8 Электроника Лекции в презентациях 2012
.pdf
ОмГУПС Кафедра АиТ
Электроника
(Для студентов ИАТИТ)
Лекции в презентациях
Основные дискретные компоненты
Сушков С. А.
Омск - 2012 г.
Лазеры
Поперечная накачка электронным пучком
Фрагмент печатной платы, изготовленной методом прямого
Продольная накачка электронным пучком лазерного формирования
проводящей структуры
2
Лазерный драйвер с цепью компенсации уровня модуляции
MAX3863 создан для непосредственной модуляции лазерного диода на скоростях до 2.7 Гбит/с. Цепь автоматического контроля мощности предназначена для постоянного
поддержания |
среднего |
|
уровня |
оптической |
мощности. |
|
Цепь |
компенсации |
модулирующего |
тока |
|
предназначена |
для |
увеличения |
|
модуляционного |
тока |
|
лазера |
относительно его тока смещения. В результате, удается поддерживать оптимальный уровень оптического гашения лазера во всем диапазоне рабочих температур и на протяжении всего срока службы.
3
Техническое зрение на основе лидара
Лида́р (транслитерация LIDAR
англ. Light Identification, Detection and Ranging) —
технология получения и обработки информации об удалённых объектах с помощью активных оптических систем, использующих явления отражения света и его рассеивания в прозрачных и полупрозрачных средах.
Сканирующие лидары в системах машинного зрения формируют двумерную или трёхмерную картину окружающего пространства.
11 мин.
Структурная схема лидара |
Лазеры атакуют |
4 |
|
|
(фрагмент фильма)
Транзисторы
(Классификация по структуре)
Биполярный транзистор
Копия первого в мире работающего транзистора
К К
Б Б
Э Э
p-n-p |
n-p-n |
Условное графическое обозначение транзисторов на схемах
4.35 мин. |
6 |
|
|
Da Vinci |
|
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор (обычно его называют просто транзистором) представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мощности.
Особенность транзистора состоит в том, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие — ток одного из переходов может управлять током другого. Такое управление возможно, потому что носители заряда, инжектированные через один из электронно-дырочных переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток.
Структуры биполярных транзисторов:
а – р-п-р; б – п-р-п.
7
Биполярный транзистор
Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:
1)режим отсечки – оба электронно-дырочных перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идет сравнительно небольшой ток;
2)режим насыщения – оба электронно-дырочных перехода открыты;
3)активный режим – один из электронно-дырочных переходов открыт, а другой закрыт.
Транзистор может работать на постоянном токе, малом переменном сигнале, большом переменном сигнале и импульсном сигнале.
8
Биполярный транзистор
Распределение неосновных носителей заряда в транзисторе при активном режиме:
а – в пространстве (схематично); б – в направлении оси х:
в бездрейфовом транзисторе; в – в направлении оси х в
дрейфовом транзисторе; г – в направлении оси х в транзисторе с участком тормозящего поля в базе.
15.27 мин. Транзисторы |
9 |
|
и их применение |
||
|
Биполярный транзистор
Различают три схемы включения транзистора:
1)с общим эмиттером;
2)с общей базой;
3)с общим коллектором.
i э |
i к |
- |
+ |
u эб |
= |
i б |
= |
u |
|
|
|
|
бк |
|
+ |
|
- |
|
|
|
|
|
|
|
Схема с общей базой |
|
||
|
|
|
i к |
|
|
|
i б |
|
|
u эб |
+ |
i э |
+ |
|
= |
= |
u эк |
||
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
- |
|
- |
|
Схема с общим эмиттеров
Общим называют электрод, относительно которого измеряют и
задают напряжения.
i к
|
|
i б |
|
|
u эб |
+ |
i э |
+ |
|
= |
= |
u эк |
||
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
- |
|
- |
|
Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
uэб = 0,3 … 1,5 В
uбк = от 1,0 до 80 В и более – для маломощных транзисторов
uэк = от 0,1 до 1500 В и более – |
|
для мощных транзисторов |
10 |
|