
- •Кафедра: мртус
- •Курсовой проект
- •По курсу: Антенно-фидерные устройства.
- •Тема проекта: “ проектирование
- •Передающей афар ”.
- •3.Выбор и расчет облучателя 8
- •1. Задание.
- •2. Расчеты параметров.
- •Определение межэлементного расстояния.
- •2.2 Определение ∆.
- •2.3 Нахождение числа элементов афар.
- •Энергетический потенциал передающей афар.
- •2.5 Блок – схема афар.
- •2.6 Точность выставления луча.
- •3. Выбор и расчет облучателя.
- •Из развертки витка спирали очевидно l
Кафедра: мртус
Курсовой проект
По курсу: Антенно-фидерные устройства.
Тема проекта: “ проектирование
Передающей афар ”.
Выполнила студентка
факультета МПиТК
группа-46: Горшкова А.Ю.
Руководитель: Чистюхин В.В.
Москва
2002
Содержание:
1
КАФЕДРА: МРТУС 1
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ 1
1. Задание. 3
2. Расчеты параметров. 4
2.1Определение межэлементного расстояния. 4
2.2 Определение ∆. 4
2.3 Нахождение числа элементов АФАР. 5
2.4Энергетический потенциал передающей АФАР. 5
2.5 Блок – схема АФАР. 6
2.6 Точность выставления луча. 7
3. Выбор и расчет облучателя. 8
Из развертки витка спирали очевидно L 8
что S = sin S 8
1. задание 3
2. Расчеты параметров
2.1 Определение межэлементного расстояния 4
2.2 Определение ∆. 4
2.3 Нахождение числа элементов АФАР 5
2.4 Энергетический потенциал передающей АФАР 5
2.5 Блок – схема АФАР. Мощность возбудителя передающей АФАР 6
2.6 Точность выставления луча 7
3.Выбор и расчет облучателя 8
1. Задание.
Спроектировать передающую АФАР с параметрами:
-
Выходная мощность ро = 10 Вт
-
Ширина ДН по уровню 0,5 ∆0,5 = 4о
-
Угол сканирования ск = + 40о
-
Количество разрядов фв р = 3
-
Длина волны = 20 см
-
Коэффициент усиления УМ Кр = 23 дБ
-
Уровень боковых лепестков t < -19 дБ
Определить:
d, N, Ппрд, , ∆, Рвозб - ?
Выбрать схему разводки, тип облучателя и рассчитать его основные параметры.
2. Расчеты параметров.
-
Определение межэлементного расстояния.
Для нахождения межэлементного расстояния сканирующей антенной решетки будем использовать “мягкую” формулу, которая позволяет появляться дифракционным максимумам в видимой области. Причем уровень дифракционных максимумов не может быть больше, чем 1х допустимый уровень боковых лепестков.
d < ,
sin д + sin о
где д – угловое положение дифракционного максимума,
о – направление сканирования.
Пределы сканирования: + о, иначе дифракционный максимум выйдет за пределы ДН одного элемента и его уровень резко возрастет.
Задан уровень боковых лепестков: t < -19дБ
f () = cos () – ДН элемента
cos 2 (40o) = 0,5 (на краю сектора сканирования)
= ½ log 0,5 / log (cos 40o) = 1,296 ~ 1,3;
cos 2,6 (д) = -19 дБ = 0,0125 (1/ 80раз);
cos (д) = 2,6 0,0125 = 0,185;
д = arccos 0,185 = 79,32o ~ 80;
d < = 0,6144 ~ 0,6 ;
sin80о + sin40о
d ~ 0,6 = 0,6 20 см = 12 см.