZrCu

 

 

2

 

 

1300

3

 

ZrCu

 

 

Cu

ZrCu

 

 

 

 

 

 

2

 

 

1100

Zr

 

 

 

 

 

 

 

 

900

 

 

 

 

 

 

Cu

20

 

40

60

80

Zr

 

 

 

Zr,%

 

 

 

 

 

Диаграмма 13

 

 

t,OC

5

4

3

 

 

 

 

 

CeNi

CeNi

CeNi

I

 

 

II

 

 

 

 

 

 

1300

 

 

 

 

 

 

 

1100

 

 

 

CeNi

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

900

 

 

 

 

Ni

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

Ce

 

 

 

 

 

 

 

 

700

 

 

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

Ni

 

20

 

40

60

80

Se

 

 

 

 

Se,%

 

 

 

 

 

 

 

Диаграмма 15

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

II HfRe

2

 

t,OC

I

Hf Re

Hf Re

 

2400

 

 

 

 

 

2000

 

 

 

 

 

1600

 

 

 

 

 

1200

 

 

 

 

 

Hf

20

40

60

80

Re

Re,%

 

Диаграмма 14

 

 

 

t,OC

I

Si

 

 

II

 

 

3

 

 

 

 

Cr

2

 

 

 

 

 

Si

 

 

 

 

 

 

6

CrSi

 

 

 

 

 

Cr

 

 

1700

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

CrSi

 

1500

 

 

 

 

 

 

1300

 

 

 

 

 

 

Cr

20

 

40

60

80

Si

 

 

 

Si,%

 

 

 

 

 

Диаграмма 16

 

 

20

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]