
Лабораторная работа №4.
Тестируемая схема 3И-НЕ:
Способы
переключения схемы занесены в таблицу
1.
Для
объяснения разницы задержек и фронтов
возьмем два каких-нибудь переключения
и покажем, чем отличается их принцип
работы. Сравнивать будем для первого и
третьего случаев, поскольку они идентичны
по переключению. В идеале их задержки
и фронты должны быть одинаковыми. Но
реально происходит следующее: в открыто
состоянии у транзистора имеется какое-то
сопротивление канала и какая-то выходная
емкость (рис.1.). Поскольку для первых 3х
случаев емкость p-канального
транзистора заряжается и разряжается
одинаково, то влияние ее можно учесть
в общей емкости. Теперь для первого
состояния, пока на входе А2 держится 0,
транзистор М4 открыт, а значит нагрузочная
емкость заряжена до Еп, транзисторы М1
и М2 открыты, и их емкости заряжены также
до Еп, транзистор М3 закрыт, но его емкость
исходя из представления на рисунке тоже
заряжена до Еп. Теперь переключаем вход
А2 из 0 в 1. При это увеличивается
сопротивление канала p-канального
транзистора, а транзистор М3 наоборот
открывается. Все емкости начинают
разряжаться до 0. Этот процесс происходит
относительно быстро, а поскольку основной
вклад здесь вносит нагрузочная емкость,
при каждого в отдельности входа из 0 в
1 задержка и фронт остаются примерно
постоянными.. Совсем друге дело, когда
напряжение меняется потом от 1 до 0.
Транзистор М4 открывается, а М2 опять
закрывается. Тогда для окончания
переходного процесса нужно зарядить
все емкости в цепочке (см. рисунок), а на
это уходит самое большое время, поскольку
данная цепочка имеет при переключении
одного входа самое большое число
емкостей.
Для случая 3 рассмотрим рисунок 2.
Здесь при подаче на вход сначала 1 разряжается емкость транзистора М1 и нагрузочная. Когда же подается сигнал из 1 в 0, М1 закрывается и время переключения затрачивается только на зарядку нагрузочной емкости и емкости транзистора М1. Соответственно времени затачивается меньше, что и подтверждается теорией.
Оценим теперь статические характеристики, а именно характер изменения порогового напряжения.
Здесь
существенную роль играет сопротивление
каналов открытых и закрытых транзисторов,
и соответственно падение напряжения
на них (рис .4.). Рассмотрим первый случай.
Для него транзисторы М1 и М2 открыты
(p-канальные транзисторы
опять же не рассматриваем в силу их
аналогичности переключения для первых
трех случаев), следовательно, они имеют
маленькое сопротивление канала.
Транзистор начинает открываться. Когда
значение Vgs=Vg-0=Vg
достигает порогового напряжения
n-канального транзистора,
он откроется и через него начнет протекать
ток. При этом сопротивление канала
p-канального транзистора
увеличивается, и ток через него перестает
протекать. В системе установится
логический ноль. В третьем случае
ситуация почти такая же. Только транзистор
М1 откроется при значении
Vgs=Vg-VdM2=Vg-(IdпRM2+IdпRM3)=Vg-2IdпRn=Vto,
где Rn – сопротивление
канала открытого n-канального
транзистора. Тогда значение Vg=Vto+2IdпRn,
а поскольку в транзисторе в закрытом
состоянии текут подпороговые токи, то
величина 2IdRn
больше нуля. Соответственно для открытия
транзистора надо подать большее
напряжение на затвор (вход), а следовательно
порог сместится вверх. Это подтверждается
измеренными значениями в таблице.