Розрахунок параметрів підсилювача потужності при включеному нзз

33. У схемі застосований послідовний зворотний зв'язок за входом і за напругою на виході, тому імітансом за входом є опір, отже вхідний опір каскаду помножується на глибину зворотного зв’язку :

.

Повний вхідний опір підсилювача потужності з урахуванням резистора в колі бази VT1

.

34. Вихідний опір підсилювача потужностівідповідно поділяється на глибину зворотного зв'язку:

.

35. Коефіцієнт підсилення ПП

.

36. Коефіцієнт демпфування

.

Як бачимо, НЗЗ істотно поліпшив характеристики підсилювача, кількісно зменшив недоліки в проектуванні схеми. Однак коефіцієнт підсилення різко знизився, одержавши властивість стабільності при зміні напруги вхідного сигналу.

37. Потужність, яку транзистор здатний розсіяти, залежить від температури навколишнього середовища , допустимої температури переходуі теплового опору,проміжку перехід – навколишнє середовище:

.

Для відводу тепла від корпуса потужних транзисторів необхідно розмістити їх на радіаторі. Теплова віддача тепер буде визначатися тепловими опорами між колекторним переходом і корпусом транзисторів і між корпусом і середовищем:

.

Значення є параметром транзистора, а– параметром радіатора. При гладкій вертикальній металевій пластині, що охолоджується природним середовищем з двох сторін:

,

де – сумарна поверхня пластин радіатора з двох сторін,.

Площа поверхні радіатора має бути

.

Примітка. Інший метод зміщення двотактного ЕП представлений на рис. 5.32. Нова якість такої схеми полягає в можливості регулювати напругу між базами з метою компенсації розкиду значеньі:

Важлива вимога до цієї схеми полягає в тому, щоб струм спокою у колі виділення напругине був залежним від рівня вхідного сигналу, тобто він має бути більше максимального струму бази вихідного транзистора.

Задамо, наприклад, струм і визначимо сумарний опір для діапазону регулювання напругивід 1 до:

.

Для захисту від короткого замикання бази і емітера транзистора VT3 вмикаємо в це коло опір .

30