- •Кафедра этт. Дисциплина «Основы технологии электронной компонентной базы» Лабораторная работа № 3. Ионно-плазменное нанесение пленок
- •1. Основные понятия и соотношения
- •2. Расчет коэффициента распыления
- •3. Расчет скорости распыления
- •4. Установки для проведения процесса распыления
- •5. Задание к работе
- •6. Требования к отчету
- •7. Контрольные вопросы
- •8. Библиографический список
- •Варианты заданий
6. Требования к отчету
Отчет составляется индивидуально на листах формата А4. При домашней подготовке необходимо изучить содержание работы, а основные аналитические соотношения внести в заготовленный отчет. Подготовленный для защиты отчет должен содержать:
- теоретическую часть (домашнюю подготовку),
- расчетные формулы,
- описание основных узлов установки,
- теоретические и экспериментальные результаты,
- анализ полученных результатов и выводы,
- ответы на все контрольные вопросы.
7. Контрольные вопросы
От каких факторов зависит коэффициент распыления?
Как связано количество распылённого материала с Кр?
В чём трудности распыления диэлектриков?
Какие вы знаете теории процесса распыления?
Какие варианты устройств для распыления вы знаете?
Какие блоки входят в конструкцию изучаемой установки?
Как зависит коэффициент распыления от давления рабочего газа?
Каков диапазон энергий распылённых атомов?
Каковы основные преимущества метода катодного распыления по сравнению с термовакуумным испарением?
В чём основные недостатки метода катодного распыления?
В чём особенности процесса конденсации материала при катодном распылении?
8. Библиографический список
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника: физические и технологические основы, надежность/Уч. пособие. М.: Высшая школа, 1986, с. 256-262.
Карабанов С.М., Чижиков А.Е. Технология материалов и изделий электронной техники. Пленочная электроника.//Учеб. пособие.Рязань. РГРТУ. 2009. С. 50-60.
Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии/Учеб. пособие. М.: Высш. школа. 1988, с. 106-150.
Варианты заданий
|
№ группы |
120 |
121 | ||||||||||||||
|
№ подгруппы |
1 |
2 |
1 |
2 | ||||||||||||
|
№ бригады (Вариант) |
1 (1) |
2 (2) |
3 (3) |
4 (4) |
1 (5) |
2 (6) |
3 (7) |
4 (8) |
1 (1) |
2 (2) |
3 (3) |
4 (4) |
1 (5) |
2 (6) |
3 (7) |
4 (8) |
|
Раб. газ |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
|
Ji, мкА/см2 |
100 |
110 |
120 |
130 |
140 |
150 |
160 |
170 |
100 |
110 |
120 |
130 |
140 |
150 |
160 |
170 |
|
№ группы |
124 | |||||||
|
№ подгруппы |
1 |
2 | ||||||
|
№ бригады (Вариант) |
1 (1) |
2 (2) |
3 (3) |
4 (4) |
1 (5) |
2 (6) |
3 (7) |
4 (8) |
|
Раб. газ |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
|
Ji, мкА/см2 |
120 |
140 |
110 |
160 |
150 |
170 |
110 |
100 |
|
№ группы |
122 |
123 | ||||||||||||||
|
№ подгруппы |
1 |
2 |
1 |
2 | ||||||||||||
|
№ бригады (Вариант) |
1 (1) |
2 (2) |
3 (3) |
4 (4) |
1 (5) |
2 (6) |
3 (7) |
4 (8) |
1 (1) |
2 (2) |
3 (3) |
4 (4) |
1 (5) |
2 (6) |
3 (7) |
4 (8) |
|
Раб. газ |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
He |
Ne |
Ar |
Xe |
|
Ji, мкА/см2 |
110 |
130 |
140 |
140 |
110 |
140 |
150 |
160 |
100 |
120 |
150 |
160 |
120 |
130 |
140 |
160 |
Характеристики применяемых газов
|
Род газа |
Гелий |
Неон |
Аргон |
Ксенон |
Воздух |
|
Z1, отн. ед. |
2 |
10 |
18 |
54 |
- |
|
M1, г/моль |
4 |
20,17 |
40 |
131,3 |
- |
|
d, Ǻ |
2,15 |
3,54 |
3,6 |
4,0 |
- |
|
|
|
|
63 |
|
60 |
|
|
|
|
0,4788 |
|
0,47 |
Характеристики распыляемых материалов
|
Материал |
Mg |
Al |
Ti |
Cr |
Ni |
Cu |
Ag |
Au |
|
Z2, отн. ед. |
12 |
13 |
22 |
24 |
28 |
29 |
47 |
79 |
|
M2, г/моль |
24,3 |
27 |
47,9 |
52 |
58,7 |
63,54 |
107,87 |
196,97 |
|
d2, Ă |
1,33 |
1,3 |
1,44 |
1,24 |
1,24 |
1,28 |
1,3 |
1,3 |
|
|
1,74 |
2,7 |
4,5 |
7,15 |
8,9 |
8,93 |
10,5 |
19,3 |
|
|
0,5 |
0,45 |
0,42 |
0,43 |
0,43 |
0,44 |
0,45 |
0,45 |
